高功率发光二极管封装及散热研究

高功率发光二极管封装工艺及散热效果直接影响发光二极管的质量。论文首先介绍芯片封装结构的演变过程,并结合LED芯片封装结构的演变介绍目前国际主流白光封装技术,最后简要分析了热管散热和半导体制冷及风冷与热沉散热等几种散热技术。     

新型Ce:YAG陶瓷荧光体封装白光LED的性能

利用真空烧结技术制备了一种可用于白光LED封装的Ce:YAG陶瓷荧光体。用X射线衍射仪、光致发光激发谱、光致发光谱等测试手段对这种陶瓷荧光体进行表征。结果表明:陶瓷荧光体的主相为Y3A l5O12,该荧光体可以很好的被470 nm蓝光激发,发射出550 nm的黄光。该陶瓷荧光体封装蓝光芯片所得的白光LED器件在110℃的高温下老化600小时,光衰只有10%,色坐标无变化,证明其寿命及稳定性远远好于采用传统方式封装的白光LED。研究结果表明,该Ce:YAG陶瓷荧光体是一种非常适合大功率白光LED封装的荧光材料。     

先进的扇出晶圆级封装进展

扇出WLP是在晶圆一级加工的埋置型封装,也是一个I/O数量大,集成灵活性高的主要先进封装工艺。而且,它能在一个封装内实现垂直和水平方向多芯片集成且不用衬底。这样,扇出WLP技术目前正在发展成为下一代封装技术,如多芯片、低剖面封装和3D SiP。扇出WLP不仅用于电子封装,而且用于传感器、功率IC和LED封装。本文报导作为先进封装解决方案的下一代扇出WLP的进展情况。     

RGB全彩LED封装工艺常见异常状况的分析

随着科技的发展,LED产业取得了长足的进步,其应用领域和范围不断的扩大,同时对LED的封装技术也提出了更高的要求。本文从RGB全彩LED光源工艺入手,分别从固晶、焊线不良引起的电失效,点胶不良引起的光失效,以及由于材料热膨胀、湿气等引起的机械失效三方面,系统的介绍了RGB全彩LED封装生产过程中经常遇到的异常。     

电子封装材料的研究进展

在当今信息时代，随着便携式计算机、移动通信以及军事电子技术的迅速发展，对集成电路（IC）的需求量急剧攀升，微电子封装技术也迎来了它的高速发展期。微电子封装技术经历了双列直插式封装（DIP）、周边有引线的表面安装式封装和面阵式封装三个发展阶段。在新世纪中，以IC产业为代表的微电子工业的发展，为电子封装行业创造了无限的发展机遇。     

MEMS封装技术

MEMS封装是在微电子封装技术基础上发展起来的一项关键的MEMS技术.首先提出了MEMS封装设计的一些基本要求,包括封装等级、封装成本、环境影响、接口问题、外壳设计以及热设计等方面.在此基础上,介绍了键合技术、倒装芯片技术、多芯片封装以及3D封装等几种重要的MEMS封装技术,并给出了一个封装实例.最后进一步探讨了MEMS封装的发展趋势及研究动向.     

平面涂层的白光LED封装技术

基于自曝光的平面涂层白光LED封装工艺,该方法是采用聚乙烯醇与重铬酸铵的水溶性感光胶,通过采用自身蓝光芯片曝光得到自适应平面,最后运用等离子体去胶技术得到只剩下荧光粉层的平面涂层.通过采用九点法测试不同封装结构的白光LED的光斑均匀性、光谱色度以及光效.实验结果表明,自曝光的平面涂层工艺制备的白光LED,其颜色的均匀性要明显优于传统的点胶工艺和喷涂的平面工艺,其制得的白光LED的光效也不比这两种工艺差.     

GaN基LED电流加速失效机理分析

自行封装了一体化大功率白光GaN基发光二极管(LED),将LED芯片直接封装到铝板上。在室温1A下进行电流加速老化实验,通过对老化前后不同时间段器件的电学、光通量和光谱特性进行测量来分析器件的失效机理,主要分析器件的芯片和荧光粉的失效机理。器件老化前后的电学特性表明,老化过程中,器件的串联电阻和低正向偏压下的热电子发射电流增大;光通量曲线表明,LED所加驱动电压低时,多数载流子的迁移率低,复合效率高,所以在低电流测试下LED的衰减慢;光谱曲线和色温曲线表明,在老化初始阶段,荧光粉的退化很快,一段时间后蓝光芯片衰减占主导。     

直插式红光LED的封装工艺简介

本文以直插式红光LED的封装为例,通俗的描述了LED的封装工艺流程。尤其对其中主要的固晶、焊线和灌胶工序分别从工序目的,重点及操作注意事项进行了表述。     

LED封装用新型导电银胶

介绍了导电银胶的典型体系、导电机理;重点阐述了LED封装用高可靠导电银胶的主要性能指标、测试技术和发展趋势。     

有研稀土推出COB专用超高亮度荧光粉

随着白光LED的COB封装技术不断完善,不管是国际LED巨头公司,还是中国大陆、台湾等众多LED封装公司都对这项技术有所涉及,且发展势头良好。为更好的匹配COB技术的快速发展,有研稀土新材料股份有限公司（简称“有研稀土”）在持续大力研发LED荧光粉的基础上,     

美制造出255nm紫外发光二极管

美国科学家成功制造出波长255nm，功率0.57W以及波长250nm，功率0.16W的紫外发光二极管（LED），该组件目前尚未封装，该研究小组希望藉由覆晶接合能接功率等级提高3-5倍。此波段的极深紫外光（UDUV）光源未来可能取代水银灯泡，     

Lumileds功率白光LED取得突破

菲力浦Lumileds研制成功创记录的白光LED芯片，这是由于他们在外延、封装、器件物理和磷光体这几方面都有所突破。[第一段]     

集成电路用金属铜基引线框架和电子封装材料研究进展

针对集成电路向高密度、小型化、多功能化发展，介绍了国内外传统的和以铜为基复合新型的引线框架和电子封装材料的性能、研究、生产现状以及存在的问题，同时展望了铜合金及其复合的引线框架和电子封装材料的发展趋势。     

国内外白光LED封装胶发展现状分析

<正>近年来,在全球节能减排的大趋势下,白光发光二极管(LED)照明基于半导体封装技术和材料的发展呈现了快速增长的势头。与传统光源相比,LED照明具有寿命长、体积小、节能、高效、响应速度快、抗震、无污染等优点,被称为第4代照明光源或绿色光源。2014年诺贝尔物理学奖就颁给了因发明"高亮度蓝色发光二极管"的赤崎勇、天野浩和中村修二等3位科学家,是对原创技术的肯定,也是对照明市场发展方向的肯定。正是在市     

LED封装材料的研究进展

发光二极管是一类可直接将电能转化为可见光和热等辐射能的发光器件。随着亮度和功率的不断提高,封装材料成为制约LED进入照明领域的关键技术之一。针对LED对封装材料的性能要求,综述了LED封装材料种类、特点及发展现状,并重点介绍了环氧和有机硅材料的应用研究进展。     

封装有机硅材料在LED电子器件中的应用进展

主要从有机硅改性环氧树脂材料、有机硅树脂封装材料和改性有机硅封装材料三个方面综述了近几年有机硅材料在LED封装中的应用及其进展.对LED电子器件的高透光率、高折光率、高导热率、耐黄变等方面与有机硅材料化学结构进行对比分析,总结其优缺点,提出有机硅材料在LED封装应用中出现了折射率低、粘度低等问题,解决这些问题可能是今后这一课题的研究重点.     

整合资源“智造”LED中国“芯”

<正>近10年来,我国LED产业发展迅猛,2011年实现产值1560亿元。但是,产值的繁荣难掩持续发展的窘境:主要产值集中在低端应用上,附加值高、技术含量高的上游核心技术仍然被日本、美国所垄断;国产外延芯片等上游产品产值仅占4%,采用倒装共晶焊技术的LED产品则更是一片空白。晶科电子就是要填补这个空白,力争为LED中国"芯"的"智造"作出自己的贡献。晶科电子是香港微晶先进光电科技有限公司与大陆投资伙伴于2006年在广州南沙科技园成立的一家合资企业。与珠三角密集的下游封装企业不同,晶科电子从一开始就从中上游环节切入、要做LED的中国     

铜基引线框架材料的研究与发展

引线框架材料是半导体元器件和集成电路封装的主要材料之一，其主要功能为电路连接、散热、机械支撑等。随着IC向高密度、小型化、大功率、低成本方向发展，集成电路I/O数目增多、引脚间距减小，对引线框架材料提出了高强度、高导电、高导热等多方面性能上的要求。由于拥有良好的导电导热性能，铜合金已成为主要的引线框架材料。本文对电子封装铜合金引线框架材料的性能要求、国内外研究与发展等进行了综述。     

【INTER NEPCON】LED用封装材料纷纷展出

在“第11届半导体封装技术展”（1月20～22日与第39届INTER NEPCON JAPAN同时举行）上,松下电工、可乐丽以及京瓷化学等相继参考展出了LED用封装材料。LED市场由于LED照明产品和液晶面板背照灯等而迅速扩大。尤其在LED照明产品中,提高LED亮度已经成为技术开发的着力点之一。由此出现高散热性和高反射率的LED底板材料以及高投射率的封装材料等需求,材料厂商相继展出反应出加速应对的姿态。