CdSe薄膜晶体管制备工艺的研究

对ＣｄＳｅ－ＴＦＴ的制作工艺进行了探索,对ＴＦＴ矩阵的关键材料－半导体层ＣｄＳｅ的性质进行了研究。利用ＸＣ－３６型高阻仪研究了ＣｄＳｅ薄膜电阻率随蒸发速度的变化,用三探针法和Ｃｕｒｖｅ Ｔｒａｃｅｒ ＱＴ－２对ＴＦＴ样管的基本性能进行了测试,得到载流子迁移率为１７０ｃｍ２／Ｖ．ｓ,ＯＦＦ态电流小于１０＾－１０Ａ,ＯＮ态电流为１０＾－４Ａ。     

掺杂对MnCoTi系NTC热敏电阻器稳定性的影响

讨论了Ｃｒ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ掺杂对ＭｎＣｏＮｉｔ系ＮＴＣ热敏电阻器性能的影响。以ＭｎＣｏＮｉ系为基，掺入适量上述物质后，其老化稳定性均提高，其中Ｃｒ２Ｏ３掺杂可使老化稳定性提高６６．２％效果显著。     

激活退火对As掺杂型HgCdTe材料的影响

研究了激活退火热处理过程对As掺杂碲镉汞外延材料组分的影响,实验包括不同的热处理条件以及不同厚度外延材料,并用红外透射光谱测量了退火前后材料组分的变化。实验结果表明,在相同温度和相同时间的热处理条件下,外延层的厚度越厚,热处理对材料组分的影响越小;在相同温度不同时间的热处理过程中,随着时间增加,材料的组分变化也随之增加,并且,外延层越厚,组分的变化量也越小。     

多层掺杂白光有机电致发光器件的光谱稳定性

分析了分别以Al/LiF为复合阴极和以Ca∶Al合金为阴极的两种掺杂型白光有机电致发光器件在不同驱动电流下的EL光谱以及色坐标的变化。器件结构分别为:Al/LiF/Alq₃∶C545T/Alq₃∶DCJTB/ADN∶TBP/NPB/2T-NATA/ITO/Glass;Ca∶Al/Alq₃∶C545T/Alq₃∶DCJTB/AND∶TBP/NPB/2T-NATA/ITO/Glass。并利用直接载流子俘获(DCT)过程和能量传递(ET)过程对器件的发光机理进行了讨论。结果发现:两种白光器件的EL光谱波峰位置几乎是相同的,且不随电流的改变而变化;在相同驱动电流下,以Al/LiF为复合阴极的器件的绝对光谱较强;随着驱动电流的变化,对于Ca∶Al合金为阴极的白光器件,其相对光谱及色坐标的变化相对较小,并且在较低的驱动电流下色坐标就能达到比较稳定的状态。说明以Ca∶Al合金为阴极有利于提高OLEDs的EL光谱的稳定性。

     

硒化镉将使AMLCD走出困境

目前,a-Si AM LCD 在两个方面已陷入困境。一是制作周期长且过程复杂导致成品率低;二是 a-Si 载流子迁移率极小不能制作行列驱动器。众多的研究者为此绞尽脑汁,至今未获多大进展。美国从事 AM LCD 研究的先驱者 T.P.Brody 博士认为 AM LCD 要走出困境,出路在硒化锡(Cdse)。事实上,三端AM LCD最早采用的就是Cdse TFT矩阵的选址形式。在70年代,T.P.Brody所在的westinghouse Labs在当时IC尚制作在3.sem的硅片上时,便开始用     

长波碲镉汞材料As掺杂激活研究

利用离子注入工艺实现长波碲镉汞材料的As掺杂,As作为掺杂介质表现出两性掺杂行为,而As只有占据Te位成为受主才能形成P型碲镉汞材料。通过对砷掺杂碲镉汞材料在汞气氛中进行退火,分析注入退火引起的样品电学性质的变化,对砷激活退火采用的汞压、温度及时间进行了研究,利用霍尔测试和二次离子质谱仪(SIMS)等手段分析激活效果,研究发现,高温富汞热退火可以实现碲镉汞As激活。     

CdSe纳米团簇的透射电镜研究

在沸石分子筛中组装ＣｄＳｅ而形成半导体纳米团簇材料，并将组装ＣｄＳｅ后的沸石微粉制成完整的透射电镜薄膜，结合能谱测试，在透射电镜下观察所制得的材料的微观结构和形貌．结果表明在沸石中形成了尺寸单一、分布均匀的团簇材料     

碲镉汞As掺杂技术研究

对于MBE原位掺杂,HgCdTe的N型掺杂比较容易,而P型掺杂相对来说难度比较大。作为掺杂杂质的As表现出两性掺杂行为,在富Te的条件下生长,As有很大的几率进入到阳离子位置处。而As必须进入Te位才能参与导电,表现为P型。因此,采取了多种方法,现已获得10^16-10^18坤cm^-3掺杂水平的P型材料。在成功实现As的掺杂后,研究人员对激活退火做了一些研究。研究发现,需要在汞压下经过高温退火,As原子才能占据Te位成为受主杂质。对As在碲镉汞中的扩散系数也进行了研究。     

真空干燥参数对TFT栅极光刻性能的影响

液晶显示器薄膜晶体管(TFT)的栅极需经光刻工艺制得.在光刻工艺中,除曝光与显影环节外,光刻胶显影后的关键尺寸(DICD)和锥角(Taper)还受到真空干燥参数的影响.为此,文章以干燥制程的慢抽时间、保压时间和底压为自变量,DICD和Taper为因变量,采用全因子实验,研究了真空干燥制程对光刻胶DICD和Taper的影响.结果表明:慢抽时间和底压产生的影响较小,保压时间则是关键参数:随着保压时间增加,DICD增加、Taper降低.这是因为随着保压时间增加,光刻胶中的溶剂挥发总量增加,光刻胶更致密,显影速度下降,导致DICD增加;同时,光刻胶顶部溶剂挥发量增加,顶部感光剂浓度增加,导致顶部侧向显影程度增加,最终造成光刻胶Taper下降.此外,建立了 DICD和Taper与保压时间的回归方程,可以预测光刻效果,或者由预期的光刻效果反推出所需的保压时间.此工作可为薄膜晶体管光刻产线的参数优化和产品良率提升提供参考.     

液晶TFT有源矩阵单元性能分析

本文详细分析液晶薄膜晶体管(TFT)有源矩阵单元性能.其中包括薄膜晶体管单元结构特性和液晶单元电容充放电物理过程。通过分析,推导出有用的计算公式。这些结果对实际工作具有指导作用。     

非晶硒化镉激光探测器的瞬态响应特性

本文报道淀积条件对非晶态硒化镉（ａ－Ｃｄｓｅ）光敏介质的超快光电探测器瞬态响应特性的影响。     

a—Si：H TFT自对准工艺的研究

实验研究了自对准结构的ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ的制备工艺，对其中关键的底部曝光和顶胶工艺进行了详细的研究和分析，对制备工艺和结构参数进行了合理的优化，成功地制备出自对准结构的ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ。对影响自对准结构ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ特性的主要因素进行了详细的分析，提出了一种新颖的双有源层结构的ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ，可以有效地改善ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ的开态特性，其通断电流比ＩＯＮ／ＩＯＦＦ〉１０＾５。     

Ultrathin CdSe nanowire field-effect transistors

We report the fabrication, and electrical and optical characterization, of solution-liquid-solid (SLS) grown CdSe nanowire field-effect transistors. Ultrathin nanowires (7–12 nm diameters) with lengths between 1 μm and 10 μm were grown by the SLS technique. Al-CdSe-Al junctions are then defined over oxidized Si substrate using photolithography. The nanowires, which were very resistive in the dark, showed pronounced photoconductivity even with a visible light source with resistance decreasing by a factor of 2–100 for different devices. Field-effect devices fabricated by a global backgating technique showed threshold voltages between −7.5 V and −2.5 V and on-to-off channel current ratios between 10³ and 10⁶ at room temperature. Channel current modulation with gate voltage is observed with the current turning off for negative gate bias, suggesting unintentional n-type doping. Further, optical illumination resulted in the loss of gate control over the channel current of the field-effect transistor.     

一种确定多晶硅薄膜禁带中态密度的数值积分方法

本文提出了一种数值积分方法,通过这种方法结合热激发场效应电导法可以推导薄膜晶体管的多晶硅材料禁带中的态密度,根据这种方法。我们研究了氢等离子本处理对多 硅薄膜晶体管木材禁态密度的影响。     

基于表面势的非晶IGZO薄膜晶体管分析模型

报道了一种适于模拟n沟道非晶IGZO薄膜晶体管(a-IGZO TFT)的直流I-V特性的分析模型。该模型充分考虑了深能级类受主态对自由电子的捕获,并将表面势的概念引入a-IGZO TFT结构。在分析器件能带结构和载流子输运的基础上,参考Si基MOSFET中表面势模型的分析方法,利用半导体-绝缘体界面电荷的泊松方程表达,并结合能带-电压关系,导出了器件饱和区和非饱和区的I-V解析表达式。通过Matlab编程模拟了a-IGZOTFT的转移特征曲线和输出特征曲线,对文献中实验数据进行拟合发现,提出的模型与实验数据均能很好地吻合。该模型结构简明,所包含的参数物理意义明确,有很强的实用性。     

Synthesis and characterization of novel oxygenated CdSe window layer for CdTe thin film solar cells

Significant increases in the solar conversion performance of thin film CdS/CdTe solar cells have been realized in recent years by the inclusion of wider gap materials, notably CdS:O, in place of the CdS window layer. Similarly, use of CdSe in combination with CdTe has given yet further increases in current density due to the formation of CdTe_1-xSe_x and the resulting enhanced long wavelength collection. Here we report the synthesis and properties of oxygenated CdSe films and their influence on device performance when included into CdTe solar cells. The CdSe:O films were made by pulsed laser deposition in oxygen at pressures of 0.01 and 0.03 Pa. Optical transmission measurements indicated that oxygenation acts to increase transparency in the 400–750 nm range, and that increased oxygen content acts to increase the apparent absorption threshold slightly. The higher transmission acts to increase the spectral response of CdTe solar cells in the range 350–500 nm compared to CdSe- and CdS-containing control devices. Moreover, the already known advantage of enhanced long wavelength response (850–910 nm) over that of CdS/CdTe is retained for both CdSe and CdSe:O window layers. Hence the use of CdSe:O as a window layer is demonstrated to increase the current harvesting of these solar cells by increasing both their long and short wavelength performances. These gains in the short circuit current outweigh small losses in fill factor and open circuit voltage making CdSe:O a valuable possible means to increase the performance of CdTe solar cells.     

多晶硅TFT及其在AMLCD中的应用

多晶硅薄膜晶体管目前是大面积微电子学领域中最热门的研究课题之一,它以其独特的优点,在液晶显示领域中失常着重要角色,简要介绍了多晶硅薄膜晶体管的结构、器件特性以及在有源矩阵液晶显示器中的应用。