基于InSb-In薄膜磁阻元件电流传感器的应用

介绍了一种用InSb-In共晶体薄膜磁阻元件制成的电流传感器(MRCS).为了检测微弱电流,此种电流传感器利用同时改变两个InSb-In磁阻元件阻值的途径来实现这一目的,设计了一种能较大幅度增大其输出电压的信号处理电路.当处理电路的电压增益为50～10000倍、,待测的50 Hz交流电流在50 mA～12 A时,输出电压在0.3～3.5 V变化,并且两者之间有比较好的线性关系,标准偏差小于0.02,完全能满足工业上对电流的监测作用,从而保护因异常情况停止运转的马达.     

基于InSb-In薄膜磁阻元件电流传感器的应用

介绍了一种用InSb-In共晶体薄膜磁阻元件制成的电流传感器(MRCS)。为了检测微弱电流,此种电流传感器利用同时改变两个InSb-In磁阻元件阻值的途径来实现这一目的,设计了一种能较大幅度增大其输出电压的信号处理电路。当处理电路的电压增益为50~10000倍、,待测的50Hz交流电流在50mA~12A时,输出电压在0.3~3.5V变化,并且两者之间有比较好的线性关系,标准偏差小于0.02,完全能满足工业上对电流的监测作用,从而保护因异常情况停止运转的马达。     

ZMC系列磁阻电流传感器及其应用

本文介绍美国ＺＥＴＥＸ公司生产的ＺＭＣ系列薄膜磁阻电波传感器的原理,结构,特点,技术参数和应用电路。     

磁阻效应增强型锑化铟红外光电传感器

发现锑化铟一铟共晶体磁阻元件被置于偏磁系统后,对脉冲变化的红外光的照射,它的输出信号增强了。采用灵敏度K1＝3．6,K2＝1．02（B＝0．3T）的两个磁阻元件,在B＝0．15－0．2T偏磁系统中,用峰值波长λp=940nm的红外光脉冲照射,可使输出电压比没有偏磁时增大3倍以上,输出信号电压（S）与本底噪声电压（N）之比为25：1（S／N＝28db)。     

汽车应用中的磁阻传感器磁阻传感器系统的建模和仿真

磁阻效应支持汽车内的多种传感器应用。磁阻传感器主要用来测量机械系统的速度和角度。这样,磁阻传感器就成为电气元件、磁性元件和机械元件所组成的复杂系统的一部分。因为所有元件都会影响系统的反应,所以在规划系统及其操作时要非常重视对整个系统的仿真。下面重点讨论这种系统的建模和仿真。     

四端桥式磁阻传感器的原理及设计

从实用角度出发，详细描述了利用薄膜工艺制作四端桥式磁阻传感器的版图结构和工艺流程。     

薄膜磁阻传感器及其应用

利用薄膜工艺和微细加工技术，将ＮｉＦｅ合金或ＮｉＣｏ合金真空蒸镀或溅射在玻璃或石英基片上，制作的磁阻传感器具有广泛的用途。     

隧道磁阻传感器在OLED电流检测中的应用

有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode,OLED）显示器的亮度、色域和显示不均（Mura）等特性与其驱动电流息息相关。为了实现封装后OLED电流的无损检测,本文建立了一种基于隧道磁阻（Tunneling Magnetoresistance,TMR）效应的OLED电流无损检测方法。首先,根据OLED显示器亮度与驱动电流的关系,得到一行像素全部点亮时的驱动电流是40 mA,通过仿真分析40 mA电流的空间磁场分布,估算出TMR磁传感器的灵敏度指标要求。然后,选择TMR2922作为磁传感器,实验研究了点亮双行、多行和单列像素时,显示器磁场与电流的关系、屏幕电磁兼容问题和传感器灵敏度问题。最后,对比分析了不同驱动电流下,TMR2922的磁场数据和Hyperion色度计的光学数据。仿真表明,高度为1.5 mm时磁场传感器的噪声要优于1.1 nT/■;实验结果表明,在无屏蔽环境下TMR2922可以检测出OLED mA级的行电流,对于μA级的列电流需要灵敏度更高的磁传感器。     

锑化铟磁阻型红外光电传感器及其特性研究

介绍了锑化铟磁阻型光电传感器的结构及工作原理,并对锑化铟磁阻型光电传感器的输出特性进行了研究;随着间隙由0 mm增至5 mm,放大后的光电传感器输出电压峰峰值由3 V多急剧下降至500 mV以下;若使输入光脉冲电压的频率保持50 Hz不变,改变红外发光二极管输入光脉冲电压(变化范围Vpp为3.8～5.0 V),测量磁阻型光电传感器输出电压峰值Vpp随输入光脉冲电压的增加按指数规律增加;磁阻型光电传感器的中心频率为50 Hz,通频带为46～55:Hz,即通频带宽度为9 Hz,可得其品质因数Q为5.56.     

磁阻效应及磁敏位置传感器

本文讨论了磁阻效应原理，介绍了磁敏位置传感器的结构设计，将磁敏电阻的短路条采用人字型结构，将传感器设计成悬臂梁结构，实验表明，传感器的分辨率达０．０１°。     

InSb磁敏旋转传感器

InSb磁敏电阻是InSb旋转传感器的核心部件.研究了它的物理磁阻效应和几何磁阻效应.格子型磁敏电阻具有较大的灵敏度和初始值.将磁敏电阻设计成桥式电路,电阻条宽0.24mm,间隔0.04mm,总尺寸为3mm×4mm.齿轮的分度圆周节Pr=0.62πmm,模数m=0.62mm.     

底钉扎与顶钉扎结构在磁传感器中应用研究

该文采用高真空磁控溅射技术分别制备了无缓冲层的NiFe/IrMn和IrMn/NiFe及有缓冲层的IrMn/NiFe 3种结构薄膜,并用振动样品磁强计对样品磁性能进行测试。结果表明,直接在Si上淀积NiFe/IrMn和在适当厚度的Ta/NiFe或Cu层作为缓冲层上淀积IrMn/NiFe的2种结构,有很大的交换偏置场。这样大的交换偏置场适合应用于顶钉扎和底钉扎结构的自旋阀巨磁电阻器件。     

A Passive Optical Fiber Current Sensor Based on YIG

A research on passive optical fiber current sensor based on magneto-optical crystal and a new design of light path of the sensor head are presented. Both methods of dual-channel optical detection of the polarization state of the output light and signal processing are proposed. Signal processing can obtain the linear output of the current measurement of the wire more conveniently. Theoretical analysis on the magnetooptical fiber current sensor is given, followed by experiments. After that, further analysis is made according to the results, which leads to clarifying the exiting problems and their placements.     

磁性液体全方位倾角传感器的研究

针对磁性液体倾角传感器敏感方向单一及量程窄的问题,利用类似重力摆原理设计了一种采用隧道磁电阻传感器完成倾角电信号提取的全方位、宽量程球型倾角传感器。首先,设计了电信号采集系统,并测试了该系统的采集能力。其次,通过实验确定了在一定范围内输出电压与倾斜角的线性关系。最后,测试了倾角传感器的测量能力,结果表明,倾角传感器具有较好的测量精度,量程为10°~170°。     

磁光光纤大电流传感器

研制的磁光光纤大电流传感器在1～8kA测量范围内具有±0.5％的线性和±0.5％的重复性。该传感器能耐压300kV以上。方形闭环结构是实用化的电流传感头。     

光学电流传感器的实现方案及其现状

介绍了光学电流传感器的实现原理,各种光学电流传感器的实现方案及其各自的优缺点,同时提 出目前影响光学电流传感器商用化的几个问题及其相应的解决措施。     

基于巨磁致电阻电流检测机理的电流驱动同步整流器

本文将一种基于巨磁致电阻(Giant Magneto Resistive--GMR)的电流检测技术应用于同步整流技术中.该技术可以克服传统电流驱动同步整流器中电流检测器件损耗较大、不能测直流、漏感大、不能工作于高频等缺点.本文内容包括GMR电流检测技术原理和性能分析,GMR电流检测电流驱动同步整流正激变换器的实验研究.研究结果表明,该变换器工作性能理想,在轻载情况下效率有较大幅度的提高,说明GMR是一种可以实际应用的电流检测技术.     

磁光记录薄膜磁光特性参数测量的外推方法

本文采用自制的一种磁光特性测试仪器和Romberg外推算法,对于SONY公司的一种640M直接重写磁光盘,在245－350K温度范围内,获得它完整的磁光温度特性,包括克尔角与温度的关系曲线和矫元力与温度的关系曲线,其结果与理论模型仿真的结果一致。     

Transport properties and observation of quantum Hall effects of InAs0.1Sb0.9 thin layers sandwiched between Al0.1In0.9Sb layers

InAs_0.1Sb_0.9 active layers sandwiched between Al_0.1In_0.9Sb insulating buffer layers were grown on GaAs (1 0 0) substrates by molecular beam epitaxy. The basic transport properties at room temperature and quantum Hall effects at low temperature of the InAs_0.1Sb_0.9 were studied as a function of InAs_0.1Sb_0.9 thickness. The electron mobility of the InAs_0.1Sb_0.9 active layers had a very high value and very small thickness dependence at less than 500 nm. The quantum Hall effects of the InAs_0.1Sb_0.9 were observed at thicknesses 15, 20, 30, 50, 70, and 100 nm. The observation of the quantum Hall effect at thickness more than 50 nm strongly suggests the existence of two-dimensional electron gas in the InAs_0.1Sb_0.9 layer sandwiched between Al_0.1In_0.9Sb layers.