热超声倒装焊在制作大功率GaN基LED中的应用

设计了适合于倒装的大功率GaN基LED芯片结构,在倒装基板硅片上制作了金凸点,采用热超声倒装焊接(FCB)技术将芯片倒装在基板上.测试结果表明获得的大面积金凸点连接的剪切力最高达53.93 g/bump,焊接后的GaN基绿光LED在350 mA工作电流下正向电压为3.0 V.将热超声倒装焊接技术用于制作大功率GaN基LED器件,能起到良好的机械互连和电气互连.     

金凸点热超声倒装焊工艺研究

系统地研究了金凸点热超声倒装焊工艺参数,结果表明:焊接压力越大,芯片剪切强度越大,其随着焊接压力的提高而升高。压力不足会导致凸点形变量不足,与基板接触程度不足,压力过大会造成凸点严重变形,凸点已完全平坦化,沿四周过度扩展,焊接压力约为35~45 g/球比较合理;超声功率在40%及以上,剪切力趋于平缓,根据试验结果,使用的超声功率应该从“剪切力/超声功率”曲线的“上坡段”选取,约40%比较合理;随着焊接时间的延长,剪切力先增大,后逐渐减小,对焊接时间而言,过长的超声时间是无效的,反而会使本来已实现焊接的界面反复摩擦和塑性形变而损伤,结合强度降低,合理的焊接时间为1 s左右。经试验考察,当前的焊接工艺参数,在经历长寿命,以及比较严苛的温度应力之后,具有较好的可靠性。     

倒装芯片及封装技术

介绍了倒装芯片的发展过程，其中主要对制造技术、封装方法及倒装焊焊点的可靠性进行了评述。     

采用热压焊工艺实现金凸点芯片的倒装焊接

金凸点芯片的倒装焊接是一种先进的封装技术.叙述了钉头金凸点硅芯片在高密度薄膜陶瓷基板上的热压倒装焊接工艺方法,通过设定焊接参数达到所期望的最大剪切力,分析研究互连焊点的电性能和焊接缺陷,实现了热压倒装焊工艺的优化.同时,还简要介绍了芯片钉头金凸点的制作工艺.     

凸点芯片倒装焊接技术

凸点芯片倒装焊接是一种具有发展潜力的芯片互连工艺技术。目前主要有C4、热超声和导电粘接剂等工艺方法,本文介绍了这三种工艺的技术特点、工艺流程及应用领域。     

基于倒装焊芯片的功率型LED热特性分析

对LED的导散热理论进行了研究,推导出了倒装焊LED芯片结温与封装材料热传导系数之间的关系。通过分析倒装焊LED的焊球材料、衬底粘结材料和芯片内部热沉材料对芯片结温的影响,表明衬底粘结材料对LED的结温影响最大,并且封装材料热传导系数的变化率与封装结构的传热厚度成反比,与传热面积成正比。该研究为倒装焊LED封装结构和材料的设计提供了理论支持。     

用于倒装芯片的晶片凸点制作工艺研究

倒装芯片在电子封装互连中占有越来越多的份额,是一种必然的发展趋势,所以对倒装芯片技术的研究变得非常重要。倒装芯片凸点的形成是其工艺过程的关键。现有的凸点制作方法主要有蒸镀焊料凸点、电镀凸点、微球装配方法、焊料转送、在没有UBM的铅焊盘上做金球凸点、使用金做晶片上的凸点、使用镍一金做晶片的凸点等。每种方法都各有其优缺点,适用于不同的工艺要求。介绍了芯片倒装焊基本的焊球类型、制作方法及各自的特点,总结了凸点制作应注意的问题。     

大功率氮化镓基LED关键技术研究

对大功率氮化镓基LED的关键技术,尤其是大芯片LED的结构设计,p电极的选择与制备,提取效率的提高以及倒装焊技术做了重点的介绍与讨论.     

用于倒装芯片的金球凸点制作技术

倒装芯片中凸点用于实现芯片和基板的电路互连,芯片凸点的制作是倒装芯片技术的关键技术之一.对金球凸点制作进行了介绍.金球凸点直接粘附于芯片上,同时又可具有电路互连的作用,可以完成倒装芯片与基板的电气连接.金球凸点的优势是简单、灵活、便捷、低成本,最大特点是无需凸点下金属层(UBM),可对任意大小的单个芯片进行凸点制作,平整度可达到±4μm.     

倒装焊接技术及其发展

文章主要介绍了倒装片技术从起源到现在的发展状况,并对倒装片的工艺优点及电气方面的优点作出评价,提出倒装片将成为今后大型计算机组装工艺中的关键技术。     

A Preliminary Electron Backscatter Diffraction Study of Microstructures and Microtextures Evolution during Au Stud and Flip Chip Thermosonic Bonding

Microstructures and microtextures of the gold wire, free air ball, Au stud bumps and flip chip bonding bumps were analyzed using Electron Backscatter Diffraction (EBSD). It is demonstrated that process parameters, such as bonding power, force and temperature have significant influences on the microstructure and microtexture of gold bumps. The non-uniform deformation, the associated microstructure defects and the local textures of the Au bumps under the vertical force and the horizontal ultrasonic wave applied are presented and discussed.     

现代微光电子封装中的倒装焊技术

结合我们设计制作的倒装焊光电子器件—智能像素面阵 ,对倒装焊的工艺过程作了简要的介绍。该面阵采用铟做凸点材料 ,制作了输入输出数达 6 4× 6 4的凸点电极阵列 ,并采用回流焊的方式 ,将光电调制器面阵与对应的处理电路芯片对准后加热回流实现焊接 ,形成输入输出引线间距只有 80 μm的面阵器件     

倒装焊器件封装结构设计

倒装焊是今后高集成度半导体的主要发展方向之一。倒装焊器件封装结构主要由外壳、芯片、引脚(焊球、焊柱、针)、盖板(气密性封装)或散热片(非气密性封装)等组成。文章分别介绍外壳材料、倒装焊区、频率、气密性、功率等方面对倒装焊封装结构的影响。低温共烧陶瓷(LTCC)适合于高频、大面积的倒装焊芯片。大功率倒装焊散热结构主要跟功率、导热界面材料、散热材料及气密性等有关系。倒装焊器件气密性封装主要有平行缝焊或低温合金熔封工艺。     

焊料凸点式倒装片与引线键合成本比较分析

文章讨论了引线键合芯片与板上或有机基板上焊料凸点式倒装片的成本比较问题。核查了IC芯片效率、金丝与焊接材料及这些技术使用的主要设备对成本的影响。采用有用的公式和图表,确定成本,并比较了采用这些技术的成本状况。     

一种LED驱动芯片开路检测电路设计与实现

小间距发光二极管(LED)显示屏凭借其画面清晰细腻、色彩自然真实、流畅无闪烁等优点,得到广泛应用。为解决小间距LED显示屏因寄生电容影响而产生的开路十字架问题,采用在模拟电路部分判断开路状态并产生开路信号,在数字部分根据开路信号记录开路位置并屏蔽输出的方式,设计了一种新的检测过程简单、精确度高、面积小、功耗低、支持实时检测的电路,并在某款多路恒流LED驱动芯片中得到应用,成功解决了开路十字架问题。仿真结果和实际样片测试结果表明,所设计的开路检测电路检测精确简单、功耗低,并支持实时检测。