ISM频段射频放大的小信号分析

为解决ISM频段小信号放大器降低失配与减小噪声之间的矛盾,提出了一种改善放大器性能的分析方法,满足信源、晶体管与负载三者之间的失配程度在受限条件下增益和噪声的最优化.指出增益、驻波比和噪声多个性能参数不能同时达到最优,提出了提高射频放大器综合性能的方法.在2.4 GHz的ISM频段进行的仿真结果表明,驻波比越小,增益越大,噪声系数受失配限制的影响,在满足增益的条件下失配受限会使噪声系数增大.     

射频前端放大器失配受限的分配研究

为了实现RFID功耗低、体积小的目标,提出一种射频前端接收系统放大器失配受限的分配方法.该方法综合利用史密斯圆图和复平面上的稳定性圆、增益圆、噪声系数圆,通过调整匹配网络,达到驻波比、噪声系数和增益的最优分配结果,且放大器处于绝对稳定状态.基于RFID,在2.4 GHz下进行仿真.结果显示,通过作图分析和函数分析,能有效分配性能指标,为RFID在低复杂度下改善放大器的性能提出了一种新的途径.     

宽频带低噪声放大器设计

采用Lange耦合器的宽频带特性设计L／S波段平衡式低噪声放大器电路,并通过仿真设计软件对放大器的工作频带、噪声系数、增益及输入、输出驻波比等几个重要指标进行优化。最后设计的放大器在1．2～2．5GHz频率范围内增益为33～35dB,噪声系数不大于1dB,输入输出驻波比小于1．5,达到了预定的技术指标要求,性能良好。     

基于GSM的宽带LNA电路设计

通过选用噪声系数小、性能优良、价格便宜的AT41486晶体管,使用安捷伦公司的ADS软件,设计了一个适于基站GSM的多制式宽带低噪声放大器(LNA)。该放大器工作频率范围为1700MHz～2000MHz,噪声系数不大于1.8dB,增益不小于13dB,频带内增益平坦度不大于0.5dB,输入电压驻波比小于2.0,输出电压驻波比小于3.3。电路具有噪声系数小,增益大,频带内增益平坦度小,性能优良等特点。     

一种用于DVB-C射频调谐器宽带低噪声放大器的设计

设计了一种用于DVB-C射频调谐器的宽带低噪声放大器.低噪声放大器采用了负反馈拓扑结构,用于改善增益平坦度,使用Agilent公司的ADS软件对电路进行了优化设计,测试结果表明,在50～860 MHz有线数字电视全波段内获得了10.7 dB的增益,增益平坦度小于1.2 dB,噪声系数小于3.5 dB,输入电压驻波比小于2,输出电压驻波比小于2.5.     

S波段低噪声放大器仿真设计

介绍了S波段低噪声放大器(LNA)的设计原理,分析了影响放大器稳定性、噪声系数、功率传输的主要因素,运用Agilent公司的EDA软件ADS仿真设计了两级级联结构的放大器。仿真结果表明放大器在2150～2 400MHz的频率范围内,噪声系数<0.5dB,输入驻波比<1.4,输出驻波比<1.14,增益为(26.2±0.5)dB,并且在全频带内无条件稳定。     

S波段低噪声放大器设计

首先分析了低噪声放大电路的稳定性,功率增益及噪声系数的影响因素及改进方法;然后设计了一个中心频率为2.45 GHz,工作带宽为100MHz的S波段低噪声放大器.仿真结果表明,该放大器的噪声系数小于1 dB,功率增益大于28 dB,增益平坦度小于1 dB,输入/输出驻波比小于2:1.通过传统的电路板制作工艺实际制作了放大器电路,测试结果和仿真结果较一致.     

北斗导航接收机LNA的设计与仿真

为了实现北斗卫星导航接收机射频前端的研制,根据接收机射频模块系统指标要求,包括增益、噪声系数、灵敏度等关键指标要求,提出一种基于ATF54143的LNA设计方案,采用两级结构,源极传输线负反馈稳定技术,实现输入最佳噪声匹配,输出共轭匹配设计,并用ADS软件进行仿真,得到增益32dB,噪声系数0.45dB,输入驻波比1.5。     

GPS接收机低噪声放大器设计

选用噪声系数较低的Agilent E-PHEMT ATF-54143晶体管,采用集总元件网络匹配方法,设计实现了一种GPS接收机前端低噪声放大器。通过运用Agilent公司的微波软件ADS进行设计、仿真和优化,在PTFE基板上制作实现了该放大器。实测结果显示,在1 520～1 600 MHz工作频带内,噪声系数<05 dB,小信号增益>16 dB,输入驻波比<2,输出驻波比<15。     

应用于S波段AESA的射频收发前端设计

采用0．18μm Si RFCMOS工艺设计了应用于s波段AESA的高集成度射频收发前端芯片。系统由发射与接收前端组成,包括低噪声放大器、混频器、可变增益放大器、驱动放大器和带隙基准电路。后仿真结果表明,在3．3V电源电压下,发射前端工作电流为85mA,输出ldB压缩点为5．0dBm,射频输出在2～3．5GHz频带内电压增益为6．3～9．2dB,噪声系数小于14．5dB;接收前端工作电流为50mA,输入1dB压缩点为-5．6dBm,射频输入在2～3．5GHz频带内电压增益为12—14．5dB,噪声系数小于11dB;所有端口电压驻波比均小于1．8：芯片面积1．8×2．6mm0。     

A Novel RF Test Scheme Based on a DFT Method

This paper presents a new RF testing scheme based on a design-for-testability (DFT) method for measuring functional specifications of RF integrated circuits (IC). The proposed method provides the input impedance, gain, noise figure, voltage standing wave ratio (VSWR) and output signal-to-noise ratio (SNR) of a low noise amplifier (LNA). The RF test scheme is based on theoretical expressions that produce the actual RF device specifications by utilizing the output DC voltages from the DFT chip. This technique can save marginally failing chips in production testing as well as in the system, hence saving a tremendous amount of revenue from unnecessary device replacements.     

L波段砷化镓单片低噪声放大器

设计、研制了一种工作在Ｌ波段的ＧａＡｓ单片低噪声放大器。该放大器在ＨＰ－８５１０Ｂ网络分析仪和ＨＰ－８９７０Ｂ自动噪声仪上的测试结果为：１．１～１．５ＧＨＺ频段，ＮＦ≤２．０ｄＢ，Ｇ≥１８ｄＢ，ＶＳＷＲ（ｉｎ，ｏｕｔ）≤２：１，增益起伏≤０．５ｄＢ；在１．５～２．０ＧＨＺ频段ＮＦ≤２．５ｄＢ，Ｇ≥１８ｄＢ，ＶＳＷＲ（ｉｎ，ｏｕｔ）≤２：１，增益起伏≤±０．５ｄＢ。     

一种S波段低噪声放大器的设计

基于Siemens的NPN射频晶体管BFP420,设计出一款适合于S波段的低噪声放大器,本设计使用了宽带匹配技术,结合微带线和集总元件设计出宽带的匹配网络。放大器适用频率范围:1.8 GHz～3.2 GHz,可用带宽1.4 GHz,相对带宽56%,属超宽带低噪声放大器。测试结果表明,在可用频段范围内,放大器增益波动3.7 dB,输入驻波比VSWR<1.8 dB,输出驻波比VSWR<1.295 dB;1.8 GHz增益G=12.53 dB、噪声系数NF=1.128 dB;3.2 GHz增益G=8.79 dB、噪声系数NF=1.414dB。本设计可满足无线蓝牙、WIFI,Zigbee等多种2.4 GHz主流ISM无线设备的应用要求。     

1～4 GHz宽带低噪声放大器的设计

通过在两级级联放大器的后一级中采用负反馈网络来拓展放大器的工作频带,并在放大器的偏置网络中添加吸收回路来提高放大器的稳定性和改善其输入输出驻波比.利用ATF-54143设计了一款工作于1～4GHz的性能优良低噪声放大器(LNA).仿真结果显示,其增益G=21.3±0.35 dB,噪声系数NF≤1.2 dB,输入输出反射...     

高性能低噪声放大器的设计

低噪声放大器（LNA,Low Noise Amplifier）能有效放大射频小信号,降低系统的总体噪声,提高接收机的灵敏度。该文介绍了低噪声放大器的主要性能指标和设计方法,该电路选用ATF-54143晶体管,采用两级放大,利用Agilent ADS软件完成一个S波段低噪声放大器的偏置电路以及输入、级间和输m匹配的设计和仿真。本设计中,在源极加入短路微带线形成反馈作用,从而提高稳定性。最后对仿真完的电路进行了加丁测试。经测试,在2.15-2.65GHz的频带内,获得了27-2-28.1dB的增益,增益平坦度小于±0.9dB,噪声系数小于ldB,输入电压驻波比为l.048-1.640,输出电压驻波比为1.120-1.840,在中心频率点2．4GHz上．输出功率ldB压缩点为162dBm。     

基于ADS的平衡式低噪声放大器设计

平衡放大技术有着驻波特性好,增益高、易级联的优点。本文将平衡放大技术应用到低噪声放大器的设计中,在保证低噪声和功率增益的同时,用以提高低噪声放大器的驻波比和增益平坦度。ADS仿真结果表明,在5.3-6.3 GHz的频带范围内,低噪声放大器绝对稳定,噪声系数≤1.182 dB,功率增益达到10 dB,并且通过采用平衡放大技术,输入输出驻波比≤1.3∶1,带内波动≤1dB,提高了低噪声放大器的有效工作带宽。     

S 频段pHEMT 双通道低噪声放大器芯片的设计

采用GaAs 0.13μmp HEMT MMIC流片工艺设计和制作了一种S频段双通道低噪声放大器芯片,芯片内部集成了两个低噪声放大器通道、一级单刀双掷(SPDT)开关和一个晶体管-晶体管逻辑(TTL)电平转换电路。低噪声放大器电路采用一级共源共栅场效应管(Cascode FET)结构实现,使其具有比单管更高的增益,简化了芯片拓扑,降低了芯片设计难度。经流片测试,在1.9~2.1GHz的工作频带内,芯片噪声系数优于1.4dB,增益大于22.5dB,输入驻波优于1.8,输出驻波优于1.4,输出1dB压缩点(P1dB)为10dBm。大量芯片样本在片测试统计数据表明该低噪声放大器成品率大于90%,性能指标优于目前同类商业芯片指标。     

基于电源调制及有源滤波匹配的双向放大器芯片设计

射频双向放大器作为雷达接收通道的前端模块芯片,其性能的优劣直接影响通道的性能。传统的双向放大器芯片往往是基于射频开关的拓扑结构设计的,在噪声性能和反向隔离度方面都有所不足。文中设计基于电源调制的双向放大器芯片,具有全新的电路拓扑结构,射频信号不通过射频开关而直接进入低噪声放大器,可以优化芯片的噪声性能;同时,截止的器件可以提高芯片的反向隔离度。设计中如何提高低噪声放大器的增益和噪声性能,以及如何利用有源滤波匹配技术实现射频输入输出端口的合并和匹配是两大难点和创新点。文中基于L 波段的双向放大器设计及流片的测试结果显示,芯片有良好的性能,充分验证了理论分析的正确性。     

Design and Performance of Microwave Amplifiers with GaAs Schottky-Gate Field-Effect Transistors

The design and performance of an X-band amplifier with GaAs Schottky-gate field-effect transistors are described. The amplifier achieves 20 /spl plusmn/ 1.3-dB gain with a 5.5-dB typical noise figure (6.9 dB maximum) over the frequency range of 8.0-12.0 GHz. The VSWR at the input and output ports does not exceed 2.5:1. The minimum output power for 1-dB gain compression is +13 dBm, and the intercept point for third-order intermodulation products is +26 dBm. The design of practical wide-band coupling networks is discussed. These networks minimize the overall amplifier noise figure and maintain a constant gain in the band.