基于Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的热光伏电池研究进展

部分Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体具有较窄的禁带宽度,对红外发射体的温度要求较低,非常适宜制备热光伏(TPV)电池.简要介绍热光伏系统的基本结构,讨论了基于GaSb、InGaAsSb、InGaAs、InAsSbP几种主要窄带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的热光伏电池的研究情况,对它们的制备方法和主要性能参数进行了比较,分析了各自的优缺点,指出了我国热光伏技术的发展趋势.     

超越单晶硅Ⅲ-Ⅴ族可生成MOSFET

最高性能的金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)将不再由单晶硅制成。根据近日在美国夏威夷檀香山举行的2014 VLSI技术研讨会上的研究人员们表示,未来,这种MOSFET将改用Ⅲ-Ⅴ族材料在硅基板上生长而成。     

Ⅲ—Ⅴ族氮化物半导体的进展

９０年代初Ⅲ－Ⅴ族氮化物材料的实和化似乎还很遥远，但是自从蓝光ＧａＮ／ＧａＩｎＮＬＥＤ研制成功之后这个领域发巨变。目前，ＧａＮ成为化合物半导体领域中最热门的课题。在下个十年中，基于ＧａＮ材料的激光器，ＨＶ探测器和大功率高温半导体器件将成为实用产品。     

中长波红外光波导器件发展现状

阐述了中长波红外光波导器件的设计理念和用途。在介绍该领域的研究成果和最新进展的基础上,以应用在波长为10.6μm的硅基光波导器件为例介绍了实现低损耗波导的方法。     

Ⅲ-Ⅴ族化合物低维半导体材料制备技术及进展

低维半导体材料特别是Ⅲ -Ⅴ族化合物低维半导体材料日益受到人们的重视和深入的研究。文章回顾和评述了近几年Ⅲ -Ⅴ族化合物低维半导体材料包括量子阱、量子线、量子点的制备技术的进展 ,展望了这些技术在光电子器件等方面的应用前景。     

Ⅲ-Ⅴ族化合物超薄层外延生长新技术——原子层外延

本文概述了Ⅲ-Ⅴ族化合物原子层外延(ALE),重点介绍了脉冲喷射(PJ)-ALF、氯化物-ALE和增强迁移外延(MEE)。ALE生长层厚度对生长参数,如源气体分压、生长温度和生长时间都不敏感,主要取决于ALE周期数目,因此ALE又称“数字外延”。与传统的MBE和MOCVD相比,ALE具有生长层厚度更均匀、缺陷密度更低、选择外廷中无边缘生长以及侧壁外延可控制到单原子层等优点。文中还讨论了ALEⅢ-Ⅴ族化合物电学性能和应用。     

重掺Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体载流子浓度的光测法研究

本文应用计算机,绘出各类重掺Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体在不同等离子频率ω_p下的反射率曲线,从中找出了反射谱的高低频反射边在反射率极小值处所对应的频率ω_1与ω_2之和与ω_p间的函数关系.并应用此关系对不同载流子浓度的重掺Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体GaAs和Inp样品进行实验上的验证,获得了满意的结果.     

Ⅲ—Ⅴ族化合物的电化学C—V测量

本文概述了常规耗尽层 C-V 分布中,可达深度和深度分辨率的基本限制。特别讨论了电化学 C-V 分布的实际技术和应用。列举了 PN4200自动描绘的Ⅲ-Ⅴ族化合物 GaAlAs/GaAs、InGaAsP/InP 多层异质结构的载流子浓度分布曲线,并分析了液相外延生长中 Zn 掺杂的特性。同时,还分析了测量精确度和深度分辨之间的关系,并考虑了电解液、接触面积、串联电阻和深态的影响。最后,叙述了电化学 C-V 技术在测量光电压谱和量子阱结构方面的应用。     

Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT建模

Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT微波特性的精确建模对该类器件的微波功率应用极为重要.本文开发了一个可精确用于表征Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT直流、大、小信号特性的新模型,并可用于对HBT器件极为重要的自热效应的仿真.模型开发过程中对UCSD HBT模型和VBIC BJT模型进行了借鉴,但新模型不同于以上两个模型.模型通过对比直流、S参数和功率测量结果进行验证.     

离子注入在Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体中的应用

介绍了离子注入Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体特点,论述了离子注入Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体获得ｎ、ｐ型衣深补偿能菜的研究现状,讨论了离子注入Ⅲ－Ⅴ族化合物后的退火及其保护问题。     

硫钝化Ⅲ-Ⅴ族半导体生长高质量薄膜

表面钝化是Ⅲ-Ⅴ旅半导体工艺的难题之一，硫钝化技术是目前解决这一难题最有效的方法，文中综述了硫钝化技术在钝化Ⅲ-Ⅴ族半导体生长高质量薄膜所取得的成就。     

双腔室分子束外延复合体在Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结生长中的应用(英文)

半导体光电子学是当前科技发展最快的一个领域,光电子器件的增长需要加强新材料技术的研究与开发,Ⅲ -Ⅴ族和Ⅱ-Ⅳ族纳米结构生长的双腔室分子束外延复合体是目前工艺设备一个最好的例子,可以解决长期以来纳米光子学和纳米电子学的问题。     

氩离子在反应离子腐蚀Ⅲ-Ⅴ族材料中的作用

本文以一些实例和所得到的结果来说明Ar~+离子在抑制晶向腐蚀作用、调节钝化阻挡层,以及清除微粒淀积物等方面的作用。