“三次扩散-一次氧化-镀镍-锡锅焊接”生产200A平板型可控硅

我们用“三次扩散-一次氧化-镀镍-锡锅焊接”代替“二次扩散-一次氧化-蒸铝-烧结”工艺生产200A 平板型可控硅,可以省却使用真空烧结炉、蒸发台、超声波点焊机等昂贵的设备,且其工艺简单,生产的器件动态特性好过载能力强,平均压降为0.6～0.7V。     

“全扩散—镀镍”工艺生产晶闸管管芯

“全扩散-镀镍”工艺具有节省黄金、技术与经济性较好的优点,国内已多用于功率整流二极管管芯的生产中.本文介绍了采用该工艺生产晶闸管管芯的工艺设计、技术情况.成果已获安徽省1987年优秀科技咨询项目二等奖.     

硅太阳能电池电镀工艺及设备

利用电镀工艺进行硅光伏电池电极制作,可有效提高光伏电池的光电转换效率,通过化学镀镍工艺在非金属材料硅表面获得金属沉积层,是一种相对简单,易控制的方法.文章通过研究化学镀镍溶液中镍离子浓度、次亚磷酸钠浓度、温度、pH值、溶液流速等不同工艺参数的控制,从而获得溶液稳定性高、镀层质量好、沉积速度快的化学镀镍工艺.     

化学镀镍钯金电路板金丝键合可靠性分析

在微组装工艺应用领域，为保证印制电路板上裸芯片键合后的产品可靠性，采用化学镀镍钯金工艺（ENEPIG），可在焊接时避免“金脆”问题、金丝键合时避免“黑焊盘”问题。针对化学镀镍钯金电路板的金丝键合（球焊）可靠性进行了研究，从破坏性键合拉力测试、第一键合点剪切力测试以及通过加热条件下的加速材料扩散试验、键合点切片分析、键合点内部元素扫描等多方面分析，与常规应用的镀镍金基板键合强度进行了相关参数对比，最终确认了长期可靠性满足产品生产要求。此外，对镍钯金电路板金丝键合应用过程中需要注意的相关事项进行了总结与说明。     

化学镀镍金新工艺技术在印制板中的应用

在简单介绍印制板化学镀镍金工艺原理的基础上,对化学镀镍金之工艺流程、工艺控制、可焊性控制及工序常见问题进行了较为详细的论述和分析。     

热处理对化学镀镍层微观结构和电性能的影响

<正> 为了提高陶瓷电容器化学镀镍电极的电性能和机械强度,降低镀镍电极电容器的高频介电损耗,我们探讨了热处理对镀镍层微观结构及电性能的影响。通过实验和分析摸索出一套简单适用的热处理工艺。采用该工艺进行热处理的电容器,其介电损耗得到明显下降。     

陶瓷-金属封接的化学镀镍工艺

讨论了陶瓷-金属封接中化学镀镍与电镀镍工艺及相互之间的区别。     

用红外光弹测量功率整流管工艺中的残余应力

利用红外光弹系统，采用森纳蒙特（Ｓｅｎａｒｍｏｎｔ）补偿法，对功率整流管制备过程中扩散和镀镍工艺所引入的残余应力进行了测量和讨论．获得扩硼铝、扩磷和镀镍硅片中的应力值，并给出了残余应力在硅衬底片中的分布图．     

电荷耦合器件的结构及工艺

CCD(电荷耦合器件)于贝尔实验室问世的时候,当时认为它的一个优点就是制造工艺简单。因为CCD在原理上不需要进行源、漏扩散,只需要进行场氧化层与金属布线的两次光刻,而普通MOS工艺则至少要进行四次光刻,相比之下,工序就大大减少了。在初期的简单一层栅表面沟道CCD(SCCD,见图1(a))结构中,注入少数载流子(例如采用光激发注入),经过转移后在MOS电容器上取出输出信号,工作原理也很简单。然而,随着特性与制造工艺的不断改进,结构与制造工艺都变得复杂起来了,原先所谓的“CCD制造工艺简单”的说法,现在已经不再适用了。     

采用钼-锰法的氧化铝瓷与金属的封接

所谓“钼锰法”就是采用金属化、镀镍随后用焊料焊接以形成陶瓷金属密封封接的许多方法中的一种。用这种方法将高氧化铝(94%Al_2O_3)瓷圆片和可伐件封接在一起。测量了封接层的抗张强度并用光学显微镜和扫描电子显微镜以及电子探针微分析仪来检查和分析了封接层.其结果如下: (1)当陶瓷在1450℃保温60分钟的条件下金属化时,封接层的抗张强度最大。 (2)封接层是由许多层构成的,这些层按下列次序排列: 陶瓷-中间层-金属化层一镀镍层-硬焊料层一镀镍层-可伐。中间层是由Al_2O·MnO和MgO以及少量的SiO_2和CaO-起组成的。层中的主要结晶相是MnO·A_2O_3。中间层的厚度与其相邻的金属化层的厚度成比例。 (3)铝-锰金属化层中的气孔被玻璃相和镍填充,前者来自陶瓷,后者来自镀镍层。这些物质的渗入和相互扩散形成牢固的真空密封层.     

高频钎焊在微波电子管中的应用

微波电子行波管的高频系统往往要采用结构复杂的不锈钢零件，为解决这些零件常规钎焊工艺条件下存在的润湿性差、生产周期长以及不适于批量生产的问题，本文采用了冲击镀镍-高频钎焊的新工艺。实际应用表明，采用这一工艺，不仅较好地解决了不锈钢表面的润湿问题，而且焊接过程工艺简单、快捷。这一工艺已成功应用于产品的批量生产。     

一种采用三次扩散晶体管的55ns64K动态RAM

为了获得高性能动态MOSRAM,有三种关键的器件工艺参数。高性能晶体管、低电阻互连线和较小的寄生电容可以实现高速度和低功耗工作。 我们推荐了一种可以满足以上要求的三次扩散MOS晶体管,成功地制作了一种新型的64K动态MOSRAM,它具有栅长为2.0微米的三次扩散MOS管结构。在功耗为150毫瓦时,发现这种RAM的典型存取时间为55毫微秒。 由于采用三次扩散MOS晶体管,减少了短沟道效应,降低了栅-漏/源的复盖电容和寄生电阻,使RAM有可能具有如此优异的电气性能。     

常规扩硼工艺中二次缺陷的产生和控制

一、引言 大量的研究工作业已证明,工艺过程引入的二次缺陷是影响半导体器件成品率和可靠性的主要因素之一。在材料制备、热氧化和扩散等高温过程中均可能引入二次缺陷,但是研究工作表明,常规工艺中最易产生二次缺陷是杂质扩散工艺,而且大部分的二次缺陷是在高浓度的杂质扩散中产生的。     

化学镀镍在MLC三层端电极中的应用

本文通过置换反应在ＭＬＣ端头银电极上沉积出金属钯，在钯的催化作用下，在ＭＬＣ银砂上可以通过化学镀镍形成一层厚度均匀而且致密的镍磷合金。与电镀相比，化学镀镍工艺简单，对于ＭＬＣ性能的影响较小。     

表面处理工艺的新发展简

文章简述了当下流行的有机涂覆（OSP）、化学镀镍浸金（ENIG）、化学镀镍镀钯浸金（ENEPIG）等表面处理技术的发展现状;并对浸银（IAg）、浸锡（ISn）和直接浸金（DIG）以及自组装单分子（SAM）等新工艺进行了简单讨论,并提出了一些降低工艺成本,改进技术,提高工艺可靠性的方法。     

新产品与新技术（63）

化学镀镍溶液的循环使用日本Murata公司开发了一项化学镀镍液循环使用实现零排放技术,有利于环境保护和节约成本。此技术的特征是：镀镍溶液中镍盐是用次亚磷酸镍,而非硫酸镍;溶液pH维持使用次亚磷酸和氢氧化钙;溶液中亚磷酸离子浓度超量由添加氢氧化钙产生亚磷酸钙沉淀除去。（表面技術,2011/12）应用聚吡咯纳米分散液的新化学电镀日本Achilles公司开发了一种新的化学电镀工艺。     

金属—氧化物—半导体集成电路(一)

金属-氧化物-半导体工艺是一种较新的技术。目前正愈来愈多地用在集成电路和大规模集成电路的制造中。遵照伟大领袖毛主席的“我们必须打破常规,尽量采用先进技术”的教导,选译了“金属-氧化物-半导体集成电路讲座”,供同志们参考。“讲座”共分六个部分,本刊从这一期起在“知识讲座”一栏中予以连载。     

单片集成电路中镍—铬电阻的制作

本文介绍单片集成电路中采用高精度、高可靠性和低温度系数镍-铬金属薄膜电阻代替扩散电阻的情况,详细论述镍-铬电阻的制作工艺、操作过程及工艺中的注意事项。实验表明,严格控制工艺条件是保证制取优值镍-铬电阻的关键。     

SIT制造中的低温二次外延工艺

ＳＩＴ之类的隐埋栅结型场效应管，在制作工艺中，为了达到把“栅”隐埋起来的目的，必须采用二次外延工艺．本文讨论了二次外延工艺的特点及采用硅烷外延实现二次外延的质量控制。     

一种用于TCXO的三次函数电路设计

基于标准CMOS工艺设计了一个三次函数发生电路,该电路能产生一个与温度呈三次函数关系的电压来对晶体振荡器进行温度补偿.通过调整电路的参数,可以对不同型号的晶体振荡器进行精确的温度补偿.电路采用CSMC 0.5wn CMOS工艺实现,电路结构简单,版图面积小,且功耗较低.补偿结果显示,在-35℃到85℃范围内,补偿后的晶体频率精度可以达到±1.5ppm.