GaAs高速电路在片瞬态测试技术研究

介绍了ＧａＡｓ高速集成电路在片瞬态参数测试的技术原理和系统组成。利用该系统对部分ＧａＡｓ高速电路进行的测试结果表明，该系统行之有效。     

GaAs功率单片脉冲在片测试技术研究

讨论了功率单片在片脉冲测试中在片校准技术、脉冲功率测试技术等难题,并在讨论以上问题的基础上,实现工程化应用,该测试技术能够有效覆盖至40GHz。在建立的脉冲大功率在片测试系统上对输出功率典型值5W的GaAs功率单片放大器进行测试验证,测试结果和装架测试结果相比较,输出功率误差<0.2dB。     

GaAs高速电路在片瞬态测试技术研究

介绍了ＧａＡｓ高速集成电路在片瞬态参数测试的技术原理和系统组成。利用该系统对部分ＧａＡｓ高速电路进行的测试结果表明, 该系统行之有效     

2千兆赫GaAs分频器设计

本文介绍了我国自行研制成功的GaAs 2千兆赫二分频分频器的设计。其试验电路测试结果表明该设计方法的可行性。     

BFL与非门或非门单元组成的高性能GaAs分频器的设计

根据多种GaAs单元电路的工作特点,设计了两个基于GaAsBFL单元的2分频器,单元结构简单．工作频率高,功耗低。模拟仿真的结果显示,其工作频率分别可以达到40GHz和25GHz。     

MMIC在片测试探头的研究与设计

微波单片集成电路（MMIC）在片测试技术是应用于MMIC和高速集成电路研究、生产的新型测试技术。MMIC在片测试探头是MMIC在片测试系统的关键部件。本文研究并设计了介质基片共面波导（CPW）探头,测试并分析了探头性能。该探头在2－18GHz范围内插入损耗小于1．5dB,回波损耗大于16dB。     

高速程序分频器

介绍一种高速吞脉冲程序分频器.该分频器速度高达550MHz,工作可靠,分频比为100～999,适用于数字频率合成器.     

SZ541和SZ551型GaAs高速分频器

本文叙述了SZ541和SZ551分频器工作原理、电路设计和制作工艺技术。电路采用全离子注入平面工艺,L_g为0.6～0.8μm.SZ541GaAs静态分频器可从DC到3GHz工作。SZ551GaAs动态分频器工作带宽为0.5～4.5GHz。     

InGaP/GaAs HBT射频功率放大器在片温度补偿电路研究

本文针对无线通信应用的InGaP/GaAs HBT射频功率放大器,提出一种新型的在片温度补偿电路。该温度补偿电路由一个GaAs HBT和五个阻值大小不同的电阻组成,结构简单,可实现性强。通过调整偏置电路中参考电压的方法调节功率放大器静态偏置电流,有效地实现补偿功率放大器功率增益和输出功率随温度变化的特性,优化了射频功率放大器的热特性,性能随温度只有略微的退化。将该温度补偿电路置入一个无线通信应用的三级单片集成功率放大器,温度在-20℃到＋80℃范围内变化时,增益随温度变化的变化量从4.3dB提高到只有1.1dB。     

动态分频器技术

本文介绍了动态分频器的基本原理；详细叙述了动态分频器电路及其主要工艺技术；综述了国外动态分频器的发展动态。     

共面微波探针在片测试技术研究

本文描述了使用共面微波探针的半导体芯片在片测试技术.设计研制出的多种微波探针性能参数稳定,使用寿命在十万次以上,用于在片检测各种GaAs共面集成电路芯片.触头排列为GSG的微波探针,-3dB带宽及反射损耗分别为14GHz和小于-10dB.     

高速低功耗多模分频器的设计

基于相位转换技术的多模分频器由于其在工作频率和功耗中能更好地折中而得到广泛的应用.为了进一步降低功耗,利用两级反相器对其相位信号进行整形,使工作频率最高的前两级÷2分频器能降低输出幅度的要求,从而大大降低功耗.这两级反相器还可以调整相位信号占空比为25%,甚至更小,从而增大相位控制信号的延时余量,实现无毛刺的加计数相位转换.基于相位转换4模分频器的基本原理,设计了一个2.55 GHz的多模分频器.仿真结果表明,采用0.35μm BiCMOS工艺,在3.3 V电源电压下,分频值为128～255,最大功耗不到14 mW.     

两级GaAs单片功率放大器

<正>GaAs单片功率放大器是70年代末发展起来的.它可在卫星接收系统中作为后级放大;可作为VCO的后续放大器,从而组成新型的微波固态源;可用于无人值守微波中继站及雷达与其它电子工程中.这一广阔的应用前景使GaAs单片功放的研究引起了国内外的极大重视.本文在研究GaAs MESFET模型参数的提取拟合、放大电路的分析设计以及最终实现     

两级GaAs单片功率放大器

本文报道了两级GaAs单片功率放大器的设计和制作,着重介绍了利用MESFET的小信号模型和直流负载特性设计MESFET在大信号状态下的最佳功率匹配的方法,该方法大大简化了放大器匹配电路的设计.制作在1.9×0.9mm GaAs外延片上的两级放大器,1dB带宽800MHz(670～1470MHz)频带内,最大小信号增益24dB,最大输出功率300mW.功率附加效率17.8%.     

一种ECL高速可编程分频器

本文介绍了一种ＥＣＬ高速可编程分频器的逻辑设计、电路设计、温度补偿设计、版图设计及研制结果。采用４μｍｐｎ结双埋层对通隔离ＥＣＬ工艺技术制作的可编程分频器，其最高工作频率达１００ＭＨｚ以上，工作温度范围为－５５～＋１２５℃，分频模数在１～６４之间任意自然数连续可变。     

高速AlGaAs/GaAs HBT D-触发器和静态分频器

叙述了高速 Al Ga As/ Ga As HBT D-触发器和静态分频器的设计、制造和性能。用电流型逻辑和自对准工艺 ,D-触发器上升和下降时间都小于 80 ps,静态分频器在 0～ 8GHz频率范围功能正确     

超低功耗硅双模预置ECL高速分频器的研究

本文介绍了超低功耗硅双模预置ECL高速分频器的设计和工艺技术。采用0.6μm设计规则和多晶硅发射极-基极自对准双极技术,设计制作的双模(÷64/65,÷128/129)预置分频器,在3mW(电源电压为3V)的极低功耗下,工作频率在1000MHz以上。     

一种500MHz高速程序分频器

文章介绍的高速程序分频器,电路方案独特,设计简洁新颖。在充分发挥各单元电路逻辑功能的基础上,通过巧妙地连接和组合,使其具有工作频率高(可高达500MHz)、功耗低、分频比预置直观、工作稳定可靠的显著特点,是一种性能优越,颇具特色的高速程序分频器。