共查询到20条相似文献,搜索用时 46 毫秒
1.
离子注入加工番茄和茄子种子的生物学效应 总被引:9,自引:0,他引:9
用6种不同注量的低能氮离子(N+)注入加工番茄87-5种子,出苗率有所降低,但M1代平均单株座果数增加,早熟20d。M2代仍表现出早熟、抗病和较强的生长势。根据两年的试验结果,从加工番茄的早熟性、抗病性、丰产性和品质因素等方面综合分析,采用6×1016cm-2(60次脉冲)的N+注入加工番茄87-5种子,可获得显著的当代生物效应和第二代生物效应。在低能N+注入五叶茄种子的M1代中出现了多纵沟的变异果,形如去皮的柚子,单收此果种子进行种植,在M2代分离的果形中,出现了同时具备抗病、紫红、脐小、果大等优良性状的变异果,最大单果重1.53kg,为育种提供了珍贵材料。 相似文献
2.
3.
4.
电子束辐照处理烟道气:CO对脱出NOx和SO2的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
一、引言用电子束辐照来脱出烟道气中NO_x和SO_2的思想是1971年由日本原子能研究所和日本荏原公司共同提出并进行研究的。1974年荏原公司建立了处理燃烧重油所产生的烟道气的第一座中试厂。在这座中试厂的实验基础上又在日本钢铁公司建立了更大规模的中试厂 相似文献
5.
6.
用3H-TdR(氚标记的胸腺嘧啶脱氧核苷)掺入法结合DNA合成抑制剂处理,研究了纳秒级强脉冲电子束和Ar+离子束诱导的烟草种子的DNA损伤修复合成。受辐照种子在萌发的28~44h较正常种子有较多的3H-TdR的掺入,在萌发早期(60h内)出现了两个DNA合成峰,而正常种子仅有一个。受辐照种子内的第一个DNA合成峰受到DNA修复抑制剂咖啡因的强烈抑制,而第二个DNA合成峰受到DNA复制抑制剂羟基脲的强烈抑制。说明纳秒强脉冲电子束和Ar+离子束诱发了烟草种子DNA的损伤和修复。烟草种子的DNA修复合成开始于种子萌发的第28h,36h或40h达到高峰,较DNA复制高峰早12h或16h。本文还对DNA合成抑制剂的作用进行了讨论。 相似文献
7.
8.
9.
10.
11.
低能重离子束注入小麦种子诱导根尖细胞有丝分裂畸变的研究 总被引:16,自引:0,他引:16
比较研究了低能重离子束注入小麦干种子和萌动的种子对种子发芽及根尖细胞有丝分裂畸变的影响。结果表明,离子注入对萌动的种子的发芽有明显的影响,而对干种子的发芽影响不明显。在一定剂量范围内(0-6×1016/cm2),N+注入诱导的萌动种子的有丝分裂畸变率略高于干种子,并且随辐射剂量的升高而升高;但超过一定的剂量(>6×1016/cm2),无论是干种子还是萌动种子的有丝分裂畸变率达到一定程度的饱和。就实验结果对N+离子束注入诱变的机理进行了一些探讨。 相似文献
12.
13.
14.
15.
叙述了在复旦大学加速器实验室30keV同位素分离器上建立的一套离子注入装置。在该装置上已获得几十微安的Y、Ce、Ho、Sm、Nd、La、Yb等稀土离子束流。被离子注入的面积为φ20mm,表面均匀性好于3%,并对Y离子注入不锈钢以改善其抗腐蚀性能进行了初步研究。 相似文献
16.
铬,钽离子束表面冶金合金的抗腐蚀机制 总被引:2,自引:0,他引:2
根据离子束表面冶金的特点,从合金成分、结构、缺陷、元素性质以及表面污染等方面系统地讨论了Cr、Ta元素加入对金属腐蚀行为的影响。在此基础上,提出它们抑制腐蚀的综合模式,较好地解释了这类表面合金抗腐蚀的机制。 相似文献
17.
Penetration depth and concentrationdistribution for implanted heavy ions with low energies in plant seeds bySEM and EDS 总被引:1,自引:0,他引:1
WANGXin-Fu LIYong-Liang 《核技术(英文版)》2001,12(1):26-31
The penetration depth and concentration distribution of implanted ions have been studied for low energy heavy ions implanted in the dry seeds of plant,such as peanut,mung bean,sunflower,wheat and radish seeds,etc.by SEM EDS.The results show that the maximum penetration depth is about 12μm for V^ with an energy 200keV implanted in cotyledon of the peanut,18μm,15μm,20μm for V^2 with 90keV implanted in sunflower,wheat,radish seeds,respectively.The penetration depth of implanted Cu^2 with 80keV is about 90μm in the remainder funicle derivative of the mung bean seeds.The experimental result of the maximum penetration depth of implanted V^ in the peanut seeds was compared with the calculated value of the TRIM95. 相似文献
18.
D. Sanyal Mahuya Chakrabarti Vaishali Naik Tapatee Kundu Roy Debasis Bhowmick Siddhartha Dechoudhury Arup Bandyopadhyay Alok Chakrabarti 《Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms》2009,267(10):1783-1786
Room temperature ferromagnetic ordering has been observed in ZnO by implanting 1.63 MeV 56Fe6+ ions. The total number of implanted Fe ions in ZnO is 1 × 1016, which is effectively 1 at.% doping of Fe in ZnO. The amount of saturation magnetic moment in Fe implanted ZnO, annealed to 500 °C, has been found to be two orders of magnitude more than that observed earlier in chemically prepared Zn0.98Mn0.02O and Zn0.96Mn0.02Fe0.02O samples. 相似文献
19.
20.
1IntroductionIoniradiationasanewmutagenicsourcehasbeen,forrecentyears,appliedtothemutagenicbreedingofrice,coton,barley,ray,ma... 相似文献