CdGeAs_2晶体的蚀坑形貌观察

采用金相显微镜和扫描电镜观察了垂直布里奇曼法生长的新型红外非线性光学晶体砷锗镉(CdGeAs2)单晶片(101)面蚀坑形貌。选择机械研磨、物理抛光及质量分数为3%溴甲醇在室温下对晶片化学抛光1min左右的工艺,获得了表面平整无划痕的CdGeAs2晶片。报道了一种新的CGA晶体择优腐蚀剂,其组成为HCl∶HNO3∶H2O=1∶1∶1(体积比),室温下腐蚀晶片30s左右后在金相显微镜和扫描电镜下观察到CdGeAs2晶体(101)晶面的腐蚀坑,蚀坑形貌呈取向一致的等腰三角形,边界清晰,具有立体感,并从理论上分析讨论了(101)面三角形蚀坑的形成原因。     

硅酸铋(BSO)晶体的空间生长

BSO晶体首次在飞船上进行了空间晶体生长.本文对空间和地面生长的BSO晶体进行了X射线摇摆曲线、位错腐蚀和透过率的测试.实验结果表明:在微重力环境下能明显提高BSO晶体的光学质量.     

硅酸铋（Bi12SiO20）晶体生长的研究进展

本文介绍了光折变晶体ＢＳＯ生长研究的国内外进展。对ＢＳＯ晶体生长方法、组分和结构缺陷表征、材料性能的改进等几个方面进行了综合评述。讨论了各种生长方法的优缺点以及阻碍ＢＳＯ晶体批量生产的几种因素。指出坩埚下降法在实现大尺寸优质ＢＳＯ晶体的批量生产方面已显示出优越性，它应该成为今后ＢＳＯ晶体生长研究的一个重要发展方向。     

大尺寸硅酸铋晶体的原料合成、晶体生长及闪烁性能研究

以Si(OC₂H₅)₄和Bi(NO₃)₃·5H₂O作为前驱体、柠檬酸作为溶剂, 按化学计量比配料, 采用溶胶-凝胶法合成并经高温烧结制备了纯相Bi₄Si₃O₁₂多晶粉末, 每批次可合成250 g。以此为原料、<001 >取向BSO为籽晶, 在坩埚下降炉内生长了BSO晶体, 讨论了晶体的析晶行为, 获得了30 mm × 30 mm × 210 mm的高质量BSO晶体。闪烁性能测试表明, 该晶体能量分辨率为18.9%, 光输出为同等条件下CSI(T1)晶体的7.2%。     

高温高压合成的硅酸锶有铕铋的发光特性

用高温高压方法合成了Ｓｒ２ＳｉＯ４Ｅ＾３＋ｕ，Ｂｉ＾３＋和ＳｒＳｉＯ３Ｅｕ＾３＋＿，Ｂｉ＾３＋，研究了合成压力对其发光性能的影响，与用溶胶－凝胶共沉淀法和常压高温法合成的产品作比较，常压制备的ＳｒＳｉＯ３Ｅｕ＾３＋，Ｂｉ＾３＋为六角结构，而在２．３４－４．１０ＧＰａ的合成压力范围内，它转变为赝正交结构；常压下Ｓｒ２ＳｉＯ４；Ｅｕ＾３＋，Ｂｉ＾３＋，为单斜结构，在４．２ＧＰａ的合成压力下，未发现其结     

硅酸镓镧晶体研究进展

综述了硅酸镓镧晶体近20年来的研究概况。介绍了这种晶体的结构、生长和性质，讨论和总结了研究进展及趋势。指出采用替代或双掺的方法取代该晶体中的镓及提高晶体生长质量及重复性，降低成本是该晶体实用化的关键。并提出重视在旋光效应存在条件下电光效应的利用。     

晶体形貌学的新近发展

介绍了晶体形貌学的历史地位和作用,阐述了晶体形貌学与现代先进仪器及前沿理论相结合而产生的几个新的发展趋势,所有这些发展都会深化及拓宽晶体形貌学的研究内容,并会对其它前沿科学理论（分形几何学、耗散结构理论、协同学等）的发展做出贡献。     

Ce,Eu双掺BSO晶体光折变效应研究

在ＢＳＯ晶体中同时掺入Ｃｅ和Ｅｕ离子，生长了Ｃｅ：Ｅｕ：ＢＳＯ晶体，对晶体的二波耦合和四波混频性能了测试。结果表明，Ｃｅ和Ｅｕ离子对晶体的光折变效应起到了增强的作用。     

晶体形态对金属涂层阻尼特性的影响

研究了金属涂层阻尼性能的微观机理。采用磁控溅射技术在不锈钢表面制备了Al、Ti、TiAl合金涂层,利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和能谱分析仪研究了金属涂层的物相、微观结构和元素组成;利用动态热机械分析仪(DMA)分析了涂层的阻尼性能。结果表明:单靶磁控溅射制备Al涂层为典型的片状晶体结构,而Ti涂层为柱状微晶结构;双靶共溅射制备的TiAl合金涂层为Al晶体为核心包裹微晶Ti的合金微团结构。在金属涂层和基体结构阻尼性能测试实验中,频率为31~35 Hz区间Al、Ti、TiAl合金和不锈钢基体四种试样均出现阻尼品质因子倒数(Q^-1)峰;然而在频率为57 Hz时, Al、Ti及TiAl合金涂层的试件出现明显Q^-1峰,其峰值约为0.016,未镀膜的不锈钢基体试样未出现峰值;在57 Hz频率下的应变幅与Q^-1关系曲线中,微团状晶态TiAl合金涂层阻尼性能最强,柱状晶态Ti涂层阻尼性次之、相对而言片状晶态Al涂层最弱。由此可见,晶体结构对金属涂层的阻尼性能的影响存在直接相关性,乱序晶体结构弛豫和晶界纳米缝隙的内摩擦是金属涂层产生阻尼的主要原因。     

掺杂锗酸铋晶体(Bi_4Ge_3O_(12))的电子顺磁共振

用电子顺磁共振方法对 Fe、Cr 和 Mn 杂质在 Bi_4Ge_3O_(12)晶体中的位置和价态进行了研究。测试并分析了和 Fe~(3+)和 Cr~(3+)离子的 EPR 谱线位置随磁场方向的变化,确定了 Fe~(3+)和 Cr~(3+)主要进入氧四面体占据 Ge位。测试并分析了 Mn~(4+)和Mn~(2+)掺杂样品各向异性的 EPR 谱线,也测试了处于晶体粉末态及玻璃态的 Mn 掺杂样品的谱线,认为 Mn~(2+)离子进入氧八面体占据 Bi 位。紫外线辐照后 Mn 离子 EPR 信号降低表明辐照导致 Mn 离子价态改变。     

晶体形态稳定性研究进展

综述了８０年代至今的晶体界面形态稳定性的研究方法和内容,主要包括晶体形态稳定性与生长机制的关系,实时观察法研究晶体形态稳定性,扩散效应下的晶体形态稳定性研究以及对流效应对晶体形态稳定性的影响．     

粉料预处理方法对氮化铝晶体形态的影响

以氮化铝粉料为原料，在高纯氮气条件下用物理气相法制备氮化铝晶体。采用不同方法对氮化铝粉料进行预处理，研究它对氮化铝晶体形态的影响。实验结果表明，通过对氮化铝粉料的预烧结，可以有效地减少粉料中杂质的含量，实现合适的气体输运速率，从而得到了尺寸较大、质量较高的六棱柱形的氮化铝单晶体。     

CVD金刚石的晶体形态及界面位向关系

综述了CVD金刚石的晶体形态及界面位向关系.用SEM观察CVD金刚石晶粒形态主要有立方体、长方体、八面体、立方八面体、孪晶八面体、十面体和二十面体颗粒以及球形金刚石,讨论了晶粒的形成条件.用TEM观察则主要有单晶体、孪晶八面体和五重孪晶体形态.界面位向关系主要有:Si(001)//Diamond(001),Si<110>//Diamond<110(50078018);Si(111)//Diamond(111),Si<110>//Diamond<110>和Si(110)//Diamond(110),Si[110]//Diamond[111].     

非线性发色团氢键液晶的制备与液晶行为

本文通过还原、重氮化和偶合等反应合成了一种具有双负电荷的偶氮二阶非线性发色团单体2一氰基一3一（4一{4一[（2一羧基一乙基）一甲氨基]一偶氮苯基）一苯基）一丙烯酸（DRCB）,并以DRCB中的羧基为质子给体,4一十七烷基吡啶中的氮原子为质子受体以分子间氢键作用成功合成了具有非线性效应的超分子液晶LDRCB。通过IR和1H—NMR对单体结构进行了表征,又运用DSC和热台偏光显微镜（POM）对复合物的液晶行为进行了研究,结果表明LDRCB在常温就可以显示出液晶态,且氢键复合物的液晶分子具有向列型的液晶织构。