半导体信息功能材料与器件的研究新进展

首先简要地介绍了作为现代信息社会基础的半导体材料和器件极其重要的地位,进而回顾了近年来半导体光电信息功能材料,包括半导体微电子、光电子材料,宽带隙半导体材料,自旋电子材料和有机光电子材料等的研究进展,最后对半导体信息功能材料的发展趋势做了评述。     

锗-重要的半导体材料

<正>金属元素锗(Ge),是德国化学家文克勒尔在1886年用光谱分析法首先发现的。由于科学技术水平的限制,人们长期不知道这种又脆又硬的浅灰色金属究竟有什么作用。40多年以后,人们才发现锗具有优异的半导体性能,可以用来制造晶体管,代替电子管使用。从此,锗开始进入电子工业及其他行业,发挥自己的作用。     

致冷致热半导体在功能材料测试环境中的应用

介绍采用了模糊逻辑控制原理的温度控制器，这种温度控制器使用小功率半导体器件，并给出如何用半导体器件去实现功能材料测试所需要的环境。     

压水堆核电站常规岛管道材料制造质量的控制

压水堆核电站中存在着大量以输送介质或传热为目的的管道系统,对各功能系统的承压边界以及整个电站的安全性有重要影响.主要探讨压水堆核电站常规岛主要管道材料的制造,引入风险分析,探讨影响管道质量的主要因素,并提出管道材料制造过程中的质量控制因素,以指导管道材料的制造监督.     

加工陶瓷和半导体材料的新型激光金刚石刀具

西密歇根大学的制造工程教授John Patten博士开发了一种称为“μ-LAM”的微激光辅助加工技术,该方法将激光与金刚石刀具结合起来,对硅半导体和陶瓷材料进行加热软化和切削加工。     

汽车铸铁件质量控制

对我国汽车行业的发展与铸件应用状况进行了分析阐述,结合对汽车铸件的要求和一汽铸造有限公司的汽车铸件生产实例对汽车铸件质量控制方法进行探讨.     

半导体激光器的输出功率控制及输出光信号调制

运用自动控制理论，结合实际的控制系统，介绍了半导体激光器输出功率的稳定控制以及如何在要求输出功率稳定的条件下，对输出光信号进行调制，从而为实际应用半导体激光器中面临的功率稳定性问题，提供了一种行之有效的解决办法。     

东山再起的半导体锗

<正> 众所周知,世界第一个晶体管是用锗作成的,随后半导体锗就成为生产晶体管的主要原料。到了60年代中期,硅的晶体管产量超过了锗晶体管,随着集成电路的发展,锗在电子器件中的应用每况愈下,到了80年代中期,用于电子器件中的锗只占锗金属总产量(80～90t/a)的5％以下。在应用中占主要地位的是锗的光学应用(红外窗口与透镜、光纤、锗玻璃)及以化合     

小方坯的质量缺陷和控制

连铸坯质量不仅制约连续生产也影响着最终产品质量。本文就山西新临钢公司炼钢厂三机三流１２０＊１２ｍｍ＾２方坯连铸生产实践中遇到的几个影响产品的缺陷作了讨论，并提出上连铸坯缺陷的办法和改善措施。     

半导体衬底晶体材料生长真空系统

用于高产地形成及分析一组材料涂层的系统和方法．．这些方法包括有选择地将多种材料中至少一种传送到具有多个预定区域的基板表面，以便在每个区域上形成预定涂层。在材料的选择传送中，多种材料中的每一种设置可同时传送到基板上。系统包括基板，基板包括具有多个预定区域的表面，其提供了对基板进行涂覆的多种材料。设置了涉及多种材料的传送装置，以便将多种材料中的每一种同时传送到基板表面。此外，控制器用来控制传送装置有选择地传送多种材料，使基板的每个预定区域均具有预定的涂层。     

GaSb半导体材料表面的化学蚀刻研究进展

提高GaSb材料表面的湿法化学蚀刻速率以及调控蚀刻后GaSb材料的表面形貌,对增强锑化物激光器器件的性能具有重要意义。总结了各种蚀刻体系蚀刻GaSb材料的速率和蚀刻后的表面形貌,及近年来关于GaSb半导体材料化学蚀刻的最新研究进展,关注的体系包括无机酸蚀刻体系、有机酸蚀刻体系、混酸蚀刻体系及其他蚀刻体系,对各蚀刻体系的蚀刻速率及蚀刻后的表面形貌进行对比,指出了各蚀刻体系优点与不足及后续的研究方向,归纳总结各了蚀刻体系中主要组成的作用。综述发现,可用于GaSb化学蚀刻液中的氧化剂主要有H_2O_2、HNO_3、I_2、Br_2、KMnO_4,络合剂(或溶解剂)主要有酒石酸、HF、HCl、柠檬酸等,缓冲剂(或稀释剂)主要有HAc和H_2O等。盐酸、双氧水和无机酸组成蚀刻液的蚀刻速率适中,蚀刻表面较为光滑;硝酸、氢氟酸组成的蚀刻液具有蚀刻速率快的优点,可通过添加有机酸或缓冲剂改善蚀刻效果,具有很大的发展前景;磷酸体系则具有蚀刻后台面平整、下切效应小等优点,但蚀刻速率较慢,蚀刻后表面较粗糙;硫酸体系蚀刻后表面较粗糙,不适于GaSb的湿法蚀刻;单一的有机酸和碱性体系的蚀刻速率较慢,但由于具有很强的蚀刻选择性,被广泛应用于GaSb基材料的选择性蚀刻。总体来说,无机酸和有机酸组成的蚀刻体系更有利于提高Ga Sb材料的蚀刻速率及控制表面形貌,各蚀刻体系均存在蚀刻速率可调性不强、蚀刻形貌质量不可控、蚀刻可重复性较差等问题。基于此,总结了改进湿法化学蚀刻GaSb材料的多种研究思路,并对GaSb材料湿法蚀刻的未来发展方向进行展望。