静电封接工艺介绍

静电封接是在外加电场下进行的封接,故又叫场助封接。这是近十年来较为先进的一种封接技术。它具有快速,简便,牢固,清洁等显著优点。根据静电封接的基本原理,它可以对半导体(或金属)——玻璃(或其他绝缘体)两种类型的材料进行封接。除了平面封接而外,只要设计不同的电极形状,还可以对不规则几何形状的部件进行封接。     

平板式固体氧化物燃料电池的封接

甲板式固体氧化物燃料电池（SOFC）是目前发展的主要趋势，其中的封接技术很关键。本文综述了云母复合压缩封接和玻璃／玻璃陶瓷封接在平板式SOFC中应用的技术进展，比较了各种封接方式的优缺点，并指出了其在不同国家、地区的研究现状和发展趋势。     

双面静电封装工艺的初步研究

叙述了采用ＤＦＪ－Ⅲ型静电封接机进行玻璃－硅－玻璃三层静电封接的工艺方法和典型工艺参数,重点分析了洁净程度、封接温度,封接电压等工艺参数对封接成功率的影响,并提出了在该设备上实现双面静电封接的改进方案。     

窗的低温封接技术

文中论述了将一种Mallory静电封接技术用于玻璃-玻璃的真空密封光学窗封接。讨论了石英光学窗与石英管的成功封接技术。介绍了需作连接的表面的予加工,澄清了几个问题。这些问题是:(1)将石英管切割及研磨成适宜的布儒斯特角;(2)将石英管及光学窗抛光至一定的表面精度;(3)沉积金属化涂层至进行静电封接所需的厚度。扼要地讨论了封接方法,示出并讨论了采用静电技术封接的样品。     

微电子组件封装和封接技术的分析和最新进展

本文比较分析了集成电路,混合微电路和多芯片组件用的封装和封接方法,探讨最佳气密封装和高成品率熔焊以及其它传统的封接方法和焊料封接,玻璃封接和塑料封接,并着重强调了所用的材料和工艺方法,也简述了新出现的技术以及用于具体应用要求中的正确技术和材料的选择。     

陶瓷器件与锗窗口的金属高温封接技术

本文论述了陶瓷与锗的金属高温封接技术的原理和封接方法,并用该技术把TEA CO2激光器的陶瓷端口与锗镜封接在一起了.其封接面的漏气率优于10-12Torr·L/s,并能承受400℃的高温冲击,封接面的物理强度大于锗本身.     

一种简单的静电封接技术

本文论述了静电封接技术的基本原理及其在半导体压力传感器生产中的应用.主要介绍一种简单而廉价的静电封接装置及操作工艺和一些实验结果.这种封接技术不用其它任何粘合剂,将硅与玻璃相接触进行静电封接,形成的硅-玻璃组合体是一种刚性结构.封接时所选用的玻璃的热膨胀系数应与硅的热膨胀系数相接近(Si:2.5×10~(-6)/ k,~#7740 Pyrex glass:3.25×10~(-6)/k),例如:九五料玻璃,派雷克斯玻璃均能获得好的封接效果.静电封接技术的特点是:芯片反刻铝引线不会被氧化(封接时温度在400℃左右),封接牢固、迅速、气密性好,不产生蠕变,能耐高温,耐潮湿,稳定性好.     

非氧化物瓷与金属封接——陶瓷—金属封接技术的新进展

本文综述了非氧化物瓷与金属封接方法及国内外水平,对非氧化物瓷封接基础知识、影响封接成败的主要因素和解决方法作了详细的阐述,此外还对非氧化物瓷的性质及封接性能的测试方法也作了介绍。     

蓝宝石与铌合金的高温封接

通过对蓝宝石的钨金属化,实现了蓝宝石与铌合金的高温封接。实验显示钨金属化活化剂氧化钇的含量对封接件真空气密性、封接强度有着显著影响。此外,封接结构也影响着高温封接件的耐热冲击性能。     

温度对玻璃-金属封接性能的影响研究

温度是影响玻璃-金属封接性能的主要工艺参数。通过对DM305玻璃和可伐合金的封接件(尺寸分别为?5,?10,?20 mm×8 mm)在封接温度960℃与980℃下的封接状况进行模拟和实验,分析了两种温度条件下封接所需的有效时间。考察了相同封接时间下不同温度对封接的影响规律。结果表明980℃封接温度可以有效缩短封接时间,并使玻璃与金属之间结合效果良好,取得较好的封接效果。     

雷达产品关键件制造工艺仿真分析综述

工艺设计质量对保证雷达产品优良的结构和电讯性能起着重要作用。为解决传统工艺设计费用高、效率低的问题,业界在雷达产品关键件工艺研发中引入了数值仿真技术。文中在分析雷达产品关键件结构、材料及工艺特点的基础上,首先介绍制造工艺仿真分析的技术基础,然后综述了数字化仿真技术在雷达关键件数控加工、焊接和热处理、精密成形、复合材料分析以及装联装配等工艺设计过程中的应用,最后对该领域中一些新兴前沿仿真技术的引进应用进行了展望。     

高亮度三极CNT-FED器件的研制

采用钠钙玻璃作为衬底材料,在常规丝网印刷工艺的基础上,设计制作了新型栅极-阴极组控制结构,实现了单条栅极对三个碳纳米管(CNT)阴极电子发射的成组控制。借助玻璃粉封接技术,研究了三极结构场致发射显示器件(FED)的封装和测试。结果表明,CNT-FED器件显示亮度高,阳极电压为1.6kV时,其最大亮度达710cd/m2;栅控特性良好,开启电压约为315V;显示的静态字符发光图像不仅证实了该器件的矩阵寻址功能已经实现,且具有良好的图形显示功能。     

OBE模式下的电子技术课程教学模式改革研究

电子技术因其涉及控制、电路、器件、能量载体等多项教学内容,因此在控制学、机电学和电气学等学科中都有电子技术这一门专业基础课。电子技术课程的知识面十分广泛,且与工程的实际操作结合密切。通过在OBE模式下,对电子技术课程的教学模式进行改革,细化电子技术课程的学习结果及考核方式、结合多种教学方式完成学习目标并完善电子技术课程学习结果的评价方式,以此达到提高电子技术课程教学质量的目的。     

一种新型的半固化片无尘裁切机

一种新型的半固化片无尘裁切机,该设备采用先进的红外加热技术,可使半固化片裁切刃口整齐、不掉粉、不发白、不烧焦,且能够自动封边,解决了传统机械裁切半固化片时带来的粉尘污染、玻璃丝掉落等困扰业界多年的问题;在裁切精度控制方面该设备采用伺服驱动技术,解决了传统剪切机高速状态下定长计量精度差的问题,提高了剪切机的定长计量精度。     

液晶电视材料进展

介绍LCD TV在垂直阵列（VA）、共面开关（IPS）和扭曲向列相（TN）等三种模式下，其工作电压和响应时间与液晶材料介电各向异性等主要参数的关系。探讨这三种模式对液晶材料主要参数的要求和这三种模式液晶材料发展状况。由Merck新开发的极性材料A、挥发性材料B以及强极性材料C可很好地改善LCD TV工作电压和响应时间。     

基于LVC的空间信息网安全控制试验环境

重点研究了借鉴LVC思想的空间信息网安全控制试验环境构建技术。通过对空间信息网传输性能技术特征的研究,建立了空间信息网安全性能评估指标体系,进而分析了空间信息网安全传输控制试验需求。在此基础上结合对试验安全、测试可行性和试验过程控制等因素的综合考虑,提出了一种基于LVC思想的空间信息网安全控制试验环境构建的总体思路和系统体系架构,分析了实现该试验环境所需解决的关键技术,并介绍了该试验环境的典型应用模式。     

电子技术课程的改革研究与实践

电子技术课是高校电子及相关专业一门重要的专业基础课。本项目所开展的工作,是我校多年来探索人才培养模式和教学改革的一项成果,是我校深入开展基于创新人才培养和创新教育课程改革研究的一次探索与实践。本文介绍了该课程作为渤海大学校级重点课程建设的思路和在教学模式、教学内容、教学方法、考试方法等方面进行的一系列改革措施和创新实践。     

高性能功率铁氧体材料的配方与烧结工艺

根据高频开关电源变压器对高性能功率铁氧体材料的要求,分析研究了主配方、微量添加物和烧结工艺对铁氧体材料的高起始磁导率(μi)、饱和磁通密度(Bs)、低功率损耗(Pc)等特性的影响,得出:通过采取优选主结构原材料配比、掺入适量的CaO、SiO2、TiO2、Co2O3等添加物,并与烧结工艺相匹配等措施,即可制得PC44、PC50等高性能功率铁氧体材料。     

Parylene涂覆材料及其应用

介绍了一种热塑性高分子材料派瑞林(Parylene)。首先介绍了不同型号材料的分子结构和Parylene的涂覆过程;接着对其特性进行了较全面阐述,该材料具有良好的物理和机械性能,具有低摩擦系数、优良的耐溶剂性能和耐酸碱特性等突出特点,并将其综合性能和其他常用涂层性能进行了比较。介绍了Parylene涂层在MEMS领域、电子行业、医疗器械以及文物保护方面的应用,及其在微电子领域的应用前景。     

集成电路技术领域最新进展及新技术展望

目前,最先进的CMOS工艺逐渐逼近单原子尺度,单纯靠工艺进步来推动发展的时代即将结束,集成电路发展将进入"后摩尔时代"。在"后摩尔时代",集成电路的发展不会随着"摩尔定律"失效而终结,相反,以应用为导向的需求将使集成电路呈现出更加旺盛的发展活力。在边缘计算、人工智能、5G/物联网等应用需求快速兴起的背景下,从集成电路涉及的材料、器件、工艺、设计、封装、新理论及方法学等方面,详细介绍了"后摩尔时代"集成电路最新进展,分析其发展趋势。最后,简要介绍了未来可能对集成电路当前技术路线产生颠覆性影响的二维器件、量子计算等前沿领域的进展,并进行了展望。