美科学家成功将化合物半导体纳米线整合在硅晶圆上

美国科学家首次成功地将化合物半导体纳米线整合在硅晶圆上,攻克了用这种半导体制造太阳能电池会遇到晶格错位的关键挑战。他们表示,这些细小的纳米线有望带来优质高效且廉价的太阳能电池和其他电子设备。     

2011年半导体材料市场稳步增长

据SEMI报道,2010年半导体产业销售额与出货量均达到创纪录的水平,使半导体材料市场获得强劲的增长。2010年硅晶圆出货总量增长40%,各个尺寸的晶圆均获得了增长。由于半导体产业大范围回暖,因此150 mm和200 mm晶圆出货量的增长与300 mm晶圆相当。2010年,硅晶圆收入增长40%接近102     

全球硅晶圆市场今年达9000万片导入0．13微米以下工艺产品达三成

半导体市场调查研究机构Semico Research最新报告指出，全球空白硅晶圆市场需求高涨，2003年硅晶圆需求较2002年增长12．6％，2004年将进一步增长15％，预计2004年全球硅晶圆市场需求可望达到9000万片(以8英寸晶圆计)。     

英特尔三星不妙IC生产用多晶硅供应不足

半导体生产所用的硅晶圆需求强劲（图1）。2004年和2005年连续2年供货量创下了历史最高水平。除半导体领域的需求外，太阳能电池领域对硅的需求也在急剧增长。多晶硅需求如果照现在的势头继续增长，将会导致严重的供货不足。假如没有多晶圆，不仅无法生产硅晶圆，而且无论半导体厂商如何在生产线上扩大投资也不可能增产。全球IC需求预计今后将急剧增长，但却有可能无法按照这种趋势供货。     

大陆晶圆双杰现身 中芯华虹二集团成形

据DigiTimes网站报道,大陆官方主导半导体晶圆厂整合脚步加速,在上海市官方指派傅文彪接任宏力半导体董事长之后,宏力与华虹NEC合并案渐趋明朗,一旦合并成功,将成为仅次于中芯的大陆第二大晶圆代工厂,中芯、华虹两大集团逐渐成形,相对于台湾晶圆双雄台积电、联电,大陆晶圆双杰已呼之欲出。     

硅纳米线的掺杂工艺与检测

掺杂硅纳米线有可能成为一种重要的硅纳米电子器件材料。因而,硅纳米线的掺杂工艺与检测很重要。半导体的掺杂工艺主要为扩散法,而硅纳米半导体线的掺杂检测方法主要包括电流-电压法、拉曼光谱、光致发光(PL)光谱、X-射线光电子能谱(XPS)及近边X-射线吸收精细结构光谱(NEXAFS)等。该文介绍了可引入到硅纳米线研究的现有半导体的掺杂工艺及检测方法,并就硅纳米线的掺杂工艺及检测的最新进展做作了详细的讨论。     

2009年硅晶圆需求将减35％下半年或反弹

市场研究公司Gartner指出,2009年硅晶圆需求预计将较2008年减少35．3％。受金融危机造成的电子产品与半导体产品需求下降,2008年第四季度硅晶圆需求环比减少36．3％。Ga~ner目前预计2009年全球半导体收入将减少24％至33％。     

2011年硅晶圆出货量持平未来两年将稳健增长

根据SEMI最新公布的年度半导体硅晶圆出货预测报告，2011年硅晶圆总出货量预计将相当于2010年，而2012及2013年则将持续稳健增长。2011年全球抛光硅晶圆（polished silicon wafers）和磊晶圆（epitaxial silicon wafers）出货将维持在9，131百万平方英寸的水平，2012年上升至9．929百万平方英寸．2013年更将增长N9．995百万平方英寸。（见表1）     

全球硅晶圆出货量2010年预估增长23%

根据SEMI（国际半导体设备材料产业协会）最新公布的硅晶圆出货报告预估,2010年全球硅晶圆出货量将较今年增长23%。本报告显示2009年的硅晶圆出货量为6.331百万平方英寸,较2008年下跌20%。然而．2010年与2011年市场则将稳定增长．分别可达23％及10％的年增长率。     

法国瑞士成功研制出高性能氮化镓晶体管

法国和瑞士科学家首次使用氮化镓在（100）-硅（晶体取向为100）基座上,成功制造出了性能优异的高电子迁徙率晶体管（HEMTs）。此前,氮化镓只能用于（111）-硅上,而目前广泛使用的由硅制成的互补性金属氧化半导体（CMOS）芯片一般在（100）-硅或（110）-硅晶圆上制成。     

半导体业界将推出450mm晶圆标准

国际半导体设备和材料协会（SEMI）于11月10召开会议,联合业界厂商确定下一代450mm硅晶圆的标准。芯片制造协会Sematech和集成电路产业已经基本确定了所谓的“机械标准”,将450mm硅晶圆的厚度设定在925±25微米,也就是略大于0．9毫米。相比之下,目前的300mm晶圆厚度只有775微米。下个月,半导体业界将争取指定450mm晶圆的“测试晶圆厚度”标准。     

2007年第3季度全球硅晶圆供货量比上年同期增长5％300mm以下供货量减少

国际半导体制造设备与材料协会（SEMI）公布的调查结果显示，2007年第3季度全球硅晶圆的供货面积为140．2665亿cm^2。比上年同期增长约5％，与上季度基本持平。预计2007年全财年硅晶圆的供货面积将比上年增长8％。[第一段]     

2005年半导体材料市场增长放缓部分产品短缺

半导体材料市场发展正在减慢，但是该领域预计仍将保持正面增长，并在2005年取得6％的年度增长。预计2005年部分半导体材料将会出现短缺，包括200毫米硅晶圆和多晶硅材料。     

05年下半年芯片代工价降幅趋缓

据国际半导体设备与材料协会（SEMI）称，今年第二季度全球硅晶圆发货面积比第一季度增长了10％，但与去年同期相比，略微下滑一些。据硅晶圆行业对国际半导体设备与材料协会的硅制造商集团（SMG）每季度分析，今年第二季度硅晶圆的发货面积达到16亿平方英寸，高于今年第一季度15亿平方英寸的发货面积。国际半导体设备与材料协会指出，今年第二季度全球硅晶圆发货总面积比去年同期下降了1％。     

2010年Q1全球硅晶圆出货量持续增长

根据SEMI（国际半导体设备材料产业协会）最新公布的SMG（SiliconmanufacturersGroup）硅晶圆出货报告,2010年第一季的硅晶圆出货呈现持续增长。     

研究人员开发出整合III—V族与矽材料的3DFinFET半导体

比利时微电子研究中心（IMEC）宣称开发出全球首款在300mm晶圆上整合III—V族与矽晶材料的3DFinFET化合物半导体。IMEC的新制程目标是希望能持续微缩CMOS至7nm及其以下,以及实现混合CMOS—RF与CMOS光电元件的化合物。     

2011年第二季度硅晶圆出货量增加

据国际半导体设备与材料协会（SEMI）的硅产品制造商组织（SMG）2011年8月2日发布的硅晶圆行业季度报告,2011年第二季度的全球硅晶圆面积出货量较第一季度增长了5%。     

2011年第二季度硅晶圆出货量较第一季度增长了5%

据国际半导体设备与材料协会（SEMI）的硅产品制造商组织（SMG）2011年8月2日发布的硅晶圆行业季度报告,2011年第二季度的全球硅晶圆面积出货量较第一季度增长了5%。     

2010年硅晶圆出货量创新高总营收增长达45%

根据SEMI SMG（Silicon manufacturers Group）所公布的年终硅晶圆出货报告,2010年全球硅晶圆出货面积较2009年增长了40%;2010年半导体的总营收也较2009年增长45%。     

行业动态

全球半导体市场唯亚太区增长迅猛；中国半导体产业将像日本一样崛起，减轻对外依赖；IC分销产业整合时代即将到来，本土分销商应未雨绸缪；普天和华为上榜 全球50大电子OEM捧名；全球60家最具潜力半导体初创公司揭晓，上榜中国公司增至6家；Semico预测06年硅晶圆代工市场将恢复高增长率；液晶产业向中国大陆转移 各方纷纷争抢产业高点；2005年汽车电子成为IT行业新亮点；可印刷电子市场2010年将达70亿美元。