KTP晶体倍频器件的1.064μm和0.532μm双波长增透膜

本文介绍KTP(KTiOPO4)倍频晶体端面等厚度三层倍频双波长增透膜的设计和制备工艺。该膜系结构和制备工艺简单,重复性好,在1.064μm和0.532μm的剩余反射率做到0.15%～0.20%。     

输出波长可控的共孔径0.532μm/1.064μm/3.9μm激光器研究

为了实现激光器同孔径下多种波长高功率高频率的可控输出,采用激光放大、高重频调Q、光参量振荡、倍频及扫描反射镜等方法,进行了理论分析和实验验证。取得了在电源电流为42A、调Q频率10kHz的共孔径下,选择性输出40W的0.532μm、100W的1.064μm和12.6W的3.9μm激光的实验数据。结果表明,该激光器实验装置可实现同孔径下多种波长高功率、高频率可控输出。     

1.1μm波段Nd:YAG激光运转及其腔内倍频

为了提高Nd：YAG／LBO腔内倍频黄光激光器输出功率的稳定性,通过在腔内插入FP标准具选择出单-激光谱线来实现,同时通过FP标准具的角度调谐还得到了1．1μm波段3条分离谱线的单独倍频运转。用2WLD抽运Nd：YAG,腔内加入150μm厚的熔石英FP标准具,先通过F—P标准具放置角度的调节获得单一谱线的基频光运转,再通过LBO腔内倍频获得高稳定性的黄光输出,在1．6W的抽运功率下,556nm、558nm和561nm的输出功率分别为85mW、65mW和71mW,光光转换效率分别为5．31％、4．06％和4．68％。     

2μm波段激光薄膜的研制

概述了国内外关于～2μ波段发光的掺Tm^3＋,THo^3＋和Er^3＋等激光晶体镀膜的使用情况,结合我们实验室已有的工作基础,对其设计原理和制备工艺进行了详细分析,制备出了较高性能2．94μm的激光薄膜。     

4～5μm全固化可调谐激光实验研究

报道了采用KTP晶体和LiIO3晶体实现4~5μm可调谐激光输出的光参量振荡器(OPO)至差频产生器(DFG)的全固化结构和相应的实验结果。其中光参量振荡器的抽运源为倍频Nd∶YAG激光,差频产生器的抽运源分别是上述光参量振荡器激光和Nd∶YAG基频激光经KTP倍频晶体后剩余的1.064μm激光。实验中Nd∶YAG基频脉冲激光脉宽12 ns,单脉冲能量300 mJ。观察到最大倍频效率达到66.7%,KTP参量量子转换效率达到50%,差频量子转换效率为1.5%,在4.45μm得到了单脉冲100μJ的激光输出。差频光的调谐范围为4.1~4.5μm,发散角为垂直方向12 mrad,水平方向4 mrad。     

硒化锌基底8μm～12μm高效高稳定性减反射膜的研究

文中讨论了硒化锌基底上的高效高稳定性红外减反射膜的设计与制备。介绍了离子束辅助沉积该膜系的过程,给出了用该方法制备的8μm-12μm波段宽带减反射膜的实测光谱曲线,其峰值透过率高达99％以上,在设计波段范围内平均透过率大于98％,膜层附着性能好,光机性能稳定。     

7.5μm像元间距红外探测器三维电极的制备与应用

采用现有读出电路电极生长设备和直写式光刻设备开发了三维电极的制备工艺。在制备过程中,首先在读出电路表面制备三维电极,在碲镉汞芯片端生长铟饼,然后通过倒装互连工艺可以实现7.5μm像元间距的1k×1k碲镉汞芯片与读出电路的互连。可变参数包括金属生长角度、生长速率、生长厚度以及金属种类等。经研究发现,通过该工艺制备的7.5μm像元间距的三维电极高度可达到3.8μm,高度非均匀性小于3%,可以经受7.6×10^-5 N的压力。三维电极的应用,降低了倒装互连工艺对HgCdTe芯片平坦度和互连设备精度的要求,大幅提高了7.5μm像元间距红外探测器的互连成品率。     

基于0.13μm工艺的1.5V低功耗MOSFET器件设计

针对0.13μm工艺常规MOSFET器件的制备流程进行了分析,提出了低功耗工艺改善方法,并针对优化工艺条件下的器件进行TCAD仿真,设计并进行了完整的DOE实验及样品性能测试。测试结果表明,通过调整轻掺杂漏区(LDD)的离子注入条件,冠状离子注入区的角度、浓度以及沟道阀值电压离子注入区浓度等一系列方法,实现了0.13μm工艺1.5 V MOSFET器件关断条件下漏电流低于1 pA/μm。     

0.13μm工艺与248nm KrF光刻机

ITRS规划2001年实现0.13μm工艺.实际上2001年0.13μm工艺已达量产.0.13μm工艺包括248nm光刻技术、高k绝缘材料、低k绝缘材料和铜互连技术等新技术.248nm光刻技术是实现0.13μm工艺达到量产的最关键技术,为此,必须采用248nmKrFstepper(准分子激光扫描分步投影光刻机).     

脉冲电光调Q 1.319μm Nd:YAG激光技术

Nd:YAG激光器输出的1.319μm激光在众多领域有重要应用,但目前研究重点集中在连续或准连续输出.采取对腔镜镀高选择性膜及使用色散棱镜等措施抑制1.064μm波长振荡、输出1.319μm激光,分别在自由运转及电光调Q两种情况下作了Nd:YAG激光器输出1.319μm波长的实验,得到调Q输出脉冲最大能量56 mJ,脉宽36 ns,斜效率0.2%,激光发散角2.5 mrad,输出能量不稳定度约4%,使用KTP倍频晶体得到660 nm红光输出.结果表明,用此方法实现电光调Q 1.319 μm脉冲激光及其倍频光输出切实可行,具有重要应用潜力.     

真空二流体制作35μm/35μm细线路的研究

文章尝试了采用真空二流体蚀刻试做35μm/35μm线路的可行性。经过实验证明:采用DES工艺&搭配合适的蚀刻设备,如真空二流体蚀刻机,可以把细线路制作等级提升到35μm/35μm;能获得大于3的蚀刻因子,局部区域的蚀刻因子更是高达14.99-11.82。此外,3μm铜箔可以获得集中度更高的线宽&更高的蚀刻因子。     

ASIC线宽降至0.35μm

美国和亚洲的制造厂商在研制专用集成电路(ASIC)的过程中现已采用亚微米技术。虽然有些厂商已开始采用0.25μm技术,但大多数ASIC产品都是采用0.5μm～0.35μm的CMOS工艺制造的。门数一般为50万门～100万门。日本有一家厂商宣称,它已开发出一个0.35μm系列款式的产品,其速度高达80ps,     

龙门式电镀线生产75μm/75μm线镀铜均匀性探究

主要阐述我司通过对佳辉龙门式电镀线进行电镀均匀性的改善和研究,达到可以生产75μm/75μm线的工艺制作能力,以及使用龙门式电镀线制作75μm/75μm线镀铜均匀性控制要点、工艺能力维护等,为我司生产精细线路的产品提供一定的参考和制作依据。     

1.064和0.63μm薄膜干涉滤光片

合成并实施了波长1.064μm的滤光片,具有98％透过率,同时以75％反射0.63μm的辐射。     

O.13μm工艺与248nm KrF光刻机

ITRS规划2001年实现0.13μm工艺。实际上2001年O.13μm工艺已达量产。0.13μm工艺包括248nm光刻技术、高k绝缘材料、低k绝缘材料和铜互连技术等新技术。248nm光刻技术是实现0.13μm工艺达到量产的最关键技术,为此,必须采用248nmKrFstepper(准分子激光扫描分步投影光刻机)。     

松下电器公司开发分辨率为0.25μm的光刻技术

<正>据《Semiconductor World》1992年第8期报道,松下电器公司开发了分辨率达到0.25μm的KrF准分子激光光刻技术。该公司采用了新开发的化学增大型正性光刻胶和防反射工艺。获得了0.25μm的分辨率,1.0μm的焦深,图形线宽变动精度为±10％的结果。 化学增大型光刻胶的主要成分是碱可溶性苯乙烯树脂和光氧发生剂。通过对苯乙烯树脂的改良使准分子波长248nm的1μm厚度透射率从原来的17％提高到67％;表示光刻胶性能的γ值实现了3.5(原来为2.3)的高对比度;光氧发生剂使灵敏度由原来的30mJ/cm~2提高到15 mJ/cm~2。此外,随着溶解速度的加快,分辨率也有所提高。这样即使使用低孔径(NA=0.42)的准分子激光步进机,也可得到垂直状0.25μm图形和1μm的焦深。     

ZnSe基底7～14μm波段宽带增透膜

简要叙述了7～14μm波段红外增透膜的膜料选择以及硒化锌基底上高性能红外增透膜的设计和工艺研究。介绍了离子辅助沉积技术沉积该膜的的工艺过程。给出了用该方法制备的7～14μm波段宽带减反射膜的实测光谱曲线,其峰值透过率高达98%以上,在设计波段范围内平均透过率大于97%,膜层附着性能好,光机性能稳定。这对于红外光学系统的应用具有十分重要的意义。     

1.22μm碲镉汞/碲化镉雪崩光电二极管

用液相外延法制备峰值响应在1.22μm、截止波长为1.25μm的平面HgCdTe/CdTe雪崩光电二极管。用1.06μmNd:YAG激光器照射取得高于15的雪崩增益。所测反向击穿电压为80V,在40V时的漏电流密度为1×10~(-4)A/cm~2。在不加任何增透层的情况下于1.22μm时的峰值量子效率为72％。     

0.15μm低压CMOS工艺技术改进

0.15μm低压CMOS制程是一种前段采用0.13μm标准工艺,后段采用0.15μm标准工艺的特殊制程.该制程制造的电路具有运行速度快、电源功耗低、器件集成度高等特点,非常适合我国目前的设计水平和市场应用.但是这种特殊制程的工艺稳定性和兼容性相对较差,最突出的问题就是前段的漏电流较大;同时该制程对晶圆边缘区域与中央区域的线宽一致性提出了更高的要求.介绍了一种通过改进窄沟道氧化物隔离层的制造工艺方法,来降低漏电流,并通过调整晶圆的曝光方式来提高晶圆边缘区域的良率.     

0.5μm SOI CMOS器件和电路

研究了0.5μm SOI CMOS器件和电路,开发出成套的0.5μm SOI CMOS工艺.经过工艺投片,获得了性能良好的器件和电路,其中当工作电压为3V时,0.5μm 101级环振单级延迟为42ps.同时,对部分耗尽SOI器件特性,如“浮体”效应、“kink”效应和反常亚阈值特性进行了讨论.