氩气氛下制备的C60薄膜的形貌、结构和光学性质

用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、红外光谱(IR)及紫外-可见光谱(UV/VIS)研究了在氩(Ar)气氛下制备的C60薄膜的表面形貌、结构及光吸收特性.发现其UV/VIS的强度和吸收峰位置明显不同于在真空中制备的G60薄膜.与真空中制备的C60薄膜比较,所研究薄膜的红外谱没有变化,但X射线衍射表明其结构从面心立方(fcc)相变成fcc相与六角密堆(hcp)相的混合相.AFM表明,在Ar气氛中制备的C60薄膜有较大的表面粒子,并且表面生长岛更尖锐.这将有利于G60薄膜的场电子发射.     

氩气氛下制备的C60薄膜的形貌、结构和光学性质

用原子力显微镜（AFM）、X射线衍射（XRD）、红外光谱（IR）及紫外－可见光谱（UV／VIS）研究了在氩（Ar）气氛下制备的C60薄膜的表面形貌、结构及光吸收特性。发现其UV／VIS的强度和吸收峰位置明显不同于在真空中制备的C60薄膜。与真空中制备的C60薄膜比较,所研究薄膜的红外谱没有变化,但X射线衍射表明其结构从面心立方（fcc)相变成fcc相与六角密堆（hcp)相的混合相。AFM表明,在Ar气氛中制备的C60薄膜有较大的表面粒子,并且表面生长岛更尖锐。这将有利于C60薄膜的场电子发射。     

气体压强对氮气氛下制备的C60纳米薄膜形貌和光学性质的影响

用扫描电镜、双光束紫外-可见分光光度计和椭偏仪研究了在氮气(N2)氛下制备的C60薄膜的表面形貌及光吸收特性。研究发现，薄膜表面粒子粒径随气压的增大而增大，表面结晶现象也随气压增大而明显；与真空中制备的C60薄膜比较，发现其紫外-可见吸收的相对强度明显不同，吸收峰位红移；并且随着氮气压强的增加吸收峰位红移增加。对氮气氛下C60薄膜的形成机理及光吸收特性进行了讨论。     

气体压强对氮气氛下制备的C60纳米薄膜形貌和光学性质的影响

用扫描电镜、双光束紫外 可见分光光度计和椭偏仪研究了在氮气 (N2 )氛下制备的C6 0 薄膜的表面形貌及光吸收特性。研究发现 ,薄膜表面粒子粒径随气压的增大而增大 ,表面结晶现象也随气压增大而明显 ;与真空中制备的C6 0 薄膜比较 ,发现其紫外 可见吸收的相对强度明显不同 ,吸收峰位红移 ;并且随着氮气压强的增加吸收峰位红移增加。对氮气氛下C6 0 薄膜的形成机理及光吸收特性进行了讨论     

掺锡C60薄膜材料的电子结构与电导性研究

本文报道了锡掺杂C60薄膜样品的扫描电镜,X射线衍射,紫外可见吸收光谱和电阻随温特性的测量结果;显示样品由纳米级颗粒组成,为面心立方结构,掺杂锡原子在禁带中形成施主能级,电阻随温度增加呈指数衰减,霍耳效应证实为N型半导体。     

直流反应磁控溅射制备氧化铅薄膜

通过直流反应磁控溅射的方法制备了氧化铅薄膜，并通过XRD和紫外-可见光（UV-Vis）吸收谱对薄膜的晶体结构和光学性能进行了表征。我们发现，直流反应磁控溅射金属铅靶可以形成三种氧化铅薄膜，即非晶态PbO，正交晶系的β-PbO，以及四方晶系的Pb3O4。X射线衍射结果表明，衬底温度和氧气流量对薄膜的生长有很大的影响。当衬底温度小于300℃时，薄膜呈非晶状态，当衬底温度超过300℃时，薄膜开始结晶。另外，氧气流量的改变引起薄膜晶体结构的明显变化。当氧气流量较小时，薄膜为立方相结构的PbO；随着氧气流量的增加，薄膜的晶体结构发生改变，生成四方相结构的Pb3O4的薄膜。UV-Vis吸收谱测试结果表明，不同条件下制备的氧化铅薄膜的UV-Vis吸收谱明显不同。     

K3C60单晶薄膜制备及表征

根据K在C60 晶体中的扩散系数分析了在C60 (1 1 1 )单晶解理面上制备K3 C60 单晶膜的实验条件。对制备出的样品进行了角分辨光电子谱研究。结果表明样品确实为K3 C60 单晶 ,并首次观察到K3 C60 的能带色散。     

TiO2薄膜的溶胶-凝胶法制备及其光学特性

采用溶胶-凝胶法在普通载玻片上制备了均匀透明的纳米TiO2薄膜，X射线衍射结果表明薄膜晶粒大小为23．0nm，呈锐钛矿型。通过测量薄膜的紫外可见光透射率和吸光度光谱，对其光学特性和吸收边缘进行了研究，同时计算了薄膜的光学禁带宽度。实验结果表明：随薄膜层数的减少，光吸收带边缘发生了蓝移，光学禁带宽度随之变大，此现象可用量子尺寸效应来解释。     

掺锡C60薄膜材料的电子结构与电导性研究

本文报道了锡掺杂C6 0 薄膜样品的扫描电镜 ,X射线衍射 ,紫外可见吸收光谱和电阻随温特性的测量结果 ;显示样品由纳米级颗粒组成 ,为面心立方结构 ,掺杂锡原子在禁带中形成施主能级 ,电阻随温度增加呈指数衰减 ,霍耳效应证实为N型半导体。     

溶胶-凝胶法制备Ni掺杂ZnO的结构、光学和磁学性质

使用溶胶-凝胶法制备了Zn_(1-x)Ni_xO(x=0.1%,0.4%,0.7%,1.0%)粉末,研究了样品的结构,光学和磁学性质。X射线衍射表明所有样品都具有纤维锌矿结构,没有发现第二相。随着掺杂量的增加C轴晶格常数变小。紫外可见光吸收谱发现随着掺杂量的增加能隙逐渐变小,说明Ni~(2 )替代了Zn~(2 )。光致发光谱发现在390nm附近出现了由于近带边自由激子复合引起的紫外峰和在460nm为中心宽带深能级发光带组成的由于缺陷(锌填隙和氧填隙)引起的较宽的蓝光。随着掺杂浓度的增加,蓝光强变强,说明缺陷增多增强了蓝光发光。磁化强度测量表明样品具有室温铁磁性,且随着掺杂浓度增加,饱和磁化强度增加。当掺杂量为1.0%时饱和磁化强度最大为0.07626μ_B/Ni。认为样品的室温铁磁性是由于缺陷诱导的。     

C60和苯乙炔共聚物荧光性能研究

合成表征了Ｃ６０和苯乙炔共聚物。详细地测试了聚合物溶液的荧光性能。研究结果表明溶液浓度为０．５ｇ／Ｌ时,聚合物呈出现了荧光浓度自猝灭效应。对于Ｃ６０含量为５％的聚合物在３５０ｎｍ被激发时,荧光光谱除在４４０ｎｍ有一个聚苯乙炔的荧光发射峰之外,在４０４ｎｍ呈现出了一个新的弱荧光峰,聚合物中Ｃ６０对这个荧光具有猝灭效应,聚合物发光机制被分析。     

不同衬底上低温生长的ZnO晶体薄膜的结构及光学性质比较

采用电子束反应蒸发方法,在单晶Si(001)及玻璃衬底上低温外延生长了沿c轴高度取向的单晶ZnO薄膜,并对沉积的ZnO晶体薄膜的结构和光学性质进行了分析比较。通过对ZnO薄膜的X射线衍射(XRD)分析及光致荧光激发谱(PLE)测量,研究了衬底材料结构特性、生长温度及反应气氛中充O     

C_（60）－AALB膜光学累积和记录效应的研究

Ｃ＿（６０）是碳的第三种同素异构体。本文将Ｃ＿（６０）和花生酸混合制得高质量的Ｃ＿（６０）－花生酸复合ＬＢ多层膜，在对其光学非线性特性的研究中首次发现这种ＬＢ膜具有光学累积和记录效应。采用布居光栅模型，分析了这种ＬＢ膜中的光学累积和记录效应的机制。     

碲氧溅射薄膜的光学性质

碲氧薄膜是很有希望的可擦写光盘介质材料。本文用射频溅射技术制备碲氧系统的薄膜。测定热处理前后薄膜的光学特性(光透过率、反射率、折射指数、光吸收系数和光能隙)和 X 射线衍射特性,并研究了这些性能与靶材的组份关系,还测定了这些薄膜激光喇曼光谱,并讨论它们的结构特征。     

Nonlinear Optical Characteristics of C60 Thin Films

Abstract

The results of investigation of the real and imaginary parts of third‐order nonlinear susceptibility (χ⁽³⁾) of C₆₀ thin films (～100 nm) at the wavelength of Nd: YAG laser radiation (532 nm, τ = 55 ps) are presented using Z‐scan technique. Our studies show that the sign of Reχ⁽³⁾ changes from negative, at pulse repetition rate of 2 Hz to positive, at 0.5 Hz. Sign variations of the real part of the third‐order susceptibility were attributed to the influence of the thermal lens.     

Structural Morphological and Optical Properties of SnSb2S4 Thin Films Grown by Vacuum Evaporation Method

SnSb2S4 thin films were prepared from powder by thermal evaporation under vacuum of 1.33 × 10^-4 Pa （ 10^-6 Torr） on unheated glass substrates. The effect of thickness on the structural, morphological and optical properties of SnSb2S4 thin films was investigated. Films thickness measured by interference fringes method varied from 50 to 700 nm. X-ray diffraction analysis revealed that all the SnSb2S4 films were polycrystalline in spite without heating the substrates and the crystallinity was improved with increasing film thickness. The microstructure parameters： crystallite size, strain and dislocation density were calculated. It was observed that the crystallite size increased and the crystal defects decreased with increasing film thickness. In addition, by increasing the film thickness, an enhancement in the surface roughness root-mean-square （RMS） increased from 2.0 to 6.6 nm. The fundamental optical parameters like band gap, absorption and extinction coefficient were calculated in the strong absorption region of transmittance and reflectance spectrum. The optical absorption measurements indicated that the band （Eg） gap of the thin films decreased from 2.10 to 1.65 eV with increasing film thickness. The refractive indexes were evaluated in transparent region in terms of envelope method, which was suggested by Swanepoul. It was observed that the refractive index increased with increasing film thickness.     

A Study of the Structural, Optical and Electrical Properties of SnS Thin Films Modified by Plasma

SnS thin films were deposited by chemical bath deposition technique and treated using glow discharge 02 plasma. The pressure discharge was 3 Torr, discharge voltage of 2.5 kV and 20 mA of discharge current. The as-deposited and treated thin films were characterized by X-ray diffraction, scanning electron microscopy and energy dispersive X-ray analysis. The photoconductivity and electrical effects of SnS have been studied. The SnS thin films had an orthorhombic crystalline structure. The optical gap changed from 1.61 to 1.84 eV due to the 02 plasma treatment. The conductivity shows a marked increase with the treatment, from 2.56×10^-6 （Ω·cm）-1 for as-deposited film until 0.10 （Ω·cm）-1 for the film treated at 180 rain. This result is a suitable range of conductivity for the improvement of the solar cell with SnS as an absorber material.