程控电话交换机过电流保护元件用高性能PTC陶瓷的研制

阐述了高性能ＰＴＣ陶瓷材料制备的基本要点，并以基方固溶体化学组成、原材料选择、复合添加物改性以及特定烧结工艺等方面开展工作，制得了居里温度为９０℃左右、室温体积电阻率为３０Ω·ｃｍ，电阻率突变ρνｍａｘ／ρνｍｉｎ＞１０５、电阻率温度系数α≈１５％／℃、耐电压强度≥１５０Ｖ／ｍｍ的高性能ＰＴＣ陶瓷材料。此材料制得的元件能满足程控电话交换机过电流保护的要求。     

溶胶包覆对BaTiO3陶瓷晶粒尺寸的影响

采用溶胶–凝胶技术制备BaTiO3溶胶,然后把该溶胶与晶粒尺寸为100nm的水热法BaTiO3粉体混合在一起,形成了同组成溶胶对同组成粉体的包覆。结果表明:溶胶的掺入降低了试样的烧结温度,包覆能抑制晶粒长大,试样致密成分均一。最终试样晶粒尺寸由包覆前的2~5μm,减小到包覆后的0.4~1μm,而且试样较致密,其密度基本在理论密度的95%以上。     

溶胶–凝胶法制备BaTiO3薄膜的研究

以醋酸钡和钛酸丁酯为原料,应用溶胶–凝胶法在 Al2O3基片上制备了 BaTiO3薄膜。具体分析了原料、溶剂、催化剂、溶液的 pH 值、螯合剂和表面活性剂对溶胶–凝胶体系的影响,以及加水量、乙二醇加入量和醋酸对溶胶–凝胶黏度的影响。并且可以把掺杂离子加入到溶胶–凝胶中,为调节 BaTiO3薄膜的性能打下了良好的基础。     

掺杂Ag元素对溶胶–凝胶一步法制备BaTiO3基PTCR陶瓷性能的影响

为改善PTCR陶瓷材料的电学性能,采用AgNO3作为Ag掺杂原料,用溶胶–凝胶一步法合成了含Ag元素的BaTiO3基PTCR陶瓷,着重讨论了银含量对半导体陶瓷电学性能的影响规律.结果表明,适量的Ag掺杂对材料的室温电阻率(β)影响不大,并且还可以有效提高PTCR陶瓷的温度系数(αR)和耐电压(Vb).本实验中掺杂0.05%Ag(摩尔分数)时,获得的PTCR陶瓷性能较好:ρ≈28Ω@cm,α25＞16%℃-1,Vb＞180 V@mm-1.     

低温烧结BaxSr1-xTiO3玻璃陶瓷

采用溶胶–凝胶法制备出均匀的Ba-Sr-Ti-Pb-B-Si-O凝胶玻璃,通过适当的热处理,原位析出BaxSr1-xTiO3(BST)微晶,同时在一定温度下获得Pb-B-Si-O玻璃相。玻璃相的存在降低了BST玻璃陶瓷的烧结温度:烧结温度在1 000℃以下,体积密度达到理论密度的90%以上。由于Pb2+取代了Ba2+、Sr2+,形成PbTiO3,导致了BST玻璃陶瓷的居里温度向高温方向移动。     

硬脂酸凝胶法制备的BaTiO3超微粉和陶瓷

用硬脂酸凝胶法制备了BaTiO_3超微粉.并通过XRD、介电和热释电等方法研究了这种超微粉以及由其制备的陶瓷的结构和其它物性.发现它们的性质与常规的BaTiO_3陶瓷极为不同.只有一个铁电一顺电相变、而且铁电相的结构为准立方结构.它可能是由于这种超微粉表面包裹一层偏离BaTiO_3化学配比的非铁电材料,使BaTiO_3微晶机械受夹,不能自由产生铁电畸变所致.     

用溶胶凝胶法制备湿敏陶瓷和传感器的研究进展

溶胶凝胶法是通过软化学方法剪 裁材料并合成高性能陶瓷的重 要手段,在制备湿敏陶瓷及传感 器方面具有一系列突出的优点,得到了 广泛的应用。本文综述了国内外在这方 面的研究进展。1.引言 溶胶凝胶法制备湿敏陶瓷一般采 用无机盐或金属醇盐为前驱物,将前驱 物溶于溶剂中,加入所需的掺杂物质和 化学添加剂,经水解、缩聚后制成稳定 的溶胶。溶胶经适当处理制得粒度均匀 的陶瓷粉料,经压片、烧结制得多孔湿     

CaO-SiO2-B2O3基板材料制备的研究

研究高温熔融法制备的CaO-B2O3-SiO2与溶胶凝胶法(sol-gel)法制备的CaO-B2O3-SiO2按不同比例制备的复相陶瓷,在850℃烧结温度下的晶相组成、微观结构、烧结性能、介电性能与导电浆料的匹配性.结果表明高温熔融法制备的CaO-B2O3-SiO2晶相含有大量的CaSiO3与少量的CaB2O4.添加sol-gel法制备的CaO-B2O3-SiO2后晶相无明显变化,但经SEM分析CaSiO3晶相长大,改善了体系的烧结性能与介电性能.当添加量为15.5%,在1 MHz下,可获得εr=5.80,tgδ=0.46× 10-4.     

La和Y掺杂对BaTiO3基PTC陶瓷性能的影响

采用低温固相反应法(800℃)合成了一系列纳米掺杂BaTiO3基PTC瓷粉。经XRD分析,产品为立方晶系的完全互溶取代固溶体。分别研究了La和Y双施主掺杂以及烧结条件对材料PTC性能的影响,实验表明,以La和Y进行双施主掺杂可使材料的室温电阻进一步降低,升阻比提高。通过合理地调整双施主的相对含量,优化烧结制度,制备出了室温电阻为14.25?,升阻比达3.7×104的PTCR材料。     

Ni/BaTiO3陶瓷复合材料的制备及其PTC效应

为获得低室温电阻率的PTC材料,以草酸为沉淀剂,采用液相包裹法制备了NiC2O4·2H2O/BaTiO3前躯体,并由其热分解制得Ni/BaTiO3基陶瓷复合材料。对该复合材料的研究表明,在还原气氛下烧成的Ni/BaTiO3基陶瓷复合材料具有很弱的PTC效应,但其PTC效应可通过适当的热处理工艺(600℃,空气气氛)得到有效恢复。其升阻比与室温电阻率为:(ρmax/ρmin=60)和(ρ=6.1?·cm)。     

PTC陶瓷生产中影响稳定及重复性的因素

评论了组成、烧结等因素对ＰＴＣ陶瓷生产中稳定及重复性的影响。归纳了一些获得稳定及高电阻温度系数α材料的原则。通过生产实例说明应用这些原则可获得高α的ＰＴＣ材料（Ｔｃ≈２３０℃）。     

Bi2O3掺入对CLST微波介质陶瓷性能的影响

研究了Bi2O3掺入对CaO-Li2O-Sm2O3-TiO2(简写为CLST)系微波介质陶瓷介电性能的影响。用XRD和SEM研究其晶体结构及微观形貌。结果表明:Bi2O3掺入能显著降低CLST陶瓷的烧结温度,由1300℃降至1200℃,1200℃烧结2h后,仍形成了斜方钙钛矿结构,但原有金红石相消失。掺入5%(质量分数)Bi2O3的CLST陶瓷取得了较好的介电性能:εr为93,tanδ为0.0078,τf为–29×10–6℃–1。     

高性能SrTiO_3基高压瓷介电容器材料

研究了在SrTiO3-PbTiO3- Bi2O3·3TiO2系中分别添加CaTiO3和MgTiO3对材料介电性能的影响,利用复合添加MgTiO3、CaTiO3、MnO2、Nb2O5、SiO2对SrTiO3-PbTiO3- Bi2O3·3TiO2系介质材料进行改性,制得εr=1500～2000耐压Eb≥12 MV/m、损耗tgδ≤6×104的高压瓷介电容器材料。     

工艺对细晶BaTiO_3基陶瓷性能的影响

研究了大容量热稳定细晶BaTiO3基陶瓷的工艺过程,过程一般包括BaTiO3粉料的预处理、混合和烧结等。通过对共沉淀合成的BaTiO3进行热处理,以在1 000℃以上形成四方相;通过对烧结温度,球磨时间,保温时间等因素的严格控制,并且选择恰当的工艺条件,有利于改善系统的介电性能。     

Pr对Pr-Mn共掺BaTiO3陶瓷的气相扩渗及其PTC特性

在制备Pr-Mn共掺BaTiO3系列陶瓷(x(Mn)为0.006;x(Pr)为0,0.001,0.002,0.003,0.004,0.006)的基础上,对其在气态下扩渗Pr。经Pr扩渗后,陶瓷的室温电阻率降低为0.21Ω.m。变温电阻率的测试结果表明,陶瓷呈明显的正温度系数(PTC)效应。通过X-射线衍射(XRD)测试,发现Pr-Mn共掺并没有改变物相结构,Pr气相扩渗后,有新化合物PrO2和BaPr2Ti4O12生成。扫描电镜(SEM)测试结果表明,Pr气相扩渗有细化晶粒,增大晶界比例的作用,有利于材料的PTC效应。     

Si_3N_4在BaTiO_3基低阻高性能PTCR陶瓷材料中的作用

要同时保证 PTCR材料和元件具有低室温电阻率和较高的 PTC特性 ,有较大难度。研究了添加 Si3N4作为烧结助剂 ,对 PTCR材料的显微结构和电学性能的影响。同添加 Si O2 作为烧结助剂相比 ,添加 1.0 %的 Si3N4的 PTCR材料更易同时满足低阻高性能要求。     

BaTiO3基PTC瓷粉的制备现状与发展趋势

介绍了颗粒表面改性法,柠檬酸盐溶液–液相包裹法和高分子网络凝胶–液相包裹法等采用表面改性技术的PTC瓷粉制备方法。重点介绍BaTiO3基PTC瓷粉非均匀形核表面包覆制备的原理、特点、研究现状和应用前景。认为BaTiO3基PTC瓷粉的制备,有向液相表面包覆发展的趋势,非均匀形核表面包覆,是一种较具潜力的高性能PTC瓷粉制备方法。     

X7R型BaTiO3基复相陶瓷的制备和表征

本文使用ZBSO纳米复合物作为助烧剂,利用溶胶-凝胶法制备了钛酸钡(高温组元,记为BT)和Nb、Co、Nd掺杂钛酸钡基(低温组元,记为BTCNC)复相陶瓷。研究了高低温组元比例对陶瓷相组成,微观结构和介电性能的影响。实验结果表明,当高低元配比为0.83BT~0.17BTNCN时,加入0.25 wt%的助烧剂,所得复相陶瓷在1 200℃烧结6h后,其介电性能满足X7R标准,最大容温变化率小于13%。