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沙堡脉冲是彩电在色、亮度处理通道中利用一些电路而形成形似城堡一样的脉冲波形,它起到色同步选通、行场消隐、双稳态触发以及亮度、黑电平箝位等作用。沙堡脉冲的波形是由三部分构成的(如图1),最顶部的为3.5μs的窄脉冲,是色同步选通脉冲;中部的为11.8μs脉冲,为行消隐脉冲;最底部的为1350μs宽脉冲,为场消隐脉冲。故此,如果 相似文献
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高功率中红外光纤激光器在基础科学研究、大气通信、环境监测和国防安全等领域有着重要应用。拉曼光纤激光技术是实现中红外激光的一种重要手段,通过级联拉曼运转可在光纤透过窗口内输出任意波长激光。目前,以碲酸盐、氟化物或硫系玻璃光纤作为拉曼增益介质,研究者分别研制出工作波长为3.77μm的二级级联拉曼激光器和波长调谐范围覆盖2~4.3μm的中红外拉曼孤子光纤激光光源。最近,本研究组制备出一种具有高稳定性、高抗激光损伤阈值、大拉曼频移和高拉曼增益系数的氟碲酸盐玻璃光纤,并以其作为拉曼增益介质,先后实现了波长调谐范围覆盖1.96~2.82μm的中红外拉曼孤子激光以及~3μm处的"拉曼孤子雨",初步验证了该氟碲酸盐玻璃光纤在中红外拉曼光纤激光器方面的应用潜力。主要对国内外中红外拉曼光纤激光光源的研究进展进行了总结,介绍了碲酸盐、氟化物、硫系以及氟碲酸盐玻璃光纤材料的特点及相应的拉曼光纤激光器,并对发展趋势进行了展望。 相似文献
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2μm波段掺铥脉冲光纤激光器由于在人眼安全、激光雷达、生命科学、光通信和医疗等领域有着重要的应用,近年来成为新型光纤激光器的研究热点。以石墨烯为代表的二维材料因其优良的可饱和吸收特性引起人们的广泛关注。分析了碳纳米管、石墨烯、黑鳞及拓扑材料等二维材料作为可饱和吸收体在掺铥脉冲激光器中的应用和发展。对国内外基于二维材料的掺铥脉冲光纤激光器的研究进展进行了综述,并对其未来的发展前景进行了展望。 相似文献
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双调Q复合腔Nd:YAG—Cr^4+:YAG激光器的研究 总被引:3,自引:1,他引:3
报道一种有实用价值的、构思新颖的双调Q,双波长输出的Nd:YAG-Cr^2 :YAG激光器。在由两个平凹腔耦合而成的复合腔中,Cr^2 :YAG晶体既作为可饱和吸收体对Nd:YAG发射的1.06gm激光被动调Q,又作为增益介质在1.06μm激光脉冲作用下发射中心波长1.44μm的激光脉冲。该激光器实现了1.06μm激光被动调Q和1.44μm激光增益调Q的双波长激光振荡.输出的1.06μm和1.44μm激光脉冲的能量和脉冲宽度分别为18mJ,52ns和0.25mJ,19ns;后者的脉冲宽度约为前者的三分之一。理论上,根据Cr^2 :YAG的能级结构和复合腔特点,分析了双调Q的工作机理;从速率方程出发导出双调Q复合腔激光器输出的1.44μm激光脉冲宽度和腔内1.06μm激光功率的关系。1.44μm激光脉冲时间宽度的理论计算值(21.7ns)与实验结果(19ns)基本相符。 相似文献
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我们首次完全采用MBE技术成功地制作了内含吸收型光栅的GaAlAs/GaAs量子阱增益耦合型分布反馈式半导体激光器,激光器在室温下的激射波长为860nm,单模单端输出光脉冲峰值功率超过20mW。器件在至少0-80℃的范围内始终保持单纵模激射,作为初步结果,条宽为5-6μm的氧化物条件形结构器件的脉冲工作阈值电流约为700mA。 相似文献
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高功率中红外光纤激光光源在前沿科学研究、空间光通信、医学诊断与治疗、环境污染监测和光电对抗等领域有着重要应用。拉曼光纤激光光源输出波长灵活,原则上可以在光纤材料透过窗口范围内获得任意波长激光,是实现中红外激光输出的一种重要手段。目前,基于硫系玻璃光纤、氟化物玻璃光纤、碲酸盐玻璃光纤等中红外玻璃光纤材料,已实现工作波长位于3.77μm的拉曼光纤激光器、平均输出功率为3.7 W的2 231 nm拉曼光纤激光器和波长调谐范围覆盖2~4.3μm的拉曼孤子激光光源。近期,笔者研究组制备出一种具有高热学和化学稳定性、高激光损伤阈值、大拉曼频移和高拉曼增益系数的氟碲酸盐玻璃光纤,并利用其作为非线性介质,先后实现了级联拉曼散射、级联拉曼光纤放大器、波长调谐范围覆盖1.96~2.82μm的拉曼孤子激光以及波长为~4μm的红移色散波,验证了氟碲酸盐玻璃光纤在中红外拉曼光纤激光光源研制方面的应用潜力。主要介绍了氟化物、硫化物及碲酸盐玻璃光纤材料的特点及相应的拉曼激光光源的相关研究进展,并对其未来发展趋势进行了展望。 相似文献
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基于当前红外探测器技术的发展方向,从高工作温度红外探测器应用需求的角度分析了碲镉汞高工作温度红外探测器在组件重量、外形尺寸、功耗、环境适应性及可靠性方面的优势。总结了欧美等发达国家在碲镉汞高工作温度红外探测器研究方面的技术路线及研究现状。从器件暗电流和噪声机制的角度分析了碲镉汞光电器件在不同工作温度下的暗电流和噪声变化情况及其对器件性能的影响;总结了包括基于工艺优化的Hg空位p型n-on-p结构碲镉汞器件、基于In掺杂p-on-n结构和Au掺杂n-on-p结构的非本征掺杂碲镉汞高工作温度器件、基于nBn势垒阻挡结构的碲镉汞高工作温度器件及基于吸收层热激发载流子俄歇抑制的非平衡模式碲镉汞高工作温度器件在内的不同技术路线碲镉汞高工作温度器件的基本原理,对比分析了不同技术路线碲镉汞高工作温度器件的性能及探测器制备的技术难点。在综合分析不同技术路线高温器件性能与技术实现难度的基础上展望了碲镉汞高工作温度器件技术未来的发展方向,认为基于低浓度掺杂吸收层的全耗尽结构器件具备更好的发展潜力。 相似文献
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N/A 《激光与光电子学进展》1975,12(4):1
介绍了吸收远距离发射的高功率激光辐射获得推进的物理现象的实验研究结果。使用兆瓦峰值功率的脉冲CO2激光器,进行了脉冲和稳态两种模拟实验。稳态模拟实验是在以石墨、丙烯树脂、氟化锂作为固体推进剂的真空室内进行的。脉冲实验包括:用冲击摆测量推力、壁压描迹和用条纹摄影机记录推断激光激励的的脉动式空气喷气发动机(其中空气用作燃料)效率的等离子体速度。结果表明,对于稳态推进,仅用激光汽化合适的固体推进剂,就可能获得高的推力与激光功率比(约10~100达因/瓦)。然而,对高比冲量(约1000秒),有必要以稳定的方式把能量输送给蒸汽。这可能要求气体推进剂,并对无喉部喷嘴中稳定加热的吸收特性进行外部控制。脉动式空气喷气发动机实验得到的推力与激光功率之比约为沘达因/瓦。为了提高推进剂质量利用的效率,希望使用具有较高功率的较短的激光脉冲。 相似文献
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基于暗电流模型,通过变温I-V分析长波器件(截止波长为9~10μm)的暗电流机理和主导机制.实验对比了不同衬底、不同成结方式、不同掺杂异质结构与暗电流成分的相关性.结果表明,对于B+离子注入的平面结汞空位n~+-on-p结构,替代衬底上的碲镉汞(HgCdTe)器件零偏阻抗(R0)在80 K以上与碲锌镉(CdZnTe)基碲镉汞器件结阻抗性能相当.但替代衬底上的HgCdTe因结区内较高的位错,使得从80 K开始缺陷辅助隧穿电流(I_(tat))超过产生复合电流(I_(g-r)),成为暗电流的主要成分.与平面n~+-on-p器件相比,采用原位掺杂组分异质结结构(DLHJ)的p~+-on-n台面器件,因吸收层为n型,少子迁移率较低,能够有效抑制器件的扩散电流.80 K下截止波长9.6μm,中心距30μm,替代衬底上的p~+-on-n台面器件品质参数(R0A)为38Ω·cm2,零偏阻抗较n-on-p结构的CdZnTe基碲镉汞器件高约15倍.但替代衬底上的p+-on-n台面器件仍受体内缺陷影响,在60 K以下较高的Itat成为暗电流主导成分,其R0A相比CdZnTe基n~+-on-p的HgCdTe差了一个数量级. 相似文献
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Luca Matteini 《电子设计技术》2012,19(3):67-68
本设计中的电路可生成一个交流电源的零交越脉冲,并提供电气绝缘。输出脉冲的下降沿出现在零交越点前约200μs。使用这个电路可以安全地停止一个可控硅栅极的触发,使之有时间正常地关断。只有当主电压约为0V时,电路才产生短脉冲,因此在230V、50Hz输入下只耗电200mW。 相似文献