Tm元素对SmCo_5晶体结构与磁性能的影响（英文）EI北大核心CSCD

采用X射线衍射分析(XRD)和磁性能测试等方法,分析了Tm元素掺杂对Sm Co5晶体结构和内禀磁性能的影响。XRD测试结果表明:Sm Co5和Sm0.8Tm0.2Co5.2均为Ca Cu5结构,掺杂Tm元素后,晶格常数c值增大,而a,b与晶胞体积减小;M-T曲线测试结果表明:Sm Co5和Sm0.8Tm0.2Co5.2的居里温度分别为957和965 K;在测试外加场为7 T的条件下,300 K时Sm Co5的各向异性场HA和饱和磁化强度M7T均高于Sm0.8Tm0.2Co5.2;当温度升高至473 K,Sm Co5的HA和M7T要低于Sm0.8Tm0.2Co5.2,说明Sm Co5中进行Tm元素掺杂可以有效的改善其在高温条件下的磁性能。     

Zn1-xCoxO纳米稀磁半导体的光催化性能

通过水热法合成了不同掺杂比例的一维Zn1-xCoxO(x=0,0.03,0.06和0.09)纳米棒,并通过X射线衍射(XRD)、高分辨透射电镜(HRTEM)、紫外可见光吸收光谱(UV-vis)和振动样品磁强计(VSM)等研究了样品的晶体结构、形貌、磁性能、光吸收性能和光催化性能。结果表明:不同掺杂比例的Zn1-xCoxO均为结晶良好的六方纤锌矿结构,Co2+以替代Zn2+的形式进入到ZnO晶格中。样品形貌为一维纳米棒状结构,分散性良好。Co掺杂ZnO使得样品的能带隙减小,可见光吸收增加。掺杂样品在室温下具有明显的铁磁性,掺杂样品能增强降解有机染料罗丹明B(RhB)的光催化活性。     

主族元素掺杂对SmCo5合金结构和磁性能影响的第一性原理计算

建立了以Al、Ga、In、Sn等元素为例的主族元素掺杂SmCo₅合金的计算模型,基于第一性原理结合统计热力学方法研究了添加元素本征特性、掺杂浓度和温度对合金物相结构和磁学性能的影响。计算结果表明,主族元素的优先占位受元素理化性质和掺杂体系占位空间大小两方面的影响;Al和Ga的添加有利于SmCo₅体系保持结构稳定性,且Al的占位概率随温度变化不明显,适用于较宽的温度范围。几种主族元素添加均削弱SmCo₅体系的总磁矩,而In掺杂体系具有相对较大的总磁矩,主要原因是In原子半径较大,引起掺杂体系晶格畸变,使In周围次近邻的Co原子出现磁矩增大的现象,对体系的总磁矩下降具有弥补作用。基于计算结果分析优选出利于SmCo₅体系结构稳定性和磁性能的主族元素Al和In,且预测了Al和In的最佳掺杂浓度范围。     

Sr0.8Re0.2Fe11.8Co0.2O19(Re=La,Nd)的制备、表征及吸波性能

采用溶胶凝胶法,制备Sr0.8Re0.2Fe11.8Co0.2O19(Re=La,Nd)复合铁氧体。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、振动样品磁强计和矢量网络分析仪表征粉体的结构及电磁性能。结果表明:得到的粉体为纯净的磁铅石型铁氧体,La3+掺杂样品的各项性能明显改善。在室温条件下,稀土离子掺杂后样品的Ms受到稀土离子掺杂的影响较小,Hc则明显提高;La^3+掺杂样品和Nd3+掺杂样品的Ms值接近,前者的Hc值则明显强于后者的,Sr0.8La0.2Fe11.8Co0.2O19的Ms和Hc分别为58.08A m^2/kg和362.0kA/m。稀土离子掺杂使铁氧体样品的复介电常数(ε′和ε″)增大,与Nd3+掺杂样品相比,La3+掺杂样品的介电损耗和磁损耗改善更为明显。利用传输线理论优化设计时发现,在1.2~2.4 mm之间,随着厚度的增加,Sr0.8La0.2Fe11.8Co0.2O19的反射率峰值先减少后增加,逐渐向低频移动;在厚度为2.0 mm时,其反射率峰值达到最小值为27.8 dB(11.8 GHz),小于10 dB的吸波带宽为5.2 GHz(9.5~14.7 GHz)。     

掺钼对二氧化钒薄膜热致变色特性的影响

通过溶胶-凝胶和真空热处理工艺在石英基底上制备出不同掺Mo量的二氧化钒薄膜。对薄膜进行了X射线衍射及热分析,并测试了其电阻及7.5~14μm波段红外热图随温度的变化,研究了Mo掺杂对二氧化钒薄膜热致变色性能的影响。结果表明,Mo进入VO2晶格,替换了部分V的位置;随着掺Mo量的不断增加,相变温度不断降低,但电阻突变量级比未掺杂时有所减小;掺Mo量(MoO3:V2O5,下同)为5%时,相变温度可降至45℃左右;红外热图分析表明,Mo掺杂VO2薄膜的7.5~14μm波段发射率可在较低温度下突变降低,薄膜在温度增加时可在较低温度水平上主动控制自身辐射强度、降低其辐射温度。     

Si4+和F-掺杂对LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2结构和电化学性能的影响

以Li2CO3、NiO、Co2O3、MnO2、LiF和SiO2为原料,采用机械力活化固相法制备了Si4+和F-掺杂的锂离子电池正极材料LiNi1/3Co 1/3Mn1/3O2.通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和电化学性能测试等技术研究了LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2的结构特征、形貌及电化学性能等.结...     

Cluster-assembled cobalt doped ZnO nanostructured film prepared by low energy cluster beam deposition

Cobalt doped ZnO film assembled by the nanoparticles was prepared by low energy cluster beam deposition. The microstructure, phase structure and optical properties were investigated for the nanostructured films. The results show that the nanostructured film was assembled by monodisperse spherical nanoparticles with average diameter of about 29.3 nm which are distributed uniformly and compactly. The results of X-ray diffraction (XRD) show that cobalt doped ZnO nanostructured film is indexed to a wurtzite structure of ZnO, and no Co-phase structure and other phases are observed. The UV-visible absorption spectra show that the optical band-gap of the film is broadened after doping.     

Hydrogen Generation on NaBH4 Catalyzed by Co-B/Rare Earth Oxides

研究了催化物体系Co2B/稀土氧化物对NaBH4放氢性能的影响。结果显示,掺杂Co-B/CeO2和Co2B/Sm2O3明显增加了NaBH4的放氢量,在所有的掺杂试样中,掺杂Co2B:CeO2比例为1:1混合催化剂的试样具有最大放氢量274 mL。然而,掺杂混合催化剂试样放氢速率的研究显示,掺杂系统混合催化剂使得NaBH4的放氢速率明显下降。此外,掺杂试样的微观结构研究显示,与掺杂Co2B的试样相比,掺杂混合催化剂试样的微观结构更加松散。Co2B/CeO2催化剂的研究发现,多孔状的微观结构对提高NaBH4放氢量是有益的,但是,对Co2B/La2O3和Co2B/Sm2O3等催化剂的研究结果显示,微观结构中的多孔结构与NaBH4放氢量没有直接关系。     

Comparison of photocatalytic activity of TiO2 film doped nonuniformly by Mn and Zn

1INTRODUCTIONHeterogeneous photocatalysis attracts muchattention as a friendly environment technique valu-able for water and air purification.However,thereare some problems in application,and one of thekey problems is the low photon-quantum efficien-cy.From1990s,the modification of Ti O2by metalions has become a hot topic,andthe effect of metal(such as Cu,Fe,Ag,Au,Pt,W,V,Pb,Cr,Rh,Co and Ni)ions doping on photocatalytic ac-tivity of Ti O2has been studied widely[14].Howev-er,there wer…     

Superconducting Properties of Ti3SiC2-Doped Bulk MgB2 Superconductor

研究了Ti3SiC2掺杂对MgB2的晶格参数(a)、微观结构、超导转变温度(Tc)和临界电流密度(Jc)的影响。随着Ti3SiC2掺杂量的增加,晶格参数a逐渐变小,表明了C进入晶格代替B位的发生。随着掺杂量的增加,超导转变温度Tc从37.15K降低到36.55K。利用Bean模型通过M-H磁滞回线计算了样品的Jc值。结果表明,在低场区域,未掺杂样品的Jc值高于Ti3SiC2掺杂样品的Jc值。然而随着磁场的进一步增大,适量掺杂的样品Jc值得到提高。     

无机阴离子掺杂对TiO2薄膜光催化性能的影响

采用溶胶，凝胶法在玻璃基片上制备掺杂钼酸根离子（MoO4^2-）、高锰酸根离子（MnO4^2-）、钨酸根离子（WO4^2-）和锡酸根离子（SnO3^2＋）等复杂无机阴离子的二氧化钛光催化薄膜。光催化实验表明钼酸根离子、高锰酸根离子和钨酸根离子的掺杂都在不同程度上降低了薄膜的光催化性能，掺杂浓度不同对薄膜光催化性能的影响略有不同，而掺杂浓度为0.006mol．L^-1的锡酸根离子可以提高薄膜的光催化活性。利用傅立叶红外光谱研究了掺杂复杂无机阴离子对纳米二氧化钛表面结构的影响，结果表明SnO3^2-掺杂后TiO2的晶格振动峰出现明显的宽化，分析认为SnO3^2-通过热分解产生SnO2，抑制TiO2粒子在热处理过程中生长，有利于形成更细小的晶体，从而提高其光催化活性。     

电化学沉积法制备Co-ZnO薄膜及其室温铁磁性

摘 要:用电化学沉积方法,在锌片上成功制备出了Co掺杂ZnO稀磁半导体薄膜.XRD研究表明,Co-ZnO薄膜均为六方纤锌矿结构,没有出现与Co相关的杂质相.由XPS测量结果可知,钴离子在ZnO薄膜中以+2价的形式存在,替换了ZnO晶格中部分Zn2+.通过样品室温铁磁性测量结果进一步验证了Co2+取代了ZnO晶格中Zn2+的格位.     

钪系阴极基体的研究

采用氧化钪与钨机械混合、氧化钨与钪盐水溶液固液掺杂法制备了氧化钪-钨基体，采用扫描电镜及原位俄歇电子能谱方法研究了基体中钪的分布及阴极基体的抗离子轰击性能。结果表明，采用液固法制备的烧结体，氧化钪分布均匀，这样的结构有利于钪的扩散和补充，原位俄歇轰击实验结果表明，阴极基体具有良好的耐高温和耐离子轰击性。     

Effect of gallium doping on the magnetocaloric effect of LaFe11.2Co0.7Si1.1

The lattice parameter and magnetocaloric properties of three samples of LaFe11.2Co0.7Si1.1-xGax with x = 0,0.03 and 0.05 have been investigated by X-ray powder diffraction and magnetization measurements.The lattice parameter increases slightly and the Curie temperature increases somewhat with increasing gallium content.However,a small amount of Ga doping into the sample decreases the magnetic entropy change of the sample.All the samples remain in the first-order magnetic phase transition.The most striking effect of the Ga doping is that the cooling capacity in the samples increases significantly.The maximum magnetic entropy change,-△SM,max,and the cooling capacity of the sample LaFe11.2Co0.7Si1.07Ga0.03 are 11.9 J·kg-1.K-1 and 254.8 J.kg-1,respectively.     

Li掺杂对Mn-ZnO薄膜结构, 电学和磁学性能的影响

利用磁控溅射法在Si(110)基片上制备了Zn0.95-xLixMn0.05O(x=0,0.05)薄膜,研究了Li掺杂对Mn-ZnO薄膜结构、电学和磁学性能的影响。XRD结果表明,样品薄膜具有高度的c轴择优取向,并且没有发现其他杂相。AFM表明,Li掺入Mn-ZnO使得薄膜颗粒均匀、质地致密。霍尔测试表明,Li掺入Mn-ZnO使载流子浓度增加,然而没有改变其n型导电类型。磁性测试表明,Li掺入Mn-ZnO使得室温铁磁性增强,可由束缚极化极子(BMP)模型解释。     

淀粉包覆纳米银粒子的简易合成及其抗菌性能

采用直流磁控溅射技术,在n-Si (100)衬底上制备了CoxC100-x(x=2.5～50,at％)颗粒膜,并对薄膜的结构、形貌、磁性能和巨磁电阻(GMR)效应做了系统的研究.结果表明:制备态的Co-C薄膜为非晶结构,且表面光滑、颗粒尺寸及膜厚度均匀;随热处理温度的增加,Co成分在300℃逐渐开始晶化,400℃基本晶化完全,500℃度的时候膜层开始出现裂纹;拉曼光谱显示制备态薄膜为类金刚石(DLC)薄膜;X射线光电子能谱(XPS)分析表明,包埋在碳基薄膜中的Co掺杂纳米颗粒以单质形态存在,没有Co的碳化物出现,且Co掺杂没有促进碳膜的石墨化,Co-C纳米复合薄膜组成了一个互不相溶的金属/绝缘体体系;磁性能测试显示薄膜的饱和磁化强度(Ms)和矫顽力(Hc)与Co的含量和颗粒的晶化程度有密切关系;磁电阻测量结果表明Co2.5C97.5薄膜具有高达36％的正GMR效应,GMR效应遵循输运通道的转变机制.     

Fe^3＋／Ce^3＋掺杂纳米TiO2的制备及光催化性能研究

采用溶胶-凝胶法制备了不同粒径的纯纳米TiO2和掺杂Fe^3＋和Ce^3＋的纳米TiO2。样品的X射线衍射（XRD）和透射电镜（TEM）表征说明：在相同的制备条件下，掺杂可以减小粒子粒径，掺Fe^3＋和Ce^3＋可以抑制晶相转变。光催化降解NO2的结果表明，在相同的制备方法和掺杂量的条件下合成的光催化剂对亚硝酸盐的降解率由高到低的顺序为：掺铁TiO2〉掺铈TiO2〉TiO2。     

Cr和CrTi底层对CoCrPt薄膜介质的磁和结构性能的影响

为了改善记录介质的磁性能,研究了溅射Cr和CrTi底层对Co68Cr17Pt15性能的影响。发现在玻璃盘基和CoCrPt磁性层之间引入100nm厚的Cr底层,可使介质矫顽力从56kA·m-1增加到127kA·m-1,同时剩磁比和矫顽力矩形比分别增加66%和74%。同时还发现Cr底层厚度对介质磁性能有较大影响。考虑到减小Cr底层和磁性层的晶格匹配,在Cr底层里添加Ti元素,当Ti原子分数达到1.5%时,即使在室温下溅射,薄膜也有好的面内磁滞回线,此时矫顽力可达到160kA·m-1。X射线衍射表明在介质中引入Cr和CrTi底层,由于薄膜能更好的沿着垂直于易磁化轴方向生长而使介质性能提高。     

柔性衬底WOx-Mo薄膜电致变色性能研究

采用射频磁控溅射工艺,在镀有ITO薄膜的柔性PET衬底上低温制备WOx-Mo薄膜,利用电化学工作站测试薄膜的循环伏安曲线和计时电流曲线来分析薄膜的电致变色性能.结果表明:随Mo掺杂量的增加,薄膜的氧化峰峰位往电压正方向移动,并且氧化峰电流峰值增加,薄膜着色响应时间缩短,退色时间延长.当Mo掺杂量为15.4%时,着色时间最短达到4.53 s,退色时间最长达到9.8 s.薄膜的可逆性与电荷在薄膜中的滞留量有关,在Mo掺杂量为7.6%时,薄膜可逆性最好,达到51.2%左右,电荷滞留量为2.4E-3C.     

Pd/γ-Al2O3催化剂上甲烷-氘化氢之间的氢氘交换性能研究

通过M-T、M-H曲线的测量,研究Dy掺入对La0.7Sr0.3CoO3体系磁性的影响.结果表明,随着Dy含量的增加,样品Tc降低、M值减弱、矫顽力增强,并出现低温下M随着T的降低继续增大的反常现象.研究表明,体系磁性的变化来源于Dy掺入引起晶格参数的改变和磁环境的改变,以及Dy离子诱导的Co离子自旋态的转变.