图象用双通道256k位存储器

在日本国内外,目前有10家以上的公司正在同时研制可能应用于图象领域的随机存取和串行存取的专用256k位动态存储器。日本电气公司以位影象显示的帧缓冲器为目标,已经有样品出售。这种产品中,想把用于该领域的存储器从64k转向256k。国际标准化工作也在进行中。24引线的64k×4位结构和22引线的256k×1位结构的两种方案都有可能在1985年中采用。研制专用动态存储器的高潮已经到来。     

Ramtron推出低功耗256千位串口F—RAM存储器

FM24L256是低功耗、高速串口F—RAM器件,采用小型8脚封装世界顶尖的非易失性铁电存储器（F—RAM）。集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出256Kb,2．7～3．6V工作电压、具高速串口I2C内存接口的非易失性F—RAM器件,型号为FM24L256。     

三菱电机公司采用高速写入方式试制出256k位EPROM

三菱电机公司使用2微米规范NMOS技术开发出了256kEPROM,现已开始出售样品。 EPROM是一种能够进行电写入并用紫外线照射而能擦除的非易消性存储器,尽管当初这种存储器作为程序调整用而被开发出来,但是,随着可靠性的不断提高,由于这种存储器具有比固定掩摸存储器在程序调试上简单这一优点,因而它在微机应用中得到了广泛地采用。     

256Mbit DRAM用的新掩模修正技术

日本电气公司开发和设计贴近的蚀刻图形,掩模修正技术可用于制造下一代256Mbit DRAM上.该法与以往使用的修正方法有所不同,这次研制成自动掩模修正程序能够适用于任意的掩模图形上.使用该程序,实际上可曝光的尺寸达     

佳能开发256M位DRAM批量生产用KrF准分子扫描步进光刻机

日本佳能最近开发了“ＦＰＡ - 5 0 0 0ＥＳｚ” 2 5 6ＭＤＲＡＭ和下一代ＭＰＵ等批量生产用ＫｒＦ准分子激光扫描步进光刻机。本机用于采用 30 0ｍｍ圆片的正规批量生产线。它采用边移动对准线侧和圆片侧的双方工作台、边曝光的扫描方式。依靠搭载新开发的 1/ 4缩小投影光学系统 ,在 2 6ｍｍ× 33ｍｍ口大画面下 ,实现了ＮＡ为 0 6 8。以 0 18μｍ条宽超高分辨率鲜明地将电路图形复印在园片。另外 ,驱动对准线、圆片等两个工作台是采用高速新型马达 ;此外 ,还采用了使投影棱镜和圆片工作台分离的ＶＩＳ方式。由于工作台材料轻 ,减少了…     

集成电路的计算机辅助测试技术ECL-256位RAM的测试

大规模集成电路工艺技术的发展,越来越使人们感到借助计算机参予设计和研制的迫切性。其目标就是要借助计算机在研制的过程中达到自动化或半自动化的目的。就大规模集成电路而言,其测试项目繁多,单靠人工操作已无法胜任。而借助于高级测试语言来编写测试的程序,由计算机来完成,则要简单而可靠得多。下面我们就从一个实例开始,以后再转入具体的计算机辅助测试技术中去。在计算机中常用到“与或非”电路,其形式如图1所示。     

用二次集成技术试制薄膜相敏解调放大器

<正> 据报道,国外已经比较广泛地应用细线工艺、多层布线和二次集成技术生产和研制薄、厚膜混合集成电路。然而,这些新技术在国内却较少应用。薄膜相敏解调放大器是我们应用二次集成技术试制的一种薄膜混合集成电路。该电路应用了我所设计和生产的五块半导体线性     

用分子束外延技术试制的两种砷化镓场效应晶体管

用分子束外延技术试制成两种和以往的汽相外延法具有同样特性的砷化镓场效应晶体管(GaAsFET)。一种是频率为8千兆赫的最小噪声系数为2.5分贝的器件,另一种是8千兆赫下最大饱和输出功率为2瓦的器件。前者是三菱电机公司研制的,后者是富士通研究所研制的。各自独立地在分子束外延技术器件的应用方面进行了探讨。     

浅谈用凯视通技术实现广电宽带接入应用

1 前言 近年来,随着互联网的迅速发展,以及人们对语音、视频、数据日益增长的需求,现有网络的带宽捉襟见肘,广电、铁路、联通等拥有丰富网络线路资源的单位对建设新一代高速宽带网表现了很高的热情。     

用X射线曝光技术试制门延迟时间40微微秒沟道长0.3微米的nMOS

本文报导了采用X线曝光技术制造有效沟道长度为0.3微米的MOS场效应晶体管的试制例子。用这种场效应晶体管构成的19级环形振荡器延迟时间是40微微秒,20微微秒也可以工作。发表这一试制成果是为了表明用X射线曝光技术可以进行微细加工。我们一并使用了本公司研制的曝光设备、掩模及可以进行干法显影新型抗蚀剂等。     

用SACP技术分析立方晶系金属中晶粒位向的一种方法

ＳＡＣＰ分析技术是分析多晶材料中晶粒位向的一种有效方向，应用ＳＡＣＰ技术，本文发展了一种确定立方晶系金属中晶粒位向的新方法，此方法的优点是：可以直接从给定ＳＡＣＰ的几何特征确定晶粒位向，而不需象通常方法那样，要对给定ＳＡＣＰ进行结晶学注释和有关矢量运算。     

日电东芝情报系统用全干法腐蚀技术的1微米工艺试制成功1K位静态RAM

日电东芝情报系统,是日本超大规模集成电路研究机构之一。它采用全干法腐蚀1微米工艺试制成功了1K位静态RAM,这一研究结果已在今年8月举行的电子通信学会半导体与晶体管研究会上发表。 随着超大规模集成电路的研制,2微米以下的图形的加工技术已成为必不可少的;而在腐蚀工艺方面,将以往的湿法腐蚀改为干法化也提到议事日程上来了,各种干腐蚀技术也迅速地在器件制造中得以广泛的应用。特别是光刻胶图形的形成方法与横向腐蚀少的腐蚀方法变得很重要。最近,以可以进行各向异性腐蚀的反应性溅射腐蚀为中心的平行极板型腐蚀方法,最为引人注目。     

东芝公司应用新的器件隔离技术试制1M位动态RAM 东芝公司由于采用了1.2μm的微细加工技术和该公司特有的器件隔离技术(BOX法)等新工艺,因此在单片上研制了集成度为225万个元件的1M位动态随机存取存贮器。 为了在与原来相同大小的总片上集成1M位的动态RAM,则要求:(1)最小设计

东芝公司由于采用了1.2/zm的微细加工技术和该公司特有的器件隔离技术(BOX法)等新工艺,因此在单片上研制了集成度为225万个元件的lM位动态随机存取存贮器。 为了在与原来拥吲大小的总片上集成1M位的动态RAM,则要求: (1)最小设计线宽为1～1.5#m的微细加工技术, (2)相邻元件之间能良好绝缘、隔离的器件隔离技术, (3)能够存贮仅能抗软误差电荷的电容器结构等新的器件、电路设计和制造技术。 公司为了满足上述要求,首先就采用了高性能的反应离子腐蚀工艺等,以形成线宽1.2/zm的微细加工技术,采用在硅基片上形成隔离槽的技术,此隔离槽用于元件…