用DLTS法研究高镉组份碲镉汞的深能级

用深能级瞬态谱(DLTS)研究用于制备1.3～1.55μm光纤通信探测器的高镉碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe,x>0.5)混晶的深能级。观察到了一个位于禁带中央的深能级以及几个在实验器件制备过程中引入的深能级。研究表明,电容瞬态过程是非指数形式的。基于合金无序导致能级展宽,对实验曲线作了拟合,推导出禁带中央能级的展宽度。     

用迁移率和载流子浓度研究碲镉汞中的深能级

获得了一种研究碲镉汞深能级的方法。通过分析迁移率 载子浓度与温度的关系，可以得到关于深能级的重要依据。     

碲镉汞深能级载流子弛豫时间的皮秒泵浦-探测研究

采用皮秒泵浦-探测方法研究了碲镉汞材料中非平衡载流子动力学过程,发现其差分透射强度在经过饱和之后出现一个负的极小值,归结为深能级的再吸收过程.采用速率方程模型,并引入两个深能级弛豫时间常数,很好地拟合了差分透射强度的延时曲线.两个深能级弛豫时间常数的存在意味着同时存在两种不同类型的深能级,揭示了碲镉汞材料中深能级特性的...     

用能量色散法分析碲镉汞

引言Hg_(1-x)Cd_xTe的光谱响应主要取决于x值,即CdTe的摩尔份数。禁带宽度随x的变化为0.026eV/1％。沿晶片横向x值的偏差会使器件性能恶化,因此组份监测必须能区分出x值的很小差别,并且要有高的横向分辨率。器件制造商要求晶片截面上x值的偏差应小于0.004。凝固机理会造成大的x值偏差。NASA准备在失重条件下试验生长碲镉汞而进行的定向凝固研究表明,需要提供组份数据,以便了解对轴向和径向x值不均匀性带来的影响。因此致力于研究一种有用的技术。已经有好几种独特的技术被用于测定x     

用碲作熔剂生长碲镉汞晶体

本文报告了碲镉汞晶体的生长方法,并对我们做的六种生长工艺作了比较。着重介绍用Te作熔剂生长高质量组分均匀Hg_(1-x)Cd_xTe晶体的实验工艺,以及对所得结果进行分析讨论。所得晶锭中段组分比较均匀,且与预定值相近。单晶经切片退火后,在77K时电子浓度可达到3×10~(4)(厘米~(-3)),迁移率可达10~5厘米~2伏~(-1)秒~(-1),用这样的晶体制成的光导、光伏器件D_(bb~*均可达到6×10~9厘米·赫~(1/2)瓦~(-1)。光伏器件不需要加偏压。响应率较大,可达10~3伏·瓦~(-1)。     

用阳极氧化法钝化碲镉汞半导体表面

光电导半导体材料基体在电解液中用电解方法阳极氧化,如在含0.1克分子浓度的氢氧化钾,90％的乙二醇,10％的去离子水的电解液中,可形成阳极氧化物表面,使表面态密度保持稳定,以防止空穴电子对在扫出过程中复合。这样,能制成高温下长期稳定的红外探测器。     

航空遥感用碲镉汞光导探测器的研究

介绍几种航空遥感用碲镉汞光导红外探测器的基本设计原理、结构及性能.     

离子注入碲镉汞

本文概述了离子注入碲镉汞的主要工作,较详细地论述了该工作的近期进展,对离子注入碲镉汞的光电性能,以及在红外探测器制造方面所取得的成就进行了综述。最后评述了国内的有关工作,并对今后的发展提出了建议。     

长波碲镉汞薄膜外延用碲锌镉衬底筛选方法研究

主要报道了用于提高液相外延(Liquid Phase Epitaxy, LPE)长波碲镉汞薄膜质量的碲锌镉衬底筛选方法研究。通过对碲锌镉衬底的锌组分、红外透过率、沉淀/夹杂、位错密度、X射线形貌像和X射线衍射半峰宽等参数进行全面测试以及对外延后碲镉汞薄膜的X射线形貌像和X射线衍射半峰宽进行测试评估,发现目前X射线形貌像和锌组分是影响LPE长波碲镉汞薄膜用碲锌镉衬底的重要参数。结果表明,锌组分处于4.2%～4.8%之间、形貌像衍射强度高且均匀性好是长波碲镉汞薄膜外延用衬底的理想选择。     

碲溶剂法生长碲镉汞晶体的特点

本文扼要叙述碲溶剂法生长高质量、组分均匀的碲镉汞晶体的工艺;着重说明本法具有:降低长晶温度,减少爆炸;拉平长晶时的固-液界面,改善晶体径向均匀性和区域提纯而提高晶体本身纯度的作用。本法所生长的晶体结构较完整,晶体中段组分较均匀,晶体中段经一次退火后,在77 K下,电子浓度可达3×10~(14)厘米~(-3),其迁移率可达2×10~5厘米~2·伏~(-1)·秒~(-1)。用这种晶体可制成有较好性能的光导和光伏型红外探测器。     

碲镉汞探测器

美国Honeywell公司继续研制碲镉汞探测器以扩大它们的能力和系统应用。已证明长波长红外光电导碲镉汞探测器多元阵列     

碲镉汞CCD

在最近举行的国际电子器件会议上,有几家公司透露在红外传感器方面获得重大的技术进展。得克萨斯仪器公司报告它们成功地用碲镉汞制得CCD。这种材料也来用制造红外前视装置的红外探测器。这样,各元件的扫描及输出信号的积分就可在器件的镶嵌     

碲镉汞材料提纯研究

杂质是影响碲镉汞器件性能的重要因素之一.对于碲锌镉衬底晶体和窄禁带碲镉汞材料来说,杂质的影响更加显著.主要论述了碲镉汞材料中常见的杂质类型以及杂质在材料中的作用,并分析了影响器件性能的主要杂质.采用辉光放电质谱法(Glow Discharge Mass Spectrometry,GDMS)测试了材料中的杂质含量,同时通...     

碲镉汞的热处理

碲镉汞晶体的化学计量比和自由载流子浓度是通过热处理来调整的。即是在组分的蒸汽下,从接近固化温度时慢慢冷却到室温。碲镉汞保持在石英管的低温处,它可以在短时间内使p型材料变成n型材料。     

碲镉汞的离子注入

在3～5和8～12μm 波段,碲镉汞(MCT)已成为红外探测和热成象的最重要的半导体材料。目前,高质量光电二极管可利用包含离子注入形成 n-p 结的工艺来制作。但是,掺杂机理还说不清楚,因为这种化合物半导体的电学性质,不仅由杂质决定,而且还由“缺陷”及与化学配比的偏离所决定。离子注入 MCT 的主要特征是:在注入的材料中,退火前观察到的是 n~+电学掺杂。“缺陷”似乎是产生这个现象的原因,因为形成这一 n~+层不需要任何进一步退火,同时也不怎么依赖注入条件及注入离子的性质。本文描述了离子注入 MCT 的一般性质。我们将给出观测缺陷所引起的载流子浓度饱和、结迁移和退火材料性质等许多问题。这些问题的回答有助于了解离子注入 MCT 的掺杂机理。看来经过注入杂质,接着进行退火的掺杂也是一个更为复杂的问题,因为它主要与缺陷的退火和化学配比的控制有关。p 型掺杂杂质和 n 型掺杂缺陷之间的竞争,提出了通过离子注入形成 p 型层的可能性问题。     

用X射线研究碲镉汞晶体的缺陷

用x射线劳埃大斑点,以及x射线形貌术法,观察晶体表面结构,近年来已成为检查晶体的完整性和作为晶体选片的一种有效的方法之一。它的特点是照相速度快而且直观,其表面的相衬度与被分析晶片的表面结构,有非常好的对应关系。本文报导,用x射线研究碲镉汞晶体表面在热处理前后,其组织结构的状态变化,碲镉汞晶体生长方向的纵向偏离,小角度晶界的大小,以及碲溶剂法与再结晶法生长的碲镉汞晶体缺陷形态的比较。实验用(111)原子面做为参考面,(440)原子面为衍射面。x射线源为Cuka_1。在Lang相机上摄取形貌像。摄取劳埃大斑点像系用Co的连续谱为x射线源。其样品表面在拍照前,     

碲镉汞离子注入温度研究

作为pn结成型的重要参数,离子注入温度对晶格缺陷和材料扩散的影响较大。在碲镉汞的离子注入过程中,注入温度很大程度上影响着注入区的尺寸与光刻掩膜的形貌。从离子注入工艺的温度控制出发,研究了该工艺中的束流、注入能量、接触面粗糙度等因素;结合器件的I-V曲线,探究了注入温度对碲镉汞红外探测器性能的影响。结果表明,较低的注入束流、冷却温度以及良好的导热面,可以保证实际注入温度低于光刻胶的耐受温度,从而提高工艺过程的成品率。同时,较低的注入温度对于减小暗电流及注入区扩散面积起到了一定的作用,提高了碲镉汞红外探测器光敏元的性能。     

离子束刻蚀碲镉汞的沟槽深宽比改进

高深宽比离子束刻蚀技术是实现碲镉汞红外焦平面探测器的关键工艺技术.国内应用最广泛的双栅考夫曼刻蚀机束散角较大,沟槽深宽比较低.针对Ar离子束刻蚀机,尝试了三种提高深宽比的方法:选择不同的光刻胶做掩模、改变刻蚀角度和使用三栅离子源,并通过扫描电子显微镜(SEM)观察了碲镉汞刻蚀图形的剖面轮廓并计算了深宽比.分析了这些工艺方法对刻蚀图形轮廓的影响,获得了一些有助于获得高深宽比的离子束刻蚀沟槽的实验结果.     

二氧化碳激光用碲镉汞光二极管

一般说长波红外探测器的发展落后于长波红外光源的发展。特别是在8～14微米大气窗,极好的激光产生后,合适的探测器的设计并未跟上。例如,最近发展的二氧化碳波导激光,在激光发射机的尺寸、轻便性和可能的应用方面都是引人注目的突破。这样的二氧化碳激光已经使人们看出它在激光雷达、数据通讯、污染探测、红外前视系统和工业等方面的应用正在增长。为激光的应用,典型的探测器有锗掺铜、锗掺汞和热电。锗掺杂探测器在实验室内论证系统的设计是有用的,但是不能推荐给野     

高压回流法生长碲镉汞晶体

HgCdTe的汞蒸汽压很高,使材料的制备与结晶过程的研究变得十分困难.采用高压回流的工艺生长HgCdTe晶体,可使整个长晶过程在一个开口的石英管内进行,汞的压力可严格地进行控制,从而避兔了闭管工艺所存在的一系列问题。高压回流的工作原理与扩散泵一样,当碲镉汞材料化合时,熔料内的汞元素被蒸发,在炉腔内高压惰性气体与陡峭的