元器件与组件

正低电容型瞬态抑制二极管阵列低电容型SP3014系列瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管)可为可能经历破坏性静电放电(ESD)的电子设备提供保护。SP3014系列集成了两个通道的低电容控向二极管与齐纳二极管,可安全地吸收超过IEC61000-4-2国际标准中最高等级的反复ESD震击而性能不会下     

Littelfuse新增低电容型SP3014系列SPA二极管阵列

正Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,日前发布了低电容型SP3014系列瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管),为可能经历破坏性静电放电(ESD)的电子设备提供保护。SP3014系列集成了两个通道的低电容控向二极管与齐纳二极管,可安全地吸收超过IEC61000-4-2国际标准中最高等级的反复ESD震击而性能不会下降。相比类似硅解决方案,SP3014系列可将箝位电压降低50%以上,从而保护     

Littelfuse推出新型瞬态抑制二极管阵列

正Littelfuse公司日前宣布推出SPHV(单向)和SPHV-C(双向)系列200W分立瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管);相比早期技术,这两个产品系列能够更好地保护敏感设备免遭静电放电(ESD)和其它过压瞬变造成的损坏。SPHV和SPHV-C系列可安全吸收超出IEC61000-4-2国际标准中最高值的反复性ESD震击,而不会引起性能下降,并能以非常低的箝位电压耗散高达8A的感应浪涌电流。由于采用SOD882封装,非常适合替代汽车电子产品、LED照明     

安森美推出静电放电保护二极管ESD5Z

安森美半导体（ON Semiconductor）日前推出全新高性能、微型封装的静电放电(ESD)保护二极管系列ESD5Z器件，专为便携式产品和电池供电应用中电压敏感元件提供单线保护而设计。     

Littelfuse公司推出低电容型瞬态抑制二极管阵列

正Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,2014年8月其推出了低电容型SP2574NUTG瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管),旨在保护高速差分数据线免受因静电放电(ESD)、电缆放电(CDE)、电气快速瞬变(EFT)和雷击感应浪涌造成的损害。SP2574NUTG来自SP2574N系列瞬态抑制二极管阵列,     

英飞凌发布面向低电压应用的最新防静电二极管

2012年7月16日,英飞凌科技发布了一系列可用于改善静电防护性能的瞬态电压抑制(TVS)二极管。静电放电(ESD)可能对敏感的消费电子系统造成损害。全新±3.3 V双向二极管系列拥有行业领先的箝位电压和静电吸收率,可以防止电尖峰脉冲对系统的音频输入端口或触屏接口电路等部位造成冲     

电子设备中的ESD保护设计

介绍了静电放电(ESD)的工作机理以及静电放电给电子元器件所带来的损伤。通过对比压敏电阻与瞬变电压抑制二极管(TVS管)的特点,给出了如何选择ESD保护器件的一些建议。在分析了TVS管的工作原理及关键参数基础上,对TVS管选型标准进行了简要介绍。针对使用TVS管的保护电路,以IEC61000-4-2最高严酷度级别4的环境对电路中的寄生参数进行了分析,提出了优化ESD保护器件性能及PCB保护电路设计时需要注意的事项。以MAX3490E为例指出了集成片上ESD系统芯片的优点。     

英飞凌电路保护二极管为千兆以太网数据接口提供浪涌和静电保护功能

英飞凌科技股份公司近日发布了一款全新瞬态电压抑制(TVS)二极管,用于保护千兆以太网接口,以防电压浪涌或静电放电(ESD)带来的损害。这款型号为TVS3V3L4U的二极管具备极低的电容,可满足目标应用对于信号完整性的高要求,同时还具备英飞凌应用广泛的保护器件产品系列所共有的强抗打击能力和电压钳位特性。     

具有静电放电保护特性的高阻抗缓冲放大器输入

PH值(酸碱度)和生物电位等特性测量需要高阻抗缓冲放大器。虽然几家半导体制造商提供具有较低偏置电流和偏移输入电流的放大器IC,但把传感器电缆连接到放大器电路可能会遭到ESD(静电放电)损害。图1示出了一种并不令人满意的ESD保护方法。电阻器R1限制了ESD事件的放电电流,二极管D1A和D1B把放大器IC1的输入箝位到它的     

瞬态抑制二极管阵列

Littelfuse为其SP3012系列瞬态抑制二极管阵列（SPA二极管）产品新添两种封装选择。与该系列的其他产品类似,新器件经过优化,可防止外部ESD（静电放电）对高速数据线的敏感型芯片组造成破坏。     

一种多电源域专用数字电路的静电失效分析及提升研究

在静电放电(ESD)能力考核时,一种多电源域专用数字电路在人体模型(HBM)1 700 V时失效。通过HBM测试、激光束电阻异常侦测(OBIRCH)失效分析方法,定位出静电试验后失效位置。根据失效分析结果并结合理论分析,失效是静电二极管的反向静电能力弱所致。利用晶体管替换静电二极管,并对OUT2端口的内部进行静电版图优化设计。改版后,该电路的ESD防护能力达2 500 V以上。该项研究结果对于多电源域专用数字电路的ESD失效分析及能力提升具有参考价值。     

光电器件与显示器

BannerEngineering放电安全型静电遮光板BannerEngineering推出EZ-SCREEN系列机械安全产品,包括可消除静电放电(ESD)的型号。这些ESD安全型光学安全遮光板系统具有镀镍外壳和端盖,并具有耗散式透镜组。ESD安全型遮光板适用于半导体和电子行业的各种安全防护应用中。特性包括:对     

Littelfuse推出ESD保护和共模EMI滤波相结合的瞬态抑制二极管阵列系列

正Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,日前宣布推出了SP5001、SP5002和SP5003系列瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管)。这些高度集成的共模滤波器(CMF)可为使用高速差分串行接口的系统同时提供静电放电(ESD)保护和共模滤波功能。它们可以保护和过滤两个(SP5001和SP5003)或者三个(SP5002)差分线对。上述产品采用符合RoHS规范的TDFN封装和紧凑型设计,与离散型解决方案相比可显著节约成本和空间。这些符合AEC-Q101标准的器件     

无源与分立器件

瑞萨科技小型高ESD容忍度双向齐纳二极管瑞萨科技公司(RenesasTechnology)推出RKZ6.8T系列高ESD容忍度双向齐纳二极管,采用一个单芯片/2引脚封装实现了双向浪涌吸收和噪声限制器功能,可用于电子产品中的LED等器件等的正向和反向浪涌吸收。RKZ6.8TKK和RKZ6.8TKJ分别采用1.0×0.6     

混合信号IC的ESD保护电路设计

从电路设计的角度,介绍了混合信号IC的输入、输出、电源箝位ESD保护电路.在此基础上,构建了一种混合信号IC全芯片ESD保护电路结构.该结构采用二极管正偏放电模式,以实现在较小的寄生电容情况下达到足够的ESD强度;另外,该结构在任意两个pad间均能形成ESD放电通路,同时将不同的电源域进行了隔离.     

安森美半导体超低电容技术扩充ESD保护产品系列

安森美半导体(ON Semiconductor)扩充高性能片外静电放电(ESD)保护产品系列,推出两款业界一流的器件——ESD7L5.0D和NUP4212。这些新产品以安森美半导体专有的集成ESD保护平台设计,提高了钳位电压性能,同时保持低电容和小裸片尺寸。     

2.4GHz低噪声放大器的全芯片ESD保护设计

设计并流片验证了一种0.18μmRFCMOS工艺的2.4GHz低噪声放大器的全芯片静电放电(ESD)保护方案。对于射频(RF)I/O口的ESD防护,主要对比了二极管、可控硅(SCR)以及不同版图的互补型SCR,经流片与测试,发现岛屿状互补型SCR对I/O端口具有很好的ESD防护综合性能。对于电源口的ESD防护,主要研究了不同触发方式的ESD保护结构,结果表明,RCMOS触发SCR结构(RCMOS-SCR)具有良好的ESD鲁棒性和开启速度。基于上述结构的全芯片ESD保护设计,RF I/O口采用岛屿状布局的互补SCR结构的ESD防护设计,该ESD防护电路引入0.16dB的噪声系数和176fF的寄生电容,在人体模型(HBM)下防护能力可达6kV;电源口采用了RCMOS-SCR,实现了5kV HBM的ESD保护能力,该设计方案已经在有关企业得到应用。     

ISL81334／41334：高性能超小封装双协议收发器系列

Intersil公司发布新系列单端口或双端口双协议收发器,在微型节省空间的QFN封装中实现较高的ESD (静电放电)额定值和性价比。新系列包括两个双端口IC ISL81334与lSL41334, 以及SL81387与ISL41387两个单端口器件。在紧凑的微型封装内每个收发器具有15kV(HBM)ESD保护,提     

飞利浦单线双向静电保护二极管

皇家飞利浦电子公司(Philips Electronics)推出系列单线双向静电保护(ESD)二极管，以防止静电和30kV以下的瞬时脉冲电压对MP3播放器和移动电话的损坏。飞利浦新的PESD5V0S1Bx系列包括保护二极管PESD5V0S1BL，具有超微型封装和出色的静电箝位功能。该设备占用极小主板空间，     

元器件与组件

ESD保护二极管和肖特基二极管，优化汽车应用的低压MOSFET，4通道LVDS缓冲器／中继器，小型高电流负载开关系列，新系列家电AC开关