动力源于不断创新——IR公司推出FlipFET^TM功率MOSFET

因拥有六角蜂巢式功率MOSFET技术而居业界领先地位的,著名功率半导体器件供应商国际整流器公司(IR),近日又推出了全新的FlipFET~(TM)功率MOSFET器件,开创了新一代芯片级封装器件结构的新技术。为配合该产品在中国的推出,IR公司于8月8日在北京香格里拉饭店专门举     

国际整流器公司针对锂离子电池保护推出全新功率MOSFETCSCD

全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）近日针对锂离子电池保护应用推出配备IR最新低压MOSFET硅技术的一系列器件,包括IRL6297SD双N通道DirectFET MOSFET。     

IR推出通用有源ORing控制器集成电路

全球电源管理技术领袖国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出采用高性能有源ORing电路的IR5001S通用高速控制器-N沟道功率MOSFET驱动器。     

IR HEXFET MOSFET芯片组将两相DC-DC降压转换器效率提升2％

世界功率管理技术领袖国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出两款新型30VHEXFET功率MOSFET，可将30V／45A两相同步降压转换器MOSFET解决方案的轻负载效率提升2％，用来驱动笔记本电脑及其他高性能计算应用中的Intel和AMD最新型处理器。     

IR推出全新基准MOSFET

IR推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列，适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。     

IR新款超小型PQFN2x2功率MOSFET为低功率应用扩展封装组合

全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）扩展其封装系列，推出新款的PQFN 2mmx2mm封装。新的封装采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技术，为一系列的低功耗应用，包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、笔记本电脑、服务器和网络通讯设备，提供超小型、高密度和高效率的解决方案。     

国际整流器公司（IR）宣布推出200V双智能型二次侧整流器驱动器IC

国际整流器公司（简称IR）扩展其Smart Rectifier IC系列,推出为AC—DC功率转换器设计、适用于高端液晶电视的IR1168。这款200V双智能型二次侧整流器驱动器IC,用于驱动在共振半桥拓扑上作为同步整流器（SR）的两个N通道功率MOSFET。与传统的变流器SR方式相比,IR1168能够基于接近零电流转换的MOSFET漏极感应电压而准确判断启动或关闭,因此剔除了额外组件,简化设计。     

同步整流功率MOSFET特性及研究现状

为了降低开关电源的功率损耗,同步整流技术采用功率MOSFET替代肖特基二极管,实现了更高的整流效率。简要介绍了同步整流技术的原理,并结合原理,深入分析了应用于同步整流的功率MOSFET与常规功率MOSFET在电学特性上的差异。总结了近年来同步整流功率MOSFET领域的研究进展。     

IR针对汽油和柴油发动机压电喷射系统推出优化版车用功率MOSFET产品

国际整流器公司推出具备低导通电阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535车用功率MOSFET,适用于汽油和柴油发动机压电喷射系统。AUIRFR4292和AUIRFS6535采用IR最新一代已被验证的车用功率MOSFET技术,扩展了IR的车用MOSFET产品系列,将击穿电压提高到了300 V。250 V的AUIRFR4292采用DPAK封装,最大导通电阻达345 mΩ,而300 V的AUIRFS6535采用标准D2PAK封装,其最大导通电阻为185 mΩ。     

IR为我们提供无所不在的功率器件

作为功率管理技术方面的领导厂商,国际整流器公司（IR）拥有广泛的产品线和众多的专利技术,公司的全球销售及集团市场执行副总裁Robert Grant先生近日来京向新闻界的朋友介绍了公司的市场战略。他颇为自豪地表示,IR能为汽车、消费电子、计算机/外设、工业、照明、电信和政府/宇航等行业提供关键功率技术,是唯一能为整个功率转换过程设计和制造解决方案的公司,产品包括功率 MOSFET、功率管理IC、IGBT、微电子继电器、输入整流器、肖特基二极管、超快速整流器等,涵盖了功率技术的各个方面。大量的研发投资为技术创新提供了充足动力,让产品工作效率更高、运行温度更低,并提高电力的使用效率。在成功推动功率管理行业发展的同时,为用户和股东创造价值和回报。     

IRFBxxxxPBF：沟道型HEXFET功率MOSFET

IR推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列，适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。     

IR推出优化版车用DirectFET 2功率MOSFET芯片组

IR推出了一款优化版车用DirectFET 2功率MOSFET芯片组,适合内燃机、混合动力和电动车中的DC-DC应用。新型40 V逻辑电平栅极驱动芯片组包含AUIRL7732S2 MOSFET和AUIRL7736M2 MOSFET     

新型X Phase^TM控制集成电路IR3082

IR3082多相控制IC是IR公司新推出的用于以AMD Opteron^TM和Athlon 64^TM为微处理器的服务器和工作站。IR3082的推出拓宽了IR多相IC的X Phase^TM家族，与DirectFETTM功率MOSFET一起，为中端及高端服务器、电压调制模块(VRM)、高电流电信应用提供优化的多相DC—DC功率方案。     

基于GaN的功率技术引发电子转换革命

面对即将发生的技术变革,国际整流器公司（简称IR）研发人员研制出具有创新意义的基于氮化镓（GaN）的功率器件技术平台。该技术保证其性能指数（FOM）可以比现在最先进的硅MOSFET优越10倍以上。这些已商业化的基于GaN的功率器件将带来崭新的解决方案,使市场出现能够提供高密度、高效率且符合成本效益的革命性功率转换技术。     

双智能型二次侧整流器驱动器IC

该IC用于驱动在共振半桥拓扑上作为同步整流器（SR）的两个N通道功率MOSFET。IR1168拥有IR独有的高压IC技术，支持成组方式操作，即使在轻负载下仍可带来效率效益。耐用性和无噪声干扰可通过先进的消隐方案和双脉冲抑制来实现，     

功率MOSFET的研究与进展

器件设计工艺、封装、宽禁带半导体材料和计算机辅助设计4大技术的发展进步使得功率MOSFET的性能指标不断达到新的高度。超级结技术使得高压功率MOSFET的导通电阻大大降低,降低栅极电荷和极间电容的改进沟槽工艺和横向扩散工艺技术进一步提高了低压功率MOSFET的优值因子,中小功率MOSFET继续朝着单片集成智能功率电子发展。功率MOSFET封装呈现出集成模块化、增强散热性和高可靠性的特点。基于宽禁带半导体材料SiC和GaN的功率MOSFET具有高温、高频和低功耗等优异性能,计算机辅助设计工具引领功率MOSFET在工艺设计、制造和电路系统应用方面快速发展。     

IR推出紧凑型PowIRaudio模块

国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出PowIRaudio集成式功率模块系列,适用于高性能家庭影院系统及车用音频放大器。新器件将脉冲宽度调制控制器和两个数字音频功率MOSFET     

低Rds(on)P沟道技术

功率MOSFET常用于便携和无线产品中，其应用包括电池保护、负载管理和DC-DC转换等。对于这些应用，功率MOSFET最重要的特性便是其漏极－源极导通电阻Rds(on)。Rds(on)较小的功率MOSFET能够延长电池寿命，提高功率转化效率。同时，便携产品(如手机以及PDA等)的尺寸也在缩小，因此需要减小功率MOSFET的封装尺寸。近年来，为同时减小Rds(on)和封装尺寸，生产这些功率MOSFET的硅技术有了很大的改进，功率MOSFET是典型的立式器件，漏极位于芯片的底部，源极和栅极位于上部表面。功率MOSFET经两次扩散过程制成，先进行一次体…     

IR推出采用T0-220fullpak封装、坚固可靠的车用功率MOSFET

国际整流器公司（International Rectifier，IR）推出采用坚固耐用TO-220fullpak封装的车用功率MOSFET系列，适合包括无刷直流电机、水泵和冷却系统在内的各类汽车应用。     

基于固体开关器件的“过”驱动技术研究

为了提高功率MOSFET的开关速度,从功率MOSFET的开关机理加以分析,通过用仿真与电路实验相结合的方法,研究出了功率MOSFET栅极的“过”驱动技术,大大加快了功率MOSFET的开关速度。