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采用ANSYS有限元分析软件对平面栅型场致发射显示器(FED)的阴极表面电场进行了模拟分析。通过研究栅极宽度、阴栅间隙及阴极宽度对阴极表面电场分布的影响.结果表明平面栅型FED为边缘发射型器件,阴极宽度的改变对阴极表面电场整体影响明显.而阴栅间隙是影响阴极边缘电场分布的主要因素。 相似文献
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传统的前栅极场致发射显示板由于介质层和栅极的制作在生成或制作阴极场致发射源之后,在制造过程中容易破坏场致发射源;另外阴极发射对介质层厚度、阳极电压和调制极开口等参数非常敏感,所以器件的发射均匀性难以保证。为了解决这些问题,引入了类似HOP玻璃的结构。阴极上只需要丝印碳纳米管,无需制作介质层和栅极,解决了场致发射源被破坏的问题。阴极与栅极之间真空取代了介质层,由于真空的绝缘性能高于介质层,所以阴极与栅极之间的距离可以减小,栅极的调制效果更显著。由于玻璃的平整度高于一般方法制作的介质层的平整度,所以器件的发射均匀性比较好。 相似文献
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应用云母板作为栅极基底,结合常规的丝网印刷工艺,制作了改进的栅极结构。采用钙钠平板玻璃作为封装面板,利用碳纳米管作为冷阴极材料,研制了三极结构的单色场致发射显示器件。栅极基底的优良绝缘性能确保了其不易被强电场强度所击穿;改进的栅极层则能够进一步缩短栅极-阴极之间的有效距离,有利于降低栅极的工作电压。该显示器件具有高的显示亮度,良好的栅控能力以及场致发射特性。 相似文献
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本文利用离子束辅助沉积方法在钼栅极的表面镀上一层碳膜,采用模拟二极管的方法测量阴极活性物质Ba、BaO蒸发沉积在镀碳钼栅与纯钼栅表面后的电子发射性能。测量结果表明,镀碳钼栅的电微量显著减少,依据XPS、电子探针对钼栅极表面阴极发射物的分析结果,初步探讨了离子束辅助沉积碳膜抑制栅电子发射的机制。 相似文献
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本文利用广泛使用的PIC粒子模拟软件MAGIC模拟了楔型场致发射真空微电子三极管的一个单元的特性,该单元由一个楔型场致发射体,栅极和阳极组成。研究了栅极电压,阳极电压和发射体顶点半径等对发射电流的影响。给出了一个典型的楔型场致发射真空微电子三极管,当其阳极电压为500V,阳极与阴极相距4μm时的电子轨迹图。模拟结果表明场致发射的栅极开启电压为250V。并得到了三极管高频工作时动力学特性。 相似文献
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新型三极碳纳米管场发射器件的研究 总被引:9,自引:4,他引:5
采用催化剂高温分解方法制备了碳纳米管薄膜阴极。利用优质云母板作为绝缘材料.结合简单的丝网印刷工艺制作了新型的栅极结构。详细地给出了新型三极碳纳米管场发射器件的制作工艺.对场致发射的机理进行了初步的讨论。采用这种新型的栅极结构.不仅极大地降低了总体器件成本.同时避免了碳纳米管薄膜阴极的损伤.提高了器件的制作成功率。所制作的三极结构平板场发射器件具有良好的场致发射特性和栅极控制能力。 相似文献
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针对后栅型场致发射显示器(FED)器件介质层制作困难的问题,提出采用刻蚀型介质制作后栅型FED器件.该器件采用普通银浆制作栅极电极,以刻蚀型介质制作介质层,采用感光银浆制作阴极电极,并作为介质刻蚀的掩膜层,CNT为阴极发射材料.器件耐压测试结果表明该介质层耐压性能良好,场发射测试结果表明该器件场发射性能优良. 相似文献
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薄膜型平栅极FED背光源的制备及性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用磁控溅射和光刻技术在玻璃基底上制备薄膜型平栅极场发射阴极阵列,采用电泳工艺将碳纳米管(CNTs)发射材料转移到薄膜型平栅结构的阴极电极表面,借助光学显微镜和扫描电镜观测薄膜型平栅极场发射阴极阵列。利用Ansys软件模拟阴栅间距对阴极表面电场分布的影响,优化其结构参数,对其场发射特性进行了讨论。实验结果表明,CNTs能均匀地分散在平栅型结构的阴极表面,当电场强度为2.4 V/μm时,器件发射电流密度达到1.8 mA/cm2,亮度达3 000cd/m2,均匀性为90%,能稳定发射28 h,且具有较好的栅控作用。该薄膜型平栅极背光源技术简单、成本低,为将来制备新一代大面积场发射背光源提供了可行性方案。 相似文献
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本文利用广泛使用的PIC(particle-in-cell)粒子模拟软件MAGIC模拟了楔型场致发射真空微电子三极管的一个单元的特性。该单元由一个模型场致发射体、栅极和阳极组成。研究了栅极电压、阳极电压和发射体顶点半径等对发射电流的影响。给出了一个典型的楔型场致发射真空微电子三极管,当其阳极电压为500V,阳极与阴极相距4μm时的电子轨迹图。模拟结果表明场致发射的阳极开启电压为250V。并得到了三极管高频工作时动力学特性。 相似文献
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IGBT器件具有输入阻抗高和导通压降低的优点,在大功率电力电子领域具有广泛的应用,但IGBT器件的栅极漏电问题严重影响产品的成品率和可靠性,是产品制造工艺控制的关键。栅极漏电问题主要由栅氧化层质量、多晶硅栅形貌以及栅极与发射极之间的隔离等问题所致,通常造成栅极短路漏电的原因比较容易发现,但栅极轻微漏电的原因比较复杂,需要通过科学的分析,才能找到问题的根源。通过对典型栅极漏电(栅极间呈现二极管特性)问题的调查,总结了解决问题的思路和方法,对IGBT芯片制造者或器件应用者有一定的参考作用。 相似文献