磁敏角位移传感器

<正> 磁敏角位移传感器,是根据强磁性金属薄膜磁敏电阻对磁场方向极为敏感的特性,即磁场方向相对磁敏电阻电流方向发生变化,磁敏电阻的阻值相对应的变化。     

“磁传感器及其应用技术”讲座 第四讲 磁敏电阻传感器(一)

一、概述磁敏电阻(Magnotoresor)是一种基于磁阻效应而制作的电阻体。它在外施磁场的作用下(包括外施磁场的强度及方向的变化)能够改变自身的阻值,是一种新颖的传感元件。它可分为半导体磁敏电阻及强磁性金属薄膜磁敏电阻两大类。半导体磁敏电阻的研制始于60年代初,在这方面联邦德国西门子公司较为权威,继而是日、美、苏、西欧等国。在60年代中期即有商品销售,因其和普通电阻一样,具有两个端子、结构简单、灵敏度高、安装方便等优点,其应用较为普遍。我国电子工业部某所在1974～1976年间,曾组织过半导体磁敏电阻的研制与应用。强磁性金属薄膜磁敏电阻是用强磁性合金材料制成的一种薄膜型的磁敏电阻器件,其作用原理是强磁性体的磁阻效应,它和半导体磁敏电阻不同,除对磁场     

强磁性金属薄膜磁敏电阻的特点与应用

一、前言强磁性金属薄膜磁敏电阻是一种磁敏传感元件.该元件不仅对磁场强度敏感,而且对磁场方向也非常敏感.这种磁敏传感元件具有灵敏度高、温度特性好、坚固耐用、应用范围广等优点.强磁性金属薄膜磁敏电阻,在国际上还是70年代中期刚刚问世的     

“磁传感器及其应用技术”讲座 第五讲 磁敏电阻传感器(二)

上一讲介绍了半导体磁敏电阻及强磁性金属薄膜磁敏电阻的结构、工作原理和特性。本讲将着重介绍这两种器件组成的各类磁传感器的具体应用。一、位移测量 1.半导体磁敏电阻构成的位移传感器利用磁场外磁敏电阻的相对位移所引起磁敏电阻值的变化可精确地检测位移。图1所示的磁变阻器是由磁钢和半导体磁敏电阻构成的一种结构简单的位移传感器。图中所用的半导体磁敏电阻具有带狭缝的匚型结构。并将其固定,磁钢采用等强度的均匀磁钢,当磁钢如图向右移动X时,由于半导体磁敏电阻感受到感应强度增大,其阻值也会相应的增加。此种磁变阻器具有位移传感器的特性,即R(X)/R(l)和X=b/l的关系如图1所示。这     

一种新型流量计的研制

本文介绍了采用ＲＣＭ０１型强磁性金属薄膜磁敏电阻的低压损强耐磨不锈钢椭圆齿轮流量计的结构特点、工作原理和利用运算放大器失调电压调整输出脉冲占空比的检测电路。     

半导体磁敏电阻和传感器

ＩｎＳｂ磁敏电阻元件用磁敏电阻传感器是一种新型的，重要的磁敏元件和传感器。首先，简要介绍了ＩｎＳｂ磁敏电阻元件和磁敏电阻传感器的工作原理，结构，性能等；分别介绍磁敏电阻传感器，磁性墨水文字图形识别传感器，齿轮传感器，磁性编码器，直线位移传感器，齿轮传感器，磁性编码器，直线位移传感器，无接触电位器等工作原理，结构，主要技术性能和应用。     

磁敏角位移传感器

该产品采用世界先进的强磁性金属薄膜磁敏电阻作为传感元件，它和检测器、差动放大器等合成一个整体，不需要附加电路，使用非常方便，并具有分析率高，精度高等优点，可对角度进行高精密计量和检测。     

薄膜磁阻齿轮传感器

齿轮传感器是Ni-Fe合金薄膜磁阻元件的一种重要的应用。本文介绍采用Ni-Fe合金薄膜的磁敏电阻元件制成的齿轮传感器的原理、结构、特点、技术参数和应用。     

低成本的高分辨率磁编码器的研制

高分辨率磁敏电阻式编码器的研制综合了功能材料制备,薄膜技术应用,半导体加工悄磁磁鼓的制备,现代电子技术和传感器设计等多种高新技术。磁敏电阻是对磁通量变化灵敏度非常高的敏感元件,本文讨论了具有磁敏电阻传感器元件和多极磁化磁鼓结构２的讷经增量型磁偏码顺器的研制过程。     

InSb磁阻元件与传感器的进展

InSb磁敏电阻及传感器是磁敏元件与传感器的主要品种之一。对这类元件及传感器的工作原理、结构和性能等分别作了简要介绍。其中有分立型磁敏元件,磁敏无接触电位器、旋转传感器、精密小角度角位移传感器、直线位移传感器、压力传感器和图形识别传感器等。除介绍主要技术性能之外,还简要介绍了它们的应用实例。     

强磁性薄膜磁敏电阻器件及其应用

本文仅就强磁性薄膜磁敏电阻器件的工作原理、基本结构和工艺以及它的典型应用作以介绍。由于该器件具有灵敏度高、体积小、可靠性强、温度特性好、频率特性宽、对使用环境的适应性强以及它与积分线路匹配容易等优点,因此在许多领域中得以应用。     

基于InSb磁敏电阻器的齿轮转速传感器

分析了InSb磁敏电阻器的工作原理和温度特性,讨论了利用偏置磁场作用于半桥磁敏电阻构成齿轮转速传感器的测试原理;针对半导体材料对温度十分敏感的特点,提出了利用浮动零点跟踪技术测试齿轮转速的方法,很好地克服了环境温度及磁场变化对磁敏电阻的影响.实验表明:其响应频率为0.5Hz～12kHz.     

镍钴薄膜磁敏传感器的研究

介绍了一种新型的 三端镍钴薄膜磁敏传感器的设计、制造及工作原理，并给出了该传感器性能指标。     

读者信箱

《自动化仪表》编辑部:贵刊1981年第三期发表拙著"磁敏电阻传感器"一文后,作者曾多次接待有关单位的来访,并收到50余封来函询问,苦于作者工作太忙未能一一答复,请原谅,现愿借贵刊读者信箱答复如下:1.来函、来访给予作者极大鼓舞,在我单位领导的支持下,成立了"强磁性磁敏电阻"试制组,经两年的努力现已经与营口市仪表元件一厂合作试制出这类元     

InSb磁敏传感器及其应用（中）

五、InSb磁敏电阻和传感器及应用 1、InSb磁敏电阻 与霍尔器件不同,InSb磁敏电阻像其它电阻器一样是一种纯电阻性两端元件,所不同的是它的电阻随磁场的变化而变化。根据图2中几何磁阻效应原理制造的InSb磁敏电阻的基本结构和电阻值与磁场的特性曲线如图10所示。 由图10(a)可见,一个长方体InSb材料被5条In短路条(它具有金属性质)分割     

InSb磁敏传感器及其应用（下）

7、InSb磁敏旋转传感器 图14介绍了利用单个InSb磁敏电阻测量与旋转有关的物理量。在本节中介绍的旋转传感器在原理上和图14一样,但在结构上这种传感器是一个将电子线路、InSb磁敏电阻及永磁铁等组装在一起,接上电源和检测仪表便可应用的整体装置。 图33是一种用于柴油汽车上测量发动机转速的InSb磁敏旋转传感器,电路框图如图34所示。这种传感器的特点是耐高温和各种恶劣环境。工作温度范围为-40～+120℃,电源电压为12～32VDC,最大工     

InSb磁敏传感器及其应用（上）

ＩｎＳｂ是一种Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体材料，与其它半导体材料相比，具有较高的电子迁移率。因此，它不但适合制作霍尔器件和传感器，而且适合于制造磁敏电阻和传感器。本文简要介绍了ＩｎＳｂ材料的特点，磁敏感效应，各种霍尔器件、磁敏电阻和传感器的性能、结构、工作原理以及典型的应用。     

强磁性金属薄膜磁敏电阻技术应用

本文概述了强磁性金属薄膜电阻的特性,详细介绍该元件在应用中遇到的问题和解决办法.     

一种非接触型位移传感器的研究

介绍了一种基于磁场测量原理的非接触型直线位移传感器,该位移传感器采用强磁性金属膜磁敏电阻器作为敏感元件,通过测量磁场强度随位移的变化,实现物体位移的非接触测量。详细介绍了传感器的结构、测量原理,并进行了传感器的标定实验。该位移传感器具有结构简单、信噪比高、重复性好、精度高、可实现非接触测量,可广泛应用测量环境恶劣,且要求较高精度和可靠性的场合。     

InSb-In共晶体薄膜磁阻式齿轮转速传感器

介绍一种用锑化铟—铟 (InSb In)共晶体薄膜磁敏电阻 (MR)制成的齿轮转速传感器 (GVS) ,它由磁敏电阻器和信号处理电路两部分构成。磁敏电阻器的噪声约为 95 μV ,磁敏电阻器与齿轮的距离为5mm时 ,输出信号约为 3mV ,信噪比约 30dB ,测量的准确性可与国外同类产品相媲美。