α-Al_2O_3晶体的色心

用中子辐照的方法使α-Al_2O_3单晶体着色,观察其对光的吸收以分析晶体里存在的色心,研究中子辐照剂量和热处理对晶体色心的影响,并测得了有关色心的发光光谱.     

高纯超细α-Al_2O_3粉的研究

制造Al_2O_3陶瓷基片和A1N粉均要求Al_2O_3粉粒度小于1μm。制造99.5％Al_2O_3陶瓷及高导热A1N粉,要求Al_2O_3粉的纯度在99.9％以上,而制造95％Al_2O_3陶瓷及一般用途A1N粉,则要求Al_2O_3的纯度在99％以上。本研究采用铝盐高温化学分解法制备的α-Al_2O_3粉,分别达到了上述两类不同的用途对Al_2O_3纯度的要求,粒度为0.5μm。     

一种质优价廉的α-Al_2O_3

郑州轻金属研究所为配合上无一厂Al_2O_3基片流延引进线的生产研制出一种用于电子陶瓷的α-Al_2O_3粉料。试用结果表明,该粉料晶粒细(平均粒径为3.3μm),可磨性好、对各种成型方法的工艺适应性好。用该粉料制备的95％Al_2O_3瓷的烧成温度较低,机电性能符合要求。     

Y_2O_3-Al_2O_3系统相稳定性研究

研究了Y_2O_3Al_2O_3准二元系内三种已知相的稳定性。YAlO_3(YAP)和Y_4Al_2O_9(YAM)升温下分解,反应物是第三种化合物Y_3Al_5O_(12)(YAG)和未知相(称之为X)。这种分解在粉末中最明显,但是也开始在块状单晶表面上分解。为了验证这种未知相的结构和组分,曾进行了X-射线衍射研究。发现这种热分解是可控制的表面,对YAlO_3的有关形态变化进行光学和扫描电子显微镜研究表明,这种反应包括局部表面熔化,多半是缺氧,它有效地使组份偏离二元组合。     

Si-SiO_2-Al_2O_3结构的电子束辐照效应

<正> 本文介绍了Si-SiO_2-Al_2O_3系统的电子束辐照及实验结果,定性地讨论了辐照能量、剂量及剂量率的影响.根据辐射效应,我们认为Al_2O_3-SiO_2及Al_2O_3-Si结构中Al_2O_3膜内靠近界面处存在有受主型界面态,表现出负电荷性质,辐射的电离效应进一步增强了界面的负电荷效应.同时实验结果还表明电子轰击引起了硅中杂质在界面附近的再分布.     

ZnAl_2O_4/α-Al_2O_3衬底上GaN的生长

研究了直接在 Zn Al2 O4/α-Al2 O3 衬底上用 MOCVD法一步生长 Ga N薄膜 .利用脉冲激光淀积法在α-Al2 O3衬底上淀积了高质量 Zn O薄膜 ,对 Zn O/α-Al2 O3 样品在 110 0℃退火得到了具有 Zn Al2 O4覆盖层的 α-Al2 O3 衬底 ,并在此复合衬底上利用光加热低压 MOCVD法直接生长了纤锌矿结构 Ga N. X射线衍射谱表明反应得到的Zn Al2 O4层为 ( 111)取向 .扫描电子显微镜照片显示随退火时间从小于 3 0 min增加到 2 0 h,Zn Al2 O4表面由均匀的岛状结构衍变为突起的线状结构 ,相应的 Ga N X射线衍射谱表明 Ga N由 c轴单晶变为多晶 ,单晶 Ga N的摇摆曲线半高宽     

激光合成Al_2O_3-WO_3系陶瓷中钨掺杂α-Al_2O_3相的研究──Ⅰ.钨对α-Al_2O_3晶格的掺杂方式

通过X射线衍射及激光拉曼光谱分析,对激光合成Al2O3-WO3系陶瓷中钨掺杂α-Al2O3相进行了深入研究,得出钨对α-Al2O3的掺杂是以替位铝形式进行的结论。     

α-Al_2O_3衬底上GaN膜瞬态光电导性质研究

本文报道了蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３）衬底上ＧａＮ薄膜的瞬态光电导性质．用ＹＡＧ∶Ｎｄ脉冲激光器测量的光电导衰减曲线存在两个特征区域,即起始衰减区域和拖尾区域,分别对应时间常数：τ０１～０．１ｍｓ和τ０２～１．０ｍｓ．在相同偏压和光强下,加热样品至３００℃,光电导衰减曲线的两个特征区域均发生变化,对应的两个时间常数都相应变小．实验结果说明在导带边几十ｍｅＶ内存在大量陷阱．对衰减曲线起始２００ｎｓ取样,发现光照时光电导呈“Ｓ”形上升,停止光照,光电导锐利下降并出现振荡,表明光照停止后,载流子在导带和深陷阱能级的     

掺杂Bi_2O_3-Al_2O_3对NiZn铁氧体耐热冲击性能的影响

研究了在NiZn铁氧体中复合添加Bi_2O_3-Al_2O_3对NiZn铁氧体机械强度和耐热冲击性能的影响,并利用X线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)等对NiZn铁氧体样品的显微结构和电磁性能进行表征分析。实验结果表明,采用传统陶瓷制备工艺,复合添加0.6%Bi_2O_3+1.2%Al2O3(质量分数)能够明显地改善NiZn铁氧体的显微结构,机械强度达到150 MPa,热冲击完好率达到95%,同时还具备了较良好的电磁性能。     

SiO_2-Si界面射频等离子体退火性质研究

众所周知,SiO_2-Si结构中界面态和固定界面电荷以及SiO_2中的陷阱电荷,强烈影响硅平面型器件的性能及其稳定性.因此用退火来降低这些电荷中心是非常重要的.我们用氧气氛低压辉光放电产生的射频等离子体对SiO_2-Si界面退火(简称RFP退火).     

金与SiO_2-Si界面处结构缺陷的互作用

本文通过对晶体硅表面热氧化动力学数据的分析,阐明了有关SiO_2-Si界面结构缺陷的来源及其形成条件、形成过程及其特性。唯象地描述了这些缺陷与金的互作用,进一步阐明了金的界面效应。通过分析得出了如下结论:     

电子浆料用Bi_2O_3-B_2O_3系无铅玻璃粉性能研究

采用高温熔融水淬的方法,制备了w(Bi2O3)为50%～65%,w(B2O3)为25%～40%的Sb2O3掺杂Bi2O3-B2O3系玻璃粉体,研究了Bi2O3和B2O3含量对所制玻璃的玻璃转变温度tg、软化温度tr,线膨胀系数α1以及电阻率ρ等的影响.结果表明,随着w(Bi2O3)的增加,玻璃的tr缓慢下降并维持在490℃左右,熔封温度为550～600℃,α1从62.3×10-7/℃上升至69.1×10-7/℃;在80～200℃,玻璃的ρ为1011～1013Ω·cm.     

硅烷偶联剂对CABS玻璃/α-Al_2O_3复合料流延性能的影响

采用KH-550硅烷偶联剂对CABS玻璃/α-Al_2O_3复合粉体表面进行改性,分析了表面改性对流延浆料流变性能的影响,并讨论了微观结构与介电性能的变化。研究结果表明:在添加2%(质量分数)硅烷偶联剂条件下,浆料的分散稳定性得到了明显改善。在烧结过程中偶联剂与玻璃陶瓷形成了钙长石相,并附着在氧化铝的表面。当硅烷偶联剂质量分数为2%时,试样在850℃烧成性能为ρ=3.05 g·cm~(–3),εr=7.89,tanδ=0.1×10~(–3)(1 MHz),主要性能达到LTCC对基板材料的要求。     

α-Fe_2O_3薄膜的制备、结构和气敏特性

采用等离子增强化学气相淀积工艺(PECVD)制备出了Fe_2O_3薄膜。用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析了薄膜的结构、表面形貌和粒度。研究了薄膜对乙醇、液化石油气、煤气和氢气的敏感特性。结果表明所研制的薄膜对乙醇有较高灵敏度,其检测下限可达1ppm,而对液化石油气、煤气和氢气不太敏感,具有优良的选择性。     

α-Fe_2O_3气敏传感器的研究

用共沉淀方法研制了掺SnO_2的α-Fe_2O_3气敏传感器试样,用X射线衍射研究了这种材料的结构,用扫描电子显微镜观察了烧结品的截面。发现这种材料基本上是由单相的α-Fe_2O_3的微晶粒所组成,试样表面呈多孔状。测量了在天然气、氢等气体中的灵敏度。提出了一个α-Fe_2O_3的气敏机理,用这个机理较完满地解释了在掺SnO_2的α-Fe_2O_3实验中所发现的有关现象。     

Pt/α-Al2O3模型催化剂的界面结构

负载型贵金属催化剂被广泛应用于国民工业生产中，其中，以氧化铝为载体的铂颗粒催化剂在石油重整、汽车尾气处理以及催化加氢等高温催化反应中都有重要的应用。因此，防止贵金属铂颗粒在这些高温催化反应中失效，从而延长其使用寿命具有重要的意义，鉴于此，我们在不同的氢气还原温度下对铂颗粒与氧化铝载体之间的相互作用进行了研究。     

SiO_2-Al_2O_3-SiO_2光子晶体缺陷腔的折射率传感特性

为了提高光子晶体折射率传感器的灵敏度和品质因数,提出了一种基于表面波谐振原理的缺陷态光子晶体-棱镜耦合传感结构。通过分层传输矩阵法对该结构建立传感理论模型,得出古斯汉欣位移与谐振波长的变化关系,从而建立谐振波长与待测样本折射率的关系模型。以SiO2-Al2O3-SiO2作为缺陷腔来代替传统表面等离子体共振(SPR)传感器中的金膜,构成折射率敏感层;采用Al2O3作为吸收层,从而在反射光谱中得到谐振缺陷峰,通过缺陷峰值的漂移实现待测样本折射率的动态监测;以乙二醇溶液为待测样本,对该折射率传感结构的Q值及灵敏度进行了分析。结果表明,其灵敏度约为3596nm·RIU-1(RIU为相对折射率单位),Q值约为1087.7,证明了结构设计的有效性,并可为高灵敏度和高Q值折射率传感器的设计提供一定的理论指导。     

金在SiO_2-Si界面效应的物理化学模型

金在硅体内的性质早为人们所熟悉并在一系列硅器件和集成电路中得到了广泛的应用.然而,对金在SiO_2-Si界面性质的研究则是近些年才开始的,并且现在还没有完整的图象.大家知道,实际硅器件(包括集成电路)表面,总是有一个SiO_2-Si体系,该体系性质好坏对器件性能,可靠性及稳定性影响极大.体系的好坏取决于多种因素;如界面态的多少及其能量分布,氧化膜或表面上电荷所生电场的大小及方向以及硅界面处施     

Au/SiO-2/α-Si:H中Au与α-Si:H的相互作用研究

近年来对Au/α-Si:H系统分形及晶化方面的研究很多[1,2],它们的共同点是双层膜蒸镀都在真空中一次完成,中间不离开真空室,硅分形易于形成且效果非常显著.