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洪伟年 《光纤与电缆及其应用技术》1987,(4)
日本NEC公司已研制成功一种以铟-磷为主要材料的光电集成电路(OEIC),用于发送和接收光信号。这种电路能以1.2Gbit/s的速率转换电光信号。该OEIC包括一块实施光发射的350×900μm基片和一块实施光信号接收的600×600μm基片。前者集成了四只光发送元件,即1.3μm的半导体、三只供激励用的双极晶体管;后者集成了四只光信号接收元件,即PIN光电二极管和三只用于放大的场效应晶体管。 相似文献
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<正> 最近美国邮电研究中心报导了具有高达1.6μm 波长响应的低电容的汽相外延 InGaAs/InP p-i-n 光电二极管和 p-i-n FET 混合光接收器的制备。以前该研究中心报导过波长1.3μm 的 InGaAs/InPp-i-n 光电二极管和 GaAsMESFET前置放大器混合集成的光接收器,其典型的接收灵敏度在140和 280Mbit/sec 下达到-44和-40dBm,误码率为10~(-9)。 相似文献
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五室数字通信课题组 《光纤与电缆及其应用技术》1983,(6)
长波长1.3μm 23km(无中继)光缆数字通信系统于今年九月在上海由电子工业部计三所试验成功。该系统用LD作光源,PIN/FET组件为光检测器件。系统主要技术指标是: 光波长—1.3μm;传输速率—2.048Mb/s;平均发送光功率—odbM;光接收灵敏度—54dbM;误码率—优于1×10~(-9);传输距离—32km。 相似文献
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提出了一种解决CMOS光电集成接收机灵敏度和速度问题的新方法--前均衡法,即在接收放大电路的前端对传输信号进行频率补偿,并分别采用并联谐振回路、三次阶梯网络和高通滤波器峰化技术设计了三种前均衡0.35μm CMOS光电集成接收机.其中,光电探测器选用面积为40μm×40μm的叉指型双光电二极管结构,实验测得该二极管的频率响应带宽为1.1GHz,结电容为0.95pF.对接收机的模拟结果表明:采用三次阶梯网络峰化技术的前均衡方案可有效提高光接收机的灵敏度和速度,并可实现灵敏度为-14dBm,3dB带宽为2GHz,BER为10-12的0.35μm CMOS光电集成接收机. 相似文献
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提出了一种解决CMOS光电集成接收机灵敏度和速度问题的新方法--前均衡法,即在接收放大电路的前端对传输信号进行频率补偿,并分别采用并联谐振回路、三次阶梯网络和高通滤波器峰化技术设计了三种前均衡0.35μm CMOS光电集成接收机.其中,光电探测器选用面积为40μm×40μm的叉指型双光电二极管结构,实验测得该二极管的频率响应带宽为1.1GHz,结电容为0.95pF.对接收机的模拟结果表明:采用三次阶梯网络峰化技术的前均衡方案可有效提高光接收机的灵敏度和速度,并可实现灵敏度为-14dBm,3dB带宽为2GHz,BER为10-12的0.35μm CMOS光电集成接收机. 相似文献
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日本电气公司研制出一种1.2Gb超高速光传送光电集成电路.这种用于光发射和光接收的光电集成电路,把长波长半导体激光器和三极管集成到一块集成块上.发光用的发光集成电路用基片上的磷化铟,把1.3μm带的半导体激光器和驱动此激光器的3个双极晶体管,以及光接收用的光电二极管和3个场效 相似文献
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光电器件和光电子集成及光子集成(OEIC及PIC)是光电子技术的基础,也是整机性能优劣的标志,所以提高OEIC器件性能水平是发展光电子技术的关键。OEIC的概念于1971年首次提出,多年来一直是热门研究课题。70年代末,OEIC进展取得一系列重大突破,1978年,美国第一次成功研制出无腔面的适合于集成要求的DFB激光器,并将一个0.85μm GaAs激光二极管(LD)和一个 相似文献
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用LPE方法在半绝缘InP衬底上制作适用于光电单片集成的InGaAs PIN光电二极管。这种光电二极管具有低的暗电流和高速响应的特点。这种光电二极管在-10V工作电压下,暗电流密度为2.5×10~(-6)A/cm~2。这个值是目前在这种材料系中所报导的最低值。在-5V工作电压下测得光电二极管的外量子效率在1.3μm波长处大于90%。在1.5μm波长处的外量子效率大于83%,这些器件的上升时间小于35PS,半峰值处全宽(FWHM)小于45PS。 相似文献
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日本电气公司在InP衬底上研制成InP光电器件与GaAs电子器件单片集成的1.3μm光通信用发射与接收OEIC。用这种电路块进行了1.2Gbit/s NRZ光信号52.5km光纤无中继传输,接收灵敏度为-26dBm,并保证了4.5dB的光传输余量。发射机芯片含一 相似文献