关于绿色封装环氧塑封料的一些探讨

为了保护环境,在一些电子产品当中,规定禁止使用一些有害的材料,例如铅、卤化阻燃剂、石棉等,这些物质会对环境造成影响,此外,对IC封装过程及封装材料也有规定。     

球栅阵列制备方法研究

为顺应大规模、超大规模集成电路发展趋势,更好满足我国近年来对小型化、高频高速应用的需求,针对BGA技术高密度、高性能、多功能及高I/O数封装的特点,介绍了"助焊剂-锡铅焊球"、"焊锡膏-锡铅焊球"和"焊锡膏-高铅焊球"三种球栅阵列制备方法.通过阐述三种制备方法的原理和特点,列举制备过程中容易产生的问题并提出应对措施;采...     

结合全卷积网络和K均值聚类的球栅阵列焊球边缘气泡分割

针对在球栅阵列（BGA）气泡检测中,由于图像干扰因素的多样性导致焊球存在边缘气泡与背景之间灰度级接近,从而造成焊球气泡分割结果不精确的问题,提出了一种结合全卷积神经网络（FCN）和K均值（K-means）聚类分割的焊球气泡分割方法。首先根据所制作的BGA标签数据集搭建FCN,通过训练该网络得到合适的网络模型,再对待测BGA图像进行预测处理得到图像的粗分割结果;然后对焊球区域映射提取,通过同态滤波法提高气泡区域辨识度,再使用K-means聚类分割对图像进行细分割处理,得到最终分割结果图;最后对原图焊球及气泡区域进行标注识别。将所提出的算法与传统BGA气泡分割算法进行对比,实验结果表明,所提出的算法对复杂BGA焊球的边缘气泡分割精确,图像分割结果与其真实轮廓高度匹配,准确度更高。     

不同温度规范对微电子封装可靠性影响的研究

使用Ansys有限元软件建立三维BGA封装模型,考虑在不同的保温时间和升降温时间情况下焊点的力学行为,并通过Darveaux的失效模型来计算并比较封装体的疲劳寿命。结果表明:对于焊点在温度循环过程中的疲劳寿命来说,保温时间的影响比升降温时间的影响大,保温时间超过20min之后对寿命的影响就很小了,说明温度循环测试的关键不应该在升降温时间而应该在保温时间上。     

焊点模拟方法对疲劳仿真寿命的影响

为改善焊点疲劳仿真寿命分布的合理性,基于盒状样件,讨论焊点的模拟方法对疲劳仿真寿命的影响,并进行疲劳仿真结果与试验结果的对比分析.结果表明,梁单元焊点模型和ACM焊点模型受网格尺寸的影响较大;而nugget焊点模型受网格尺寸影响相对较小,即使在焊点周边的网格尺寸一致性不好的情况下,该模型也能给出相对合理的寿命分布结果.     

BGA焊点气孔缺陷的特殊结构光质量检测

为了解决球栅阵列（BGA）焊点气孔缺陷的在线检测问题,开发了一种特殊的结构光检测技术。同时用环形红光和十字形绿光发射二极管（LED）照明BGA芯片,通过环形和十字形的中心,布置一个带有远心透镜的电荷耦合器（CCD）摄像机记录小球上红色圆环和绿色十字的图像。根据图像半径方向上的纹理频谱分布特征,引入人工神经网络（ANN）算法对BGA芯片的气孔缺陷进行检测。采用真实的BGA焊点进行实验,结果验证了方法的精度和可行性。     

基于CBGA的多通道DDS封装隔离度设计

介绍了一种基于陶瓷球栅阵列(CBGA)技术的多通道直接数字合成器(DDS)封装结构设计,提出了一种改进隔离度的CBGA基板实现形式,并利用Ansoft HFSS软件进行了基板隔离度的优化仿真,最后对所提出的设计进行了实物测试。测试结果与仿真结果基本一致,表明所提出的封装优化设计成功地提高了多通道DDS的隔离度,为高隔离度的多通道DDS产品工程设计提供了参考。     

基于球麦克风阵列的多声源定位方法

通过球麦克风阵列采集高阶声场的声压信息,采用球谐函数分解声场并建立信号模型,应用MUSIC算法提取出声源的方位。由于MUSIC算法在信号源相干性比较高,特别是声源比较接近时,其分辨率会严重下降,提出了一种基于空间平滑的瓣分块方法来提高定位的效果。仿真实验采用了一个72元的球阵,实验结果表明：提出的方法能同时有效地确定声场中多个声源的位置,能比较好地对抗噪声的影响。     

基于涡流阵列传感器的飞机结构疲劳寿命自动化监测研究

为提升飞机螺栓连接结构疲劳裂纹监测准确率,准确监测飞机结构疲劳寿命,提出了基于涡流阵列传感器的飞机结构疲劳寿命自动化监测研究.构建矢量电磁场量空间扩散方程,在层状介质空间中通过分离变量获取磁矢解析通解在无穷大介质空间内实现解耦,由此确定截面处电磁场量边界条件,分析提离距离与监测灵敏度之间关系.通过对半解析建模对涡流阵列...     

DC-40 GHz通用化BGA封装的射频微系统测试技术研究

射频微系统是未来电子器件小型化的发展趋势,球珊阵列(BGA)封装是其常用实现形式之一。由于BGA封装无法连接矢网进行测量,因此对射频BGA封装的测试技术进行研究,设计了一款可应用于DC-40 GHz射频BGA封装的测试夹具,并为其设计了校准件,解决了射频BGA封装的测试问题。仿真结果显示,在DC-40 GHz频段内,工作状态的测试夹具回波损耗优于18 dB,设计的开路校准件的回波损耗小于0.88 dB,直通和延迟线校准件的插入损耗都小于1.1 dB,符合校准的设计要求。该产品具有良好的电接触性,且具有免焊接、可重复使用、易加工、取放料方便的特点,对于标准尺寸的BGA封装具有通用性。     

微机电系统的封装技术

MEMS封装是在微电子封装技术基础上发展起来的一项关键的MEMS技术。介绍了MEMS封装技术的功能、特点与分类。在此基础上,重点介绍了键合技术、上下球栅阵列技术、倒装芯片技术、多芯片技术以及3-D技术等几种重要的MEMS封装技术。最后,进一步探讨了MEMS封装的发展趋势及研究方向。     

柴油机负荷对曲轴疲劳寿命影响的三维有限元分析

为评估超载运行对柴油机的不利影响,以某型柴油机组成的动力装置为原始模型,设定柴油机发火顺序﹑活塞所受气体力﹑转速和输出扭矩等边界条件,用三维有限元动应力分析和疲劳寿命计算技术计算曲轴在420°缸排插入角下75%负荷、100%负荷、110%负荷和120%负荷时的疲劳寿命.结果表明在420°缸排插入角下,柴油机负荷越高,曲轴单拐的疲劳寿命区域扩大就越明显.     

施工质量对焊接球节点网架结构可靠性影响的有限元分析

针对焊接球节点网架结构施工中存在的缺陷,提出用刚度退化法仿真施工质量对焊接球节点网架结构可靠性的影响.对网架节点部位采用弹性模量退化法仿真施工过程中存在的质量缺陷,并在考虑施工质量缺陷的基础上,基于蒙特卡罗法运用APDL(ANSYS Parametric Design Language)编制命令流.以结构竖向最大位移作为工程可靠性能的主要指标,对某网架进行可靠性数值分析.计算结果证明施工工艺质量对结构可靠性有较大影响.该方法能帮助工程设计部门在复杂网架的可靠性计算方面考虑施工工艺质量的影响.     

基于微球和微柱阵列芯片的乳滴数字PCR定量方法

BEAMing是一种基于磁珠表面核酸扩增的乳滴数字聚合酶链反应(PCR)技术,具有很高的灵敏度,然而后续检测目标磁珠比较困难.通过修饰链霉亲和素的聚苯乙烯微球捕获BEAMing实验中生物素修饰的目标磁珠并利用微柱阵列芯片拦截微球,可以达到统计磁珠的目的.微柱阵列芯片采用基于尺寸差异的拦截原理.该芯片组装简单成本低,降低了BEAMing技术的磁珠统计难度.利用该方法对不同浓度的特定DNA序列做了检测,验证了该方法的实用性.     

钯栅厚度对气敏MOS晶体管灵敏度的影响

本文介绍了一种Pd栅MOS结构的半导体气敏器件。在叙述Pd栅MOS晶体管气敏机理的基础上,着重讨论了钯栅厚度对器件灵敏度的影响。实验结果证明,Pd栅MOS晶体管的灵敏度随着钯栅厚度的增加而降低。在工作温度不太高的条件下,灵敏度随钯栅厚度的变化基本上不受温度的影响。另外,文中还扼要地阐述了钯栅M0S晶体管的结构、制造技术及器件灵敏度的测试原理和方法。研究结果对于MOS结构的半导体气敏传感器的研制具有重要的意义。     

残留频差对自适应阵列天线的影响

自适应阵列天线可以通过数字下变频实现信号正交化,把中频数字信号转换到零中频,然后进行加权求和。分析了变频过程中因没有进行载波同步所导致的残留频差对自适应阵列天线算法的影响。通过详细的理论分析表明,只要上、下变频采用相同本振,残留频差对算法并没有影响,即使对带通采样系统,该结论同样成立。对频谱、阵列增益的仿真证明了理论分析的正确性。     

互耦效应对泰勒阵列天线的影响分析

互耦效应是低副瓣阵列天线分析与设计中需要考虑的重要问题.在经典阵列综合方法--泰勒综合法的基础之上,仿真分析了互耦效应对方向图副瓣性能的影响.结果表明,互耦效应对阵列天线的低副瓣性能影响较为严重.     

基于机器视觉的BGA芯片检测对中技术

根据球栅阵列(BGA)结构芯片贴装技术的特点,分析芯片锡球排列的特征,提出一种基于机器视觉技术的BGA芯片检测对中技术。包括灰度值直方图处理、动态阈值分割技术,并结合机器视觉软件在 VC 开发平台下验证其可行性。实验结果表明,该技术能提高芯片对中检测的准确性,较好地处理非线性光照。     

异相介质对阵列电容传感器响应特性影响的仿真分析

阵列电容传感器为电容层析成像系统的关键组成部分,采用有限元仿真分析手段,模拟实现了阵列电容传感器的测量过程,对监测对象为油／气两相流时位于传感器中的水等高介电常数介质对传感器响应特性的影响进行了分析,并给出仿真结果。     

热载流子效应及其对器件可靠性影响的研究

该文主要阐述了热载流子效应产生的物理机制及器件的退化,进一步介绍了在JEDEC标准中,对可靠性模型寿命计算做出的规范下,目前使用的三种寿命计算模型:衬底电流模型,Vd模型,Isub/Id模型(即:胡模型),基于这些模型对器件寿命的估算,将为集成电路设计中器件优化与工艺改进提供重要参考信息。