掺杂和未掺杂LEC GaAs中EL2和位错密度分布

测量比较了掺Si和未掺杂LEC GaAs晶锭不同部位EL2浓度和位错密度分布。结果表明,掺Si样品中EL2浓度径向分布和位错密度径向分布分别为M形和W形,而未掺杂样品中两者均为W形。讨论了两者间不同对应关系的机理。     

镁离子注入锑化铟分布的离子微探针测定

锑化铟光伏探测器的核心是p-n结的制作。因此,值得关心结深以及结的分布情况。文献[1]、[2]报导了用阳极染色法和示踪原子法来测定锑化铟p-n结的分布。近几年来采用离子探针法测定结深以及杂质分布,已在硅中得到广泛应用,这是因为离子探针法测量精度高、数据可靠。本文用离子探针测定镁离子注入锑化铟的分布,并用作图法得出实验值的平均     

热迁移掺杂浓度分布的测量

本文介绍了一种热迁移掺杂后形成的片状掺杂区纵向浓度分布的测量方法，并实际测量了约１０００微米范围内的浓度分布。对计量公式和测量误差也给了较为详细的推导和分析。实测发现热迁移掺杂后反型层的杂质浓度基本上是一恒量。     

原位确定GaAsMESFET沟道的掺杂浓度分布和迁移率分布

本文提出一种原位测定ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ沟道中掺杂浓度分布和迁移率分布的新方法．建立了测试模型．推导出测量计算公式．用最优化方法处理实验数据，由机助测试系统和计算程序可方便地获得结果．     

MOS结构中半导体掺杂分布的快速确定

对于离子注入MOS结构的研究,要求采用非破坏性的方法来测定硅中注入离子的掺杂分布。迪耳等人采用MOSC_(最大)/C_(最小)方法的热氧化来测量杂质的再分布。因为它基于假设不均匀掺杂浓度的理论。近来格尔得和佐塔等人的研究表明:从MOS电容—电压关系曲线能够计算出掺杂分布随结深变化的关系曲线。之后,结C—V法中使用的同样的方程也适用于MOS结构,只需要稍微校正与表面的距离。利用这个关系,格尔得和尼柯林等人用脉冲MOS电容—电压方法来测量硅中的杂质分布。这里     

非有意掺杂LEC SI GaAs中EL2分布特性的研究

测量比较了不同条件下热处理后非有意掺杂半绝缘(SI)LEC GaAs中EL2浓度及其分布的变化,为了分析这一变化,还检测了位错和As沉淀的分布。在实验结果基础上,对EL2分布不均匀性的起源和热处理改善EL2分布均匀性的机理进行了讨论。     

微分C—V法和C—V法测量硅外延层杂质纵向分布的指数模型

提出了n/n~+或p/p~+硅外延层电荷密度ρ随x~(n-2)方式变化的正、负指数分布模型。导出了微分C—V法和C—V法杂质浓度纵向分布公式;也导出了两方法的耗尽层宽度公式。引入了n参数[logC—log(V_p—V)直线的斜率负倒数],可免去ASTMF419和SJl551—79逐点测量的麻烦,并使数据处理更为精确。还给出了硅外延层中杂质浓度纵向分布的规律。     

离子注入层少子寿命空间分布的测量

本文分析了非均匀掺杂衬底MOS电容对线性扫描电压的瞬态响应,提出了饱和电容法测量非均匀掺杂MOS电容少子产生寿命空间分布的方法.该方法的优点是测量与计算简单.     

杂质分布的红外光谱椭偏分析方法

在半导体工艺中,掺杂杂质类型、浓度及结深的改变都会引起不同频率的红外光谱,介绍了一种通过红外椭偏仪测量浅结杂质分布的方法。利用Drude方程将Si中不同掺杂与其引起的光学常量的变化对应起来,通过红外椭偏分量Ψ和Δ的测量及模型拟合来测定半导体中载流子的浓度分布。并建立高斯渐变层模型,即将离子注入退火后的非均匀掺杂层分成n小层,各层载流子浓度之间符合高斯分布,且每一层载流子浓度可以用Drude方程来描述。测量采用了可变角度的红外光谱椭偏仪,该测量方法具有非接触性、非破坏性的优点,测量快捷方便。     

Ga阶梯分布改善快速晶闸管耐压特性

利用开管扩Ｇａ系统，分段控制掺杂量，使杂质Ｇａ在硅中形成阶梯形分布，用于快速晶曾管的研制，理论分析与测试结果表明，器件阻断耐压值比原高分布提高２００Ｖ左右，且通态特性和动态特性保持优良。实验证明，Ｇａ的阶梯分布是的晶闸管后条新途径。     

测量脉冲电容器分布电感的实验研究和误差分析

在文献[1]的基础上，本文较深入地讨论了二次谐振法，推导出实用计算公式。简化后，可分别得出变电容法和变频率法，扩大了文献[1]的适用范围和灵活性。对几种脉冲电容器，给出了分布电感变化曲线及短路使用时的Lxo和fo，讨论了谐振法的误差和精度。结束语中还对几种测量分布电感的方法作了比较。     

未掺杂半绝缘GaAs中受主及电中性EL2分布的研究

测量了未掺杂半绝缘（ＳＩ）ＬＥＣＧａＡｓ中总的、电中性的ＥＬ２及净受主浓度分布和碳分布。结果表明，总ＥＬ２浓度径向分布呈Ｗ形而不是均匀的，净受主浓度径向分布呈∧形或∩形而不是Ｍ形。电中性ＥＬ２的Ｗ形径向分布由总ＥＬ２浓度的Ｗ形径向分布决定，而不是由于净受主的不均匀分布。有些样品中净受主浓度远大于碳浓度．意味着这些样品中除碳外还存在高浓度的其它受主。     

AlGaAs中δ掺硅的研究

采用MBE工艺,研究在AlGaAs中δ掺硅,并生长了单δ层和多δ层两种结构。用电化学C-V和SIMS测量离化硅浓度和硅原子浓度分布。SIMS测量结果表明升高硅源温度比延长硅注入时间对提高掺杂浓度更为有效。C-V测量的最高浓度为5×10~(19)/cm~3,高于通常体掺杂浓度;FWHM为70～90A,降低衬底温度可望改善FWHM值。     

非有意掺杂LECSI GaAs中EL2分布特性的研究

测量比较了不同条件下热处理后非有意掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡｓ中ＥＬ２浓度及其分布的变化，为了分析这一变化，还检测了位错和Ａｓ沉淀的分布，在实验结果基础上，对ＥＬ２分布不均匀性的起源和热处理改善ＥＬ２分布均匀性的机理进行了讨论。     

硅结构中载流子浓度纵向分布的自动测量

本文叙述了通过自动电化学C-V剖面图技术,在宽的掺杂和深度范围内,载流子浓度纵向分布的测量。用电化学C-V剖面图技术,可以对扩散层、离子注入层和外延层这样的硅结构,进行自动的载流子浓度纵向分布描绘。它具有操作简便、分辨率高、以及能测高浓度而深度不受限制的优点。     

用平行平板大错位干涉法测量温度场分布

1.非接触式测量温度分布已有多种方法。传统的双光路干涉法~[1]、近代全息干涉法~[2]、散斑照相法~[3]都可以用于这种测量。本文报告用平行平板大错位干涉法测量温度场分布的结果。干涉光路在形式上看是一种共程干涉仪，但由于温度场所引起的变化范围小于错位量，因此，它等效于双光路干涉仪。     

大功率激光光束聚焦光斑功率密度分布直接测量仪的研究

针对激光加工大功率激光功率密度分布测量的要求 ,采用空心探针扫描采样测量法 ,提出并建立了被测激光经探针小孔、探针内通道传输的数学物理模型 ,经计算 ,给出了包括探针微孔孔径、探针内通道尺寸、系统采样点数等系统参数 ,设计了新的测量系统 ,实现了对大功率激光光束、聚焦光斑功率密度分布的直接测量 ,测量结果与理论计算相吻合。测量仪能对CO2 激光和YAG激光进行直接测量 ,测量的功率大于 10kW ,功率密度大于 10 7W /cm2 ,测量激光光束的最大直径为 6 0mm ,激光聚焦光斑的直径小于 0 5mm。     

栅控二极管正向 R- G电流对 SOI体陷阱特征和硅膜结构的依赖性

使用半导体器件数值分析工具 DESSISE- ISE,对侧向的 P+ P- N+栅控二极管的正向 R- G电流对 SOI体陷阱特征和硅膜结构的依赖性进行了详尽的研究 .通过系统地改变硅膜体陷阱的密度和能级分布 ,得出了相应的 P+ P-N+ 栅控二极管的正向 R- G电流的变化 .同时 ,表征硅膜结构的参数如沟道掺杂和硅膜厚度的变化也使器件从部分耗尽向全耗尽方向转化 ,分析了这种转化对 R- G电流大小和分布的影响     

多孔硅纵向孔隙率与残余应力分布的研究

利用电化学方法在p型重掺杂单晶硅(100)基体上制备了多孔硅薄膜,通过质量计算法得到多孔硅的孔隙率,并研究了多孔硅孔隙率随腐蚀深度变化的规律。利用显微拉曼光谱技术对多孔硅纵切面上的残余应力进行了测量,结果表明,多孔硅的孔隙率随腐蚀时间/深度的增加有先增加后减少的趋势;多孔硅纵向上存在拉伸残余应力,拉伸应力的分布与纵切面上孔隙率的分布成正比,先增大,再减小;到达多孔硅与基体硅的界面处时,拉伸应力减小为零,靠近硅一侧,转变为压应力;残余应力的最大值出现在临近多孔硅表面以下的区域。这主要与多孔硅制备过程中孔内HF酸浓度的降低和硅/电解液表面的电偶层有关。     

LEC GaAs中碳的分布及其对材料特性影响

用碳的局域振动模(LVM)红外吸收的方法测量了未掺杂半绝缘(SI)LECGaAs中碳的纵向和横向分布,对碳的掺入机理、影响碳分布的因素进行了讨论,并对碳含量与材料热稳定性的关系进行了分析研究。