硅基喇曼放大器的研究进展

低成本的硅基光器件研究具有重要的意义,在硅中受激喇曼散射是实现光放大的有效方法.本文总结了硅波导中实现净增益和硅基喇曼放大器的发展过程和最新的研究进展,展现了硅基喇曼放大器以及硅基光子器件发展的光明前景.     

硅基光子器件研究进展及其在光陀螺与光通信中的应用

光通信对高带宽要求的不断增强以及计算机芯片对高性能计算的不断需求刺激了硅基光子器件的发展,使之向集成化、低成本方向发展,并取得了一系列重要的理论和技术突破.综述了近期硅光子器件如硅基光源、放大器、光调制器的最新研究进展,并对现有技术在未来光陀螺及光通信中的应用进行了分析和设计.设计了一种三维有源谐振环结构以实现全集成化的谐振式光波导陀螺,展示了硅基光子器件在光陀螺及光通信应用等方面的广阔前景.     

光传送网中的关键光器件

光器件是光传送网的基础单元之一，本主要综述光传送网中的关键光器件：光源与光探测器、光波分复用/解复用器、光放大器、色度色散与偏振模补偿器及光开关等。比较了各种光器件的主要技术方案，特别针对的是已实用化的技术方案。最后讨论了光器件的尺寸小型化、微型化以及多功能集成等发展趋势，介绍了光器件的集成方式如：传统分立光器件的集成，平面光波导集成，以及混合集成等。     

最快晶体管的频率接近太赫兹

Robert J.Mears是用于宽带互联网的铒掺杂光纤放大器(EDFA)的发明者。他在寻找将光器件和波导结合到硅中的方法时,发现了一个有趣的结果:一种特殊的硅超晶格结构可以加速某一个     

国内光放大器新进展

光放大器是光通信中的关键器件之一。光纤放大器不仅解决了衰减对光网络传输速率与距离的限制,并开创了1550nm波段的波分复用（WDM）,使超高速、超大容量、超长距离的WDM、密集波分复用（DWDM）、全光传输、光孤子传输等成为现实,是光通信发展史上的一个划时代的里程碑。目前,实用化的光放大器主要有掺铒光纤放大器（EDFA）、拉曼光纤放大器（RFA）和半导体光放大器（SOA）等。国内光放大器已有很大进展,性能不断提高,新结构和新器件不断涌现。     

掺饵光纤放大器的应用及监控

光放大器是当前各国竞相开发的一种新的光学器件，尤其是掺饵光纤放大器发展是为迅速，应用亦较普遍。本文首先简单介绍掺饵光纤放大器的结构，性能，然后介绍它在通信领域中的应用及其监控技术。     

喇曼光纤放大器的新进展

随着10Gb／s DWDM长距离传输系统的大量应用和40Gb／s技术的日趋成熟，喇曼光纤放大器的重要性日渐显露，并逐步进入商用。光器件制造商竞相研制出了性能优良的喇曼光纤放大器，主要是希望利用喇曼光纤放大器特有的分布式放大，可降低非线性影响、噪声特性好等特点，进一步推动高速，大容量，长距离光纤传输系统的发展。     

可编程彩色光/频转换器TCS230及其应用

TCS230可编程彩色光／频率转换器是为高分辨率彩色传感器提供PWM数字接口的首款集成器件，该器件在单芯片上集成了可配置的硅光电二极管阵列和一个电流／频率转换器。文中详细介绍了TCS230的基本结构、主要性能及应用信息。     

智能化可重构硅光集成器件及芯片应用研究

可重构硅光集成器件和芯片是实现智能化光通信系统的关键技术,其小尺寸、低能耗、低成本、高灵活性等特性为新一代光通信等应用带来了新的发展机遇。总结和讨论了一系列新型热可重构硅光集成器件及芯片,包括可调谐滤波器、光开关代表性功能器件。这些器件及芯片具有设计便捷、工艺简单、兼容等突出优点,被广泛应用于光互连、量子光学和微波光子学等。     

用硅光电负阻器件产生光学双稳态

本文利用作者近期研制出的硅光电表面负阻晶体管（PNEGIT），首次提出并通过实验成功地实现了一种新的光学双稳态即以PNEGIT作为光输入器件，用它驱动一发光管（LED）作为光输出器件，由于PNEGIT具有负阻输出特性，致使LED输出光功率（POUt）一输入光功率（Pin）特性上出现光学双稳环．这种器件具有光开关、光逻辑、光存贮等多种功能，将为硅光电器件在光信息处理、光计算、光通讯等领域中的应用，开辟一条新途径     

光学元件

Y99-61713 99150481998年 SPIE 会议录,卷3278:集成光学器件2=1998proceedings of SPIE,Vol.3278:integrated optic devicesⅡ[会,英]/SPIE-the International Society for OpticalEngineering.—1998.—354P.(EG)本会议录报道了在1998年1月28日至30日在美国圣何塞召开的集成光学器件专题讨论会上发表的40篇论文。主要涉及光集成电路的模型设计和特性、导波调制器与开关,光电子器件与集成,集成光放大器与激光器,波导设计与制造,导波光敏传感器,以及基于硅的集成光器件诸方面内容。     

硅光学双稳态(SOB)器件

利用作者近期研制的硅光电表面负阻晶体管（PNEGIT）或光电“∧”双极晶体管（PLBT）两种硅光电负阻器件,提出并成功地实现了一种新型的硅光学双稳态器件。即以PNEGIT（或PLBT）作为光的输入器件,以其驱动一发光管（LED）作为光输出器件,由于PNEGIT和PLBT都具有光电负阻特性,致使在输出光功率（Pout）-输入光功率（Pin）特性上出现逆时针方向的光学双稳回线。这种器件具有光开关、光逻辑、光放大、光存贮、光眼福等多种功能,扩展了硅光电器件在光逻辑、光计算、光通讯等领域中的应用。     

掺铒波导放大器推动了光网络的演变

随着数字通信业务量的持续增长,基于波导技术的集成光器件为迎接这个挑战提供了良机.特别值得一提的是,波导放大器是适合于城域网应用的新型集成光器件产品.     

硅基光波导材料的研究

光波导是集成光路及其元器件中最基本的构成单元。本文介绍了各种不同类型的光波导材料的特性。硅材料作为目前研究得最透彻的半导体材料,它在光电子领域的应用也是令人关注的。硅基光波导材料种类繁多,主要包括聚合物、外延硅/重掺杂硅、SiO₂,SOI和SiGe/Si等。硅基光波导材料是实现硅基光波导器件的基础,本文阐明了它们各自的特点和应用前景。其中聚合物、SiO₂和SOI波导是目前研究的热点。     

基于半导体光放大器的波长转换器及其应用

在详细介绍了利用半导体光放大器的三种非线性实现波长转换的原理基础上，分析各自的特点，给出了器件参数和外部参数对每种器件性能的影响。研究了TOAD及其在光学数字信号处理的应用。     

硅基光波导结构与器件

简要评述硅基光波导的结构，工艺及其器件，包括低损耗的硅基光波导，电光波导器件，红外波导探测器，氧化硅光回路等。     

与标准CMOS完全兼容的硅基LED器件模拟

采用工业标准 0 6 μmCMOS工艺设计了以反向击穿硅 p n结为基础的光发射器件 .讨论了该器件的光发射机理 .利用商业模拟软件对器件的工作特性进行了模拟 ,包括器件的正向和反向I V特性、p区掺杂浓度对击穿电压的影响以及门电压对器件发光强度的调制特性的影响等 .结果表明该器件是一种很有前途的硅发光器件 ,在光互连等领域具有广阔的应用前景.     

与标准CMOS完全兼容的硅基LED器件模拟

采用工业标准0.6μm CMOS工艺设计了以反向击穿硅p-n结为基础的光发射器件.讨论了该器件的光发射机理.利用商业模拟软件对器件的工作特性进行了模拟,包括器件的正向和反向I-V特性、p区掺杂浓度对击穿电压的影响以及门电压对器件发光强度的调制特性的影响等.结果表明该器件是一种很有前途的硅发光器件,在光互连等领域具有广阔的应用前景.     

应变量子阱光放大器NDFWM波长转换和滤波

报告了一种新型的波长转换滤波器，它产生于拉伸/压缩应变量子阱（T/CSQW）光放大器中的非简并四波混频（NDFWM）。提出T/CSQW转换滤波器的结构，并由器件的耦合模式实现了波长的转换滤波。讨论了T/CSQW光放大器的特征参数对输出效率，输出带宽及频移的影响。在0.01量级，该器件可用作具有高转换效率及窄带的滤波器和波长转换器，其频率转换的范围取决于半导体介质的增益带宽，可达到5000GHZ。     

用纳米晶材料制作光电子器件的研究

硅纳米晶材料最有希望用于制作有源器件,如调制器、光放大器和发光二极管等.人们观测到纳米晶中发光的蓝移与晶体尺寸成正比,其发光效率通常比体材料的发光效率要高.但是,硅的间接带隙所产生的难以克服的余辉将导致相当长的辐射复合寿命(μs数量级),这将限制硅纳米晶光电子器件的发光亮度和发光效率.如果采用等离子激元增强光发射机理提高硅纳米晶的辐射发射速率,则可将硅量子点材料视为能取代直接带隙化合物半导体材料的光学材料.