光刻中驻波效应的影响分析

驻波效应是抗蚀剂在曝光过程中的寄生现象。一般认为,驻波效应对薄胶的光刻图形有较大的影响,而对厚胶的光刻图形影响不大。根据DILL曝光模型进行了模拟计算,分析了在曝光过程中抗蚀剂折射率的改变对驻波强度和位置的影响以及驻波效应引起抗蚀剂曝光剂量分布的变化,并结合MACK显影模型分析了当抗蚀剂的厚度改变时,驻波效应对其显影轮廓的影响程度,计算分析得出了一个可以不采用后烘工序的抗蚀剂厚度值。     

微光刻中的驻波效应研究

本文阐述了驻波效应的成因及其对微细图形光刻，特别是对深亚微米和亚半微米光刻的影响；分析了驻波强度分布；根据抗蚀剂的物理和化学机制，建立了抗蚀剂显影过程的数学和物理模型，并开展了计算机模拟和光刻曝光实验；研究了减小驻波效应的方法；给出了部分模拟和实验结果。     

微细图形光刻计算机模拟软件

本文介绍了新近开发成功的ＢＥＨＡＶＥ软件。该软件具有良好的交互式界面，全面高效的计算模拟功能，是研究探讨微细图形光刻中的驻波效应以及整个微细图形光刻工艺计算模拟的强有力工具。     

负性化学放大胶的光刻模型及模拟

在Ferguson的负性化学放大胶（CAR）后烘反应动力学模型基础上，增加了后烘过程中光致酸扩散模型，通过后烘模型的简化，得到了简化的后烘反应扩散动力学模型。将模拟图形与Ferguson的实验图形进行了比较，结果显示，简化的后烘反应扩散动力学模型比单纯的后烘反应动力学模型更准确，且程序运行占用的电脑资源更少。另外，通过不同曝光时间下的显影过程模拟，清晰地反映了光刻胶显影的过程，其结果与实际相符，对实际光刻工艺有较好的参考意义。     

厚胶光刻中光敏化合物浓度空间分布研究

厚胶光刻过程是一个复杂的非线性过程，其光刻胶内光敏化合物(PAC)浓度空间分布是影响显影面形的主要因素。根据厚层胶光刻的特点，结合光化学反应机理，利用角谱理论，分析了在曝光过程中光刻胶内衍射光场和PAC浓度的空间分布随时间的动态变化，以及后烘(PEB)过程对PAC浓度空间分布的影响。该方法数值计算结果准确，且速度快。数值模拟表明，其内部衍射光场分布与PAC浓度分布是一个动态的、非线性的相互影响过程；后烘工艺可平滑PAC浓度空间分布；PAC浓度空间分布是影响浮雕面形边沿陡度的一个重要因素。     

电子束光刻中邻近效应的Monte Carlo模拟

电子束光刻不受衍射效应的限制，具有高分辨率和能产生特征尺寸在100nm以下图形的优点。目前，国际上正在将角度限制散射的投影电子束光刻技术作为21世纪100纳米以下器件大规模生产的主流光刻技术进行重点开发。     

电子束光刻中邻近效应校正的几种方法

本文简要介绍了限制电子束光刻分辨率的主要因素之一-邻近效应的产生机制,列举了校正邻近效应的GHOST法、图形区密集度分布法和掩模图形形状改变法,介绍了每种方法的原理、步骤和效果,比较了它们各自的优缺点.     

一种提取电子束光刻中电子散射参数的新方法

在电子散射能量沉积为双高斯分布的前提下,提出了一种提取电子束光刻中电子散射参数α,β和η的新方法.该方法使用单线条作为测试图形.为了避免测定光刻胶的显影阈值,在实验数据处理中使用归一化方法.此外,用此方法提取的电子散射参数被成功地用于相同实验条件下的电子束临近效应校正.     

烘焙工艺条件对厚胶光刻面形的影响

采用厚层正性光刻胶AZ P4620进行光刻实验,考察了在前烘和坚膜阶段不同的工艺参数条件下的光刻胶浮雕面形的变化.实验表明,完全显影后光刻胶的浮雕面形受前烘工艺参数的影响很小,但其显影速率有一定差别;当坚膜烘焙后,不同前烘条件下的浮雕面形差别较大;当前烘条件相同时,坚膜参数的变化对光刻胶的浮雕面形影响较大.由此得出,在前烘阶段应采取较高温度、较短时间的烘焙,而在坚膜阶段应采取较低温度、较长时间的烘焙,这样可提高厚胶光刻面形的质量.     

一种新型驻波直线超声电机的研究

所叙述的一种新型驻波直线超声电机,它利用单相信号激发出动子的一阶弯曲模态,完全不同于一般直线型超声电机利用纵－弯或弯－弯复合模态。文中详细研究了适用于自振荡电路来驱动的该电机的原理、齿的运动轨迹,用有限元分析了该电机动子的工作模态,并在实验上验证了上述理论的正确性。     

降低射频同轴电缆组件电压驻波比的方法

为解决由于射频同轴电缆组件电压驻波比大引起的放大器自激问题,对影响电缆组件电压驻波比的因素进行了分析。通过电缆组件电压驻波比的计算公式,阐述了电缆剥头尺寸和组件焊接方法在电缆组件装接过程中的重要性,提出了降低组件电压驻波比的方法。通过对电缆剥头尺寸、组件焊接和测试方法的改进,降低了驻波比。经实际测试和应用,组件满足使用要求,消除了自激现象。     

基于超声驻波的径向悬浮移动系统研究

常用的声悬浮系统是采用一维单轴式超声悬浮装置,利用驻波特性仅能使少量小颗粒悬浮在声压节点处。为改善实验效果,该文在传统悬浮装置的基础上作了改进,设计了一种径向悬浮移动系统,采用相控阵探头板作为发射端和反射端,结合高频时钟驱动的现场可编程门阵列(FPGA)作延时控制,改变发射波束与反射波束间的相位差,使小颗粒可呈阵列式悬浮移动。系统中所设计的驱动电路是采用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS)结合变压器的电压驱动方式,无需考虑输入端信号的电流大小及MOS管无需接高上拉电压。通过对系统的硬件测试及仿真,结果表明,该文方法比传统方法能稳定悬浮多个小颗粒,且能使悬浮小颗粒平滑移动,具有较好悬浮稳定性和可靠性。     

基于声驻波原理的高频声光正弦调制器

介绍了一种基于声驻波原理研制的高频声光正弦调制器,分析了声驻波在晶体中形成的相位光栅的周期性变化特征,介绍了该高频声光正弦调制器的设计原理并对其性能进行了测试和分析。该声光正弦调制器调制频率达到300 MHz,驱动源结构简单,易于制作。     

声表面波器件体波效应抑制理论研究

针对声表面波器件中体波效应的影响,介绍了叉指换能器激发声体波的机理。根据声体波在基片上的不同传播方式,提出了不同的抑制方法。对在基片表面传播的声体波,利用声体波与声表面波有不同的能量传播角改变接收叉指换能器的位置来抑制体波效应。对在基片体内传播的声体波,则根据其传播和反射原理确定接收叉指换能器的位置来抑制。结果对声表面波器件的设计和工作性能提高具有指导意义。     

单相驱动旋转型驻波超声电机的运动机理

尽管单相驱动的旋转型驻波超声电机的原型样机早已研制成功,但对这类电机的运动机理的研究却一直局限在定性研究上。对于单相驱动的旋转型驻波超声电机来说,定子上的齿是运动传递的关键部分。因此对齿的运动特性的研究对进一步研究定、转子的摩擦接触过程有很重要的意义。以单相驱动的旋转型驻波超声电机为研究对象,通过假设定子的振动模态法对单相驱动的旋转型驻波超声电机的定子上的齿的运动特性进行了理论推导,并作了计算机仿真研究,得出了齿的运动轨迹以及速度曲线。     

一种提高天馈驻波检测精度的校准方法

从理论上分析了天馈系统驻波比检测精度低的原因,针对此原因提出了利用三点校准法提高天馈系统驻波比检测精度的方法。该方法基于矢量方式,较传统校准方法考虑的维度更多、信息更全面,大幅提高了驻波检测的精度,消除了驻波检测过程中可能出现的因天馈系统阻抗特性不同而引起的驻波比检测结果不同的不良表现,并使驻波检测的结果不随检测信号形式的变化而变化,提高了天馈系统驻波比检测的稳定性和可靠性和用户满意度,实验验证了该方法的正确性和有效性。     

测量线中探针加载对驻波图形的影响

本文首先给出计算矩形波导中探针阻抗的表达式,然后在此基础上分析了测量线中探针加载造成驻波图形畸变的问题,并给出矫正因子.它反映了随探针深度的改变波形扭曲程度的变化情况.     

驻波型自校正超声电机的研究

介绍了自校正超声电机的转动机理，用有限元法分析了该电机定子的振动模态，得到了适合电机运转的工作模态—— Ｂ１２模态，并且设计和制造了驻波型自校正超声电机。该电机定子直径为４０ ｍ ｍ ，高为 １．５ ｍ ｍ ，电机工作频率为 ３０ ｋ Ｈｚ～３３ ｋ Ｈｚ，能够实现正、反转并具有自校正的能力，设计计算与所做的实验结果基本吻合。     

压差式光纤矢量水听器驻波场校准特性研究

利用压差式光纤矢量水听器获取复声阻抗下的声场信息,不仅需对实声阻抗下声信号的相位进行校准,还必须对虚阻抗下声信号的幅度作校准。驻波场下声阻抗为虚数,可实现声信号幅度的校准,由于2个传感基元灵敏度存在差异,声压梯度值与理论值存在幅度的差异,指向性特性为一大一小的"8"字型,凹点发生偏移。采用双光纤干涉仪结构的一维压差式光纤矢量水听器进行测试,证明了上述结论,采用灵敏度修正,可将两基元灵敏度非一致对指向性造成的影响消除,得到较理想的指向性曲线,实现对声信号幅度的校准。