一种高精密CMOS带隙基准源

设计了一个与n阱工艺兼容的高精密CMOS带隙基准电压源电路。该电路实现了一阶PTAT温度补偿，并具有好的电源抑制比。SPICE模拟和测试结果表明，其电源抑制比可达到60dB，在20—70℃范围内精度可达到60ppm／℃。     

一种低功耗CMOS带隙基准电压源的实现

运用带隙基准的原理,提出了一种带启动电路的低功耗带隙基准电压源电路。HSPICE仿真结果表明,在25℃3、.3 V下,电路功耗为16.88μW;另外,在-30~125℃范围内,1.9~5.5V下,输出基准电压VREF=1.225±0.0015 V,温度系数为γTC=14.75×10-6/℃,电源电压抑制比(PSRR)为86 dB。该电路采用台积电(TSMC)0.35μm 3.3 V/5 V CMOS工艺制造。测试结果显示,电路功耗仅为16.98μW。     

一种新型无运放CMOS带隙基准电路

介绍了带隙基准原理和常规的带隙基准电路,设计了一种新型无运放带隙基准电路。该电路利用MOS电流镜和负反馈箝位技术,避免了运放的使用,从而消除了运放带隙基准电路中运放的失调电压和电源抑制比等对基准源精度的影响。该新型电路比传统无运放带隙基准电路具有更高的精度和电源抑制比。基于0.18μm标准CMOS工艺,在Cadence Spectre环境下仿真。采用2.5V电源电压,在-40℃～125℃温度范围的温度系数为6.73×10-6/℃,电源抑制比为54.8dB,功耗仅有0.25mW。     

一种低电压的CMOS带隙基准源

设计了一种用于集成电路内部的带隙基准源，采用了1．0V／0．18μmCMOS工艺。该电路利用电阻分压和高阶温度补偿，达到降低温度率数的目的，并具有好的电源抑制比。SPICE仿真结果表明，在0℃-100℃范围内度可达到18ppm/℃，其电源抑制比可达到62dB。     

一种新型无运放的带隙基准电路

设计了一种新型无运放的带隙基准电路,利用电流镜和负反馈技术省去了运放,消除了运放带隙基准电路中失调电压对基准精度的影响,提升了电源抑制比。相比于传统的无运放带隙基准结构,该新型电路具有更高的精度和电源抑制比。基于0.35μm的BCD工艺,在Cadence Spectre环境下进行了仿真。在5 V电源电压下,电源抑制比为79 d B,-40~125℃温度范围内的温度系数为4.2×10-6/℃。     

一种CMOS工艺低电压带隙基准源

基于0.18μm CMOS工艺,设计了一种低电源电压的带隙基准源.该带隙基准源电路采用非线性温度补偿,具有很高的温度稳定性.Hspice仿真结果显示,电源电压最低为1.2V时,在-40～135℃的温度范围内,输出电压在556.03～556.26mV之间变化,平均温度系数约仅为2.36ppm/℃,电源电压抑制比可达到90dB.     

一种低压CMOS带隙电压基准源

设计了一种与标准CMOS工艺兼容的低压带隙电压基准源,该电路应用二阶曲率补偿,以及两级运算放大器,采用0.8μm BSIM3v3 CMOS工艺,其中,Vthn=0.85 V,Vthp=-0.95 V。用Cadence Spectre软件仿真得出:最小电源电压1.8 V,输出电压590 mV,在0~100℃范围内,温度系数(TC)可达15 ppm/℃,在27℃时输出电压变化率为±2.95 mV/V。     

一种利用比较器实现可靠启动的带隙基准电压源

提出一种在启动电路中使用比较器配置的带隙基准电压源,解决了带隙基准电压源由于使用双极型晶体管而存在的潜在启动失败问题.该带隙基准电压源通过启动电路的比较器来正确判断启动和关闭点以保证电路启动到理想的工作点,并在电路启动后正常关闭启动电路以缩减功耗消耗,同时避免了其它启动电路存在的问题:引起电路抖动或者求助一些系统中很少使用的上电复位信号等.该带隙电压基准电路提供0.9V的带隙基准电压时,可以工作的电压范围和温度范围分别是1.2V～3.6V和-40～110℃,而且该输出电压在给定的电压和温度范围内仅有5％的变化.     

改进结构的低压低功耗CMOS带隙基准源

提出了一种低电压、低功耗、中等精度的带隙基准源,针对电阻分流结构带隙基准源在低电源电压下应用的不足作出了一定的改进,整体电路结构简单且便于调整,同时尽可能地减少了功耗.该电路采用UMC 0.18 μm Mixed Mode 1.8 V CMOS工艺实现.测试结果表明,电路在1 V电源电压下,在-20～30℃的温度范围内,基准电压的温度系数为20×10-6/℃,低频时的电源电压抑制比为-54 dB,1 V电源电压下电路总功耗仅为3μW.     

低压带隙基准源的设计

在传统带隙结构基础上,实现了一种适用于1.5V电源电压的带隙基准电压源。电路设计采用SMIC0.18umCMOS工艺实现,测试结果显示,在低电压的工作状态下,该电路能够稳定工作,并且其温度系数达到34ppm。     

低压低功耗CMOS带隙电压基准及启动电路设计

介绍了一种低压电流模带隙电压基准电路,并提出了一种新颖的启动电路结构.电路采用预先设置电路工作点和反馈控制相结合的方法有效地克服了第三简并点的问题,从而保证电路能够正常工作.文中给出详细的分析和电路实现,并给出了一种电路简并点和启动裕度分析的SPICE仿真方法.电路采用0.25μm CM0S工艺设计并流片.最后对电路的测试结果进行了比较和分析.     

一种高精度易扩展的分段线性补偿带隙基准源

提出了一种电路结构简单的分段线性补偿方法.不同分段子区间复用一个PTAT电路架构,通过调节外部增加的较少其它电路参数来实现多个补偿电流,采用该复用方法,增加一次分段区间,仅需增加5个MOS管、一个BJT和一个电阻.与一般的分段线性补偿电路相比,所需的MOS器件和BJT器件大大减少了,易于扩展.将该电路应用于一款Boost升压芯片的带隙基准源中,在-40~120℃的温度区间分三个子区间进行线性补偿,采用JAZZBCD05 2P3M BiCMOS工艺实现,仿真结果表明,在整个温度范围,温漂可达到5.85×10-7/℃,实现了很高的精度.     

低压CMOS带隙电压基准源设计

在对传统典型CMOS带隙电压基准源电路分析和总结的基础上,综合一级温度补偿、电流反馈技术,提出了一种1-ppm/°C低压CMOS带隙电压基准源。采用差分放大器作为基准源的负反馈运放,简化了电路设计。放大器输出用作电路中PMOS电流源偏置,提高了电源抑制比(PSRR)。整个电路采用TSMC0.35μmCMOS工艺实现,采用HSPICE进行仿真,仿真结果证明了基准源具有低温度系数和高电源抑制比。     

基于新型非制冷IRFPA读出电路的带隙基准源

设计了一种用于新型非制冷IRFPA读出电路的低温漂的低压带隙基准电路.提出了同时产生带隙基准电压源和基准电流源的技术,通过改进带隙基准电路中的带隙负载结构以及基准核心电路,基准电压和基准电流可以分别进行温度补偿.在0.5 μm CMOS N阱工艺条件下,采用spectre进行模拟验证.仿真结果表明,在3.3 V条件下,在-20℃～100℃范围内,带隙基准电压源和基准电流源的温度系数分别为35.6×10-6℃-1和37.8×10-6℃-1.当电源电压为3.3V时,整个电路的功耗仅为0.17mW.     

一种带输出缓冲的低温度系数带隙基准电路

基于TSMC 0.18μm标准CMOS标准工艺,提出了一种低温度系数,宽温度范围的带隙基准电压电路,该电路具有高电源抑制比,启动快及宽电源电压工作区域的优点,由于具备输出缓冲,可提供较低的输出阻抗及较高的电流负载能力.电路在-40℃到 110℃的温度变化范围内,基准电压为2.302 0 V±0.001 5 V,温度系数仅为7.25×10-6/℃(-40℃到 110℃时),PSRR为64 dB(11 kHz处),电源电压变化范围为1.6～4.3 V,输出噪声为5.018μV/平方根Hz(1 kHz处).     

一个低压高阶曲率补偿的CMOS带隙基准电压源的设计

运用带隙基准的基本原理,采用0.6μm的CMOS工艺,对一个低压高阶曲率补偿的高性能CMOS带隙基准电压源进行研究,并结合所提出电路给出了高阶曲率补偿的数学表达式。Cadence软件仿真结果显示:电源电压最低可为1.2 V,在-20~100℃温度范围内,输出电压为0.6 V,温度系数为9.1 ppm/℃,即基准输出电压随温度变化不超过±0.1%。低频(f=1 kHz)时PSRR为-78 dB。在室温电源电压为1.2 V时总功耗约为38μW。整个带隙基准电压源具有良好的综合性能。     

一种高精度低电源电压带隙基准源的设计

设计了一种可在低电源电压下工作,具有较高电源电压抑制比、低温度系数和低功耗的带隙基准电压源。电路基于对具有正负温度系数的两路电流加权求和的原理,对传统电路做出了改进。采用UMC 0.25 μmCMOS工艺模型,使用Hspice进行模拟,设计的基准源输出电压为900 mV,电源电压可降低到1.1 V,温度系数为8.1×10^-6/℃。     

一种高精度的电流反馈型带隙基准源的设计

采用0.5 μm,N阱CMOS工艺设计一种高精度带隙基准电压源,基准电压为1.245 V,在0～70 ℃内温度系数仅为12.5 ppm/℃,工作电压为2.8～8 V,具有非常高的电源抑制比(PSRR),低频下高达107 dB.此电路为电流反馈型基准源,能够产生自偏置电流,使电路建立稳定工作点.其结构能有效减小运算放大器的失调电压对基准输出的影响.