从GTO门极关断波形分析其关断能力

给出了多个ＧＴＯ元件关断时的电源，电压波形，并对其门极电源，电压波形进行了分析和比较。根据门极关断波形对ＧＴＯ关断性能的优劣进行了评估。     

关断过程中GTO正向阻断结失效机理的研究

本文重点研究了可关断晶闸管（ＧＴＯ）正向阻断结的三种失效机理，在ＧＴＯ关断过程中，阳极瞬时极峰值功耗，阳极尖峰电压和阳极再加峰值电压达到极限时都可造成正向阻断结的损坏，从而使ＧＴＯ关断失效，从器件内部载流子的输运规律出发，作者阐述了这三个极限参数引起ＧＴＯ失效的机理，建立了三种不同的失效模式；首次研究了ＧＴＯ关断过程中下降时间内瞬地峰值功耗和尖峰电压相对位置的关系。     

采用GTO的新型静止无功发生器

大功率门极可关断晶闸管（ＧＴＯ）的出现使得新型静止无功发生器（ＡＳＶＧ）进入实用阶段，在这种情形下，河南电力局与清华大学决定联合研制２０ＭｖａｒＧＴＯ新型无功发生器，为进行机理研究，一台３００ｋｖａｒ的中间试验样机已于１９９５年７月并网运行，文中分析了由１８脉冲电压型ＧＴＯ逆变器构成的该新型无功发生器的原理及主要结构，并给出了试验结果。     

可关断晶闸管无破坏测试模糊专家系统的研究

应用专家系统理论和模糊理论建立了可关断晶闸管（ＧＴＯ）无破坏测试模糊专家系统（ＧＴＯ ＮＤＴＦＥＳ）。ＧＴＯ ＮＤＴＦＥＳ主要具有两种功能：测试ＧＴＯ的最大可关断阳极电流ＩＡＴＯ和判断ＧＴＯ的性能优劣。为了表达“ＧＴＯ临近其关断极限”这一模糊概念,文章首次提出了“安全隶属度”的概念,并提出了用特征量的当量值变化的拟合曲线以确定安全隶属度垢模糊推理方法。提出了用极小－极大法则进行了模糊推理以评价ＧＴ     

新型阳极短路环的大功率GTO

采用新型阳极短路环的发射极结构，开发出１０００Ａ，２５００Ｖ和２０００Ａ，２５００Ｖ大功率阳极短路型ＧＴＯ。本文给出该元件的设计原则，制造工艺 ，通态损耗与关断损耗的最佳折衷结果。Ｇ     

GOT门极横向电阻值测定与关断能力

提出了ＧＴＯ的门极等值电阻问题，论述了它的测定依据。提出了ＧＴＯ门极横向电阻的测试方法，并给出了测试结果。阐述了门极横向电阻与ＧＴＯ关断能力的关系。     

拖尾时间内GTO的关断特性

从ＧＴＯ的内部工作机理入手，结合外电路特性，研究了拖尾电流及其对关断性能的影响。给出了一种识别Ｊ３结反向雪崩击穿的新方法。     

用PSPICE仿真GTO的瞬态特性

介绍了用仿真软件ＰＳＰＩＣＥ建立ＧＴＯ组合模型的方法，该模型仅用两个晶体管来模拟ＧＴＯ的动态特性，本文重点介绍了对门极关断特性的仿真。比较了仿真和实验结果，分析了参数的灵敏度。     

GTO拖尾电流及其对关断性能的影响

本文系统的阐述了ＧＴＯ拖尾电流的产生机理、组成、性质及特点，给出了ＧＴＯ在拖尾阶段的等效电路。在实验印证的基础上，作者首次逐段分析了关断过程中位移电流变化对拖尾电流的影响，论述了拖尾电流、拖尾损耗对ＧＴＯ关断性能的影响，并对由于拖尾损耗过大引起ＧＴＯ再导通现象的机理给予了说明     

GTO门控电路及其电压型变频器

介绍一小容量ＧＴＯ门极驱动电路和带零矢量分割，磁通轨迹ＰＷＭ法控制的ＧＴＯ电压型变频器。控制系统用两片８０９８单片机，并采用实时计算法。该变频器的试验令人满意。     

1000A2500V逆阻型GTO

论述了１０００Ａ，２５００Ｖ大功率逆阻型可关断晶闸管的基本设计原则，给出了主要工艺特征和元件的开关特性。采用改进的扩散工艺，掺氯氧化和高能电子幅照技术，使逆阻型ＧＴＯ的Ｐ基区杂质分布和ｎ基区小子寿命达到了最佳化，从而获得了具有优良开关特性的ＧＴＯ元件。     

IGCT和IEGT——适用于STATCOM的新型大功率开关器件

硬驱动概念的出现极大地改进了门极可关断晶闸管（ＧＴＯ）的关断性能,并导致了集成门极换向型晶闸管（ＩＧＣＴ）的出现。ＩＧＣＴ在ＧＴＯ技术的基础上,采用新技术集成了硬驱动门极驱动电路及反并联二析管。使器件不需关断吸收电路、可靠性更高、工作频率更高、易于串联工作．电子注入增强门极晶体管（ＩＥＧＴ）是东芝公司于１９９３年开发出的一代电力电子器件。它具有通态压降低、门极驱动简单、开关损耗小、串联运行容易等诸多优点。ＩＧＣＴ和ＩＥＧＴ的将逐步取代ＧＴＯ广泛应用于中等电压大容量变流器中,文中简要地介绍了ＩＧＣＴ和ＩＥＧＴ的基本结构、工作原理、性能比较,以及在静止补偿器和逆变器中的应用情况。     

GTO过电流分级快速保护和极限保护条件

基于ＧＴＯ器件特性和故障状态下ＧＴＯ的过流工况,研究了ＧＴＯ过流分级快速保护模式和实现方法以及保护的极限条件。     

磁通轨迹控制的GTO逆变器变频调速系统

介绍一种运用单片微机进行磁通轨迹控制的电压型ＧＴＯ逆变器变频调速系统。磁通轨迹法是通过对异步机磁链的直接控制，使其轨迹近似为园，尤其在低频时轨迹更近似为园，从而使系统噪声小，无低频转矩脉动现象，具有恒磁通调速特性。     

GTO过流保护方法和保护电路的研究

在分析以往ＧＴＯ过流保护方法的基础上，介绍一种已证实了实用比较理想的保护方法。采用该方法研制的保护电路具有体积小，成本低，使用方便、保护可靠等等特点，适合在ＧＴＯ装置中进行分散采样和分散保护。     

用PSPICE多瞬态分析法建立GTO仿真模型

提出了用ＰＳＰＩＣＥ多瞬态分析功能建立ＧＴＯ仿真模型的方法,在分析ＧＴＯ内部机理的基础上,用无源器件建立了ＧＴＯ门极模型。     

新型功率器件（IGCT）的工作原理及其设计技术

阐述了新型功率半导体器件－－集成门极换向型晶闸管ＩＧＣＴ（ＩｎｊｔｅｇｒａｔｅｄＧａｔｅ Ｃｏｍｍｕｔａｔｅｄ Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ）的基本工作原理和关键设计技术。ＩＧＣＴ在ＧＴＯ技术的基础上,采用硬驱动技术,集成其门极驱动电路和反并联二极管,省去了吸收电路,兼具ＧＴＯ爱损耗低和ＩＧＢＴ关断均匀的特点。由于其开关频率高,易于串联,故适合在中电压大功率领域使用。     

GTO逆变器缓冲电路CAD的研究

以电力电子器件ＧＴＯ组件为例，对ＧＴＯ及电路常用元器件模型，缓冲电路分布电感的计算，电路方程的形成和求解以及缓冲电路参数的优化设计进行了研究，并建立了相应的ＣＡＤ软件包。     

主动抵御换相失败的增强型电网换相换流器控制策略

为了进一步提高增强型电网换相换流器对换相失败的防御能力,结合换相回路的阻抗分流特性和晶闸管的关断特性,提出了一种应用于基于增强型电网换相换流器的高压直流(ELCC-HVDC)系统的新型协调控制策略.该策略分为辅助换相控制和主动可靠关断控制,前者加速了换相过程,提高了系统换相裕度;后者可靠关断退出导通的阀臂,保障了阀内晶闸管恢复阻断能力的物理条件.此外,分析了子模块全控器件在所提策略下的电气应力并为其设计了最佳初始电容电压.PSCAD/EMTDC仿真结果表明,子模块全控器件的电气应力与理论分析相符,新型协调控制策略提高了ELCC-HVDC系统的换相失败防御能力.     

HT-7U托卡马克高功率双向直流快速晶闸管开关的研制

针对HT-7U超导托卡马克极向场电源系统要求设计了一种新型高功率双向直流快速晶闸管开关，通过原理分析得到了可靠关断条件，给出了新型晶闸管开关的设计方案，并对方案进行了试验和仿真，结果均验证了原理分析和方案设计的正确性，且消除了强迫关断时过高的反向电压。