特大电流高压硅功率晶体管制造技术

本文在讨论了特大电流高压晶体管面临的热应力和热击穿威胁的基础上,为克服一般平面和台面工艺在制作特大容量晶体管方面所存在的困难,把业已成熟的晶闸管与功率晶体管的制造技术结合起来,提出了一种三重扩散简易挖槽工艺技术,采用这种简易三重扩散挖槽     

抑制0.1μmCMOS反向窄沟道效应新技术

目前 ,ＮＥＣ首次采用抑制过度加速扩散法抑制 0 1μｍＣＭＯＳ反向窄沟道效应。在低电源电压化、高集成化进展的先进ＬＳＩ中 ,晶体管的微细化是最重要的课题。但是 ,下二代 0 1μｍ级ＣＭＯＳＬＳＩ技术中问题之一是 :当ＭＯＳ晶体管的沟道宽度缩小时 ,就产生晶体管阈值电压低下的反向窄沟道效应现象。ＮＥＣ首次采用实验和模拟分析此现象。表明其原因是制作工艺中产生的晶体管沟道区域内的杂质过度增速扩散 (ＴＥＤ)造成的异常扩散所致。ＮＥＣ近而证实 :抑制此反向窄沟道效应的新方法是 :“进行对ＭＯＳ晶体管工艺热处理工序中高速升…     

用场限制环、场板作器件终端设计高压大功率晶体管

本文扼要介绍了场限制环、场板、等位环等终端结构对提高PN结雪崩击穿电压的原理,着重叙述采用这些技术,以三重扩散片为衬底材料来设计高反压功率晶体管时,平面终端最佳条件的选择.     

大功率晶体管（GTR）工艺的计算机模拟

针对集成电路工艺模拟中的扩散模型不适宜大功率器件工艺，对模型作了适当修正。在此基础上对大功率晶体管（ＧＴＲ）的三重扩散工艺进行了模拟，结果与实验吻合很好。此外，在模拟中将离子注入引入ＧＴＲ工艺，对改进ＧＴＲ工艺具有一定的参考价值。     

直接键合硅片在双极功率器件中的应用

介绍了利用硅片直接键合技术代替三重扩散，生产ＤＫ５５双极功率器件，实验说明ＳＤＢ片代替三重扩散无需长时间高温扩散，由于衬底材料质量好，器件特性得到提高，工艺过程中碎片率减少，生产效率提高。     

三重扩散工艺的改进

用三重扩散工艺生产功率晶体管,已是国内较通用的工艺,它的主要工艺流程如图1。很显然,由于硅片两面进行深结磷扩散,本来只需要200微米厚的硅片,不得不加厚至400微米。同时,100小时的高温扩散,极易产生沾片,使硅片损耗很大。为此,我们对三重扩散工艺进行了改进,如图2。改进之处是,衬底磷预淀积以后,将硅片     

硅片直接键合技术在双极功率器件中的应用

本文介绍了利用硅片直接键合（ＳＤＢ）技术代替三重扩散，生产ＤＫ５５双极功率器件。实验说明，ＳＤＢ片代替三重扩散无需高温长时间的扩散，由于衬底质量好，器件特性得到提高，工艺过程中碎片率减少，生产效率提高。     

三端电压控制型负阻器件（2）

三端电压控制型负阻器件（２）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）第二章表面控制负阻晶体管（ＮＥＧＩＴ）［５］表面控制负阻晶体管（Ｓｕｒｆａｃｅ－ＣｏｎｔｒｏｌｌｅｄＮｅｓａｔｉｖｅＩｍｐｅｄａｎｄｅＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ），简称ＮＥＧＩＴ是在栅控晶...     

低发射区浓度器件—新的半导体技术

一、前言结型晶体管已问世20多年了。晶体管的重要特性之一电流放大系数,不仅要求有好的基极设计,而且要求发射极的设计必须把杂质浓度做得比基区高得多。由于这种原因,目前二重扩散型晶体管,都把发射区杂质浓度提高到固溶度附近,故由此而产生了发射区的晶格完整性、控制性等方面的种种问题。本结构把发射极和基极结附近的发射区浓度降到过去晶体管的1/1000以下,在电极接触处设计了N~ —N结,取名为低发射     

硅PNP晶体管高磷扩散工艺的改进

一、前言 高磷扩散是硅PNP晶体管制造过程中不可缺少的工序。对于普通硅PNP晶体管来说,高磷扩散的目的是使基区与铝电极引线之间形成N-N~ -Al结构,以获得良好的欧姆接触。而对于硅PNP超高频晶体管,高磷扩散还可以降低基极电阻从而改善高频噪声性能。在硅PNP晶体管的芯片加工制造过程中,高磷扩散一般     

采用LD~3工艺和双层金属的59ns256kDRAM

将介绍在80℃和4.5V条件下,RAS之后典型读取时间为59ns的256k NMOS DR-AM(图1)。在测试装置所限制的周期速度为55ns时,得到了图2所示的页面型读出和写入周期。 获得这一性能的一个关键因素是采用三重扩散LD~3 NMOS晶体管结构,即双扩散     

一种采用三次扩散晶体管的55ns64K动态RAM

为了获得高性能动态MOSRAM,有三种关键的器件工艺参数。高性能晶体管、低电阻互连线和较小的寄生电容可以实现高速度和低功耗工作。 我们推荐了一种可以满足以上要求的三次扩散MOS晶体管,成功地制作了一种新型的64K动态MOSRAM,它具有栅长为2.0微米的三次扩散MOS管结构。在功耗为150毫瓦时,发现这种RAM的典型存取时间为55毫微秒。 由于采用三次扩散MOS晶体管,减少了短沟道效应,降低了栅-漏/源的复盖电容和寄生电阻,使RAM有可能具有如此优异的电气性能。     

SP-1型片状磷源用于功率晶体管发射区扩散的尝试

本文详细报导了SP-1型片状磷源用于晶体管发射区扩散的实验方法及实验结果.实验证明片状磷源在扩散均匀性、重复性以及扩散浓度可调节性等方面,均优于三氯氧磷液态源.实验也证明了片状磷源扩散不仅能满足大功率晶体管发射区所要求的深结、高浓度扩散,而且能提高产品成品率和优化电参数.     

一种高性能2.0umBiCMOS工艺

本文介绍一种高性能２．０ｕｍＢｉＣＭＯＳ工艺。该工艺采用Ｐ型衬底Ｎ型Ｐ型双埋层，Ｎ型薄外延结构，掺杂多晶作为ＣＭＯＳ晶体管栅杉双极晶体管的发射极。ＣＭＯＳ晶体管源漏自对准结构，钛和铝双层金属作为元件互连和ＰＥＣＶＤ ＳｉＮｘ介质作为钝化薄膜。     

亚0.1μm栅长CMOS器件和电路的研制

利用侧墙图形转移实现亚0.1μm栅线条,重掺杂多晶硅做固相扩散源实现CMOS晶体管超浅源漏扩展区,并且将二者有机结合起来,成功实现了栅长约为84.6nm的CMOS器件和电路.报道了利用重掺杂多晶硅固相扩散同时实现CMOS源漏扩展区的方法.     

ECR-PECVD制备UHF大功率管浅结芯片中Si3N4钝化膜的应用研究

利用ＥＣＲ－ＰＥＣＶＤ技术将Ｓｉ３Ｎ４薄膜成功地应用于ＵＨＦ大功率晶体管浅结芯片中的钝化膜，使芯片电特性有较好改善，完全避免了芯片后加工工序中划伤造成的芯片报废现象，提高了成品率，分析了Ｓｉ３Ｎ４膜的钝化机理。     

砷掺杂的双极晶体管

据报道,美帝国际商业机器公司在制造金掺杂双极晶体管时,由于采用了砷代替过去使用的磷作为扩散杂质,使该器件的截止频率和成品率都有所提高。过去,使用磷作为扩散杂质是为了缩短少数载流子寿命,使双极晶体管的速度得到提高。但是,在制造工艺中,发射极和基极的厚度的控制是非常困难的。     

亚0.1μm栅长CMOS器件和电路的研制

利用侧墙图形转移实现亚 0 .1μm栅线条 ,重掺杂多晶硅做固相扩散源实现 CMOS晶体管超浅源漏扩展区 ,并且将二者有机结合起来 ,成功实现了栅长约为 84 .6 nm的 CMOS器件和电路 .报道了利用重掺杂多晶硅固相扩散同时实现 CMOS源漏扩展区的方法 .     

氧化硅在改善双极型晶体管特性上的作用

本文介绍了如何利用前人优秀的理论去改善双极型晶体管参数的课题：氧化硅作为优秀的绝缘材料覆盖在发射极多晶硅表面，确保了砷在快速热处理后的轮廓分布，从而使NPN型晶体管的放大倍数降低的同时增加了扩散致窄电阻的阻值；不连续的氧化硅作为宽禁带半导体材料被加在多晶硅和单晶硅的界面处，有效的提高了横向PNP晶体管的放大倍数。     

ECR－PECVD制备Si_3N_4薄膜的特性及其应用的研究

本文利用ＥＣＲ－ＰＥＣＶＤ技术在不同沉积温度下制备了Ｓｉ３Ｎ４薄膜，利用Ｓｉ３Ｎ４薄膜的透射光强度曲线计算了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的折射率和膜厚，计算结果与实测值符合较好。结果表明，随着沉积温度的提高，Ｓｉ３Ｎ４薄膜的折射率增大，致密性提高，Ｓｉ３Ｎ４薄膜厚度在６０ｍｍ直径范围内不均匀度小于５％。测定了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的显微硬度。利用荧光分光光度计测定了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的光致发光效应。初步进行了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的超高频大功率晶体管器件中作为钝化膜的应用研究。