ZnO—MgO—Al2O3陶瓷性能研究

ＺｎＯ－ＭｇＯ－Ａｌ２Ｏ３陶瓷是一种复合烧结体，其主晶相为ＺｎＯ与ＺｎＡｌ２Ｏ４，且均以晶粒存在。ＭｇＯ能调节电阻温度系数，使之由负变为正。Ａｌ２Ｏ３能调节电阻率。慢的降温速度能提高线性及耐浪涌能量，降低电阻温度系数。     

ZnO－MgO－Al_2O_3陶瓷性能研究

ＺｎＯ－ＭｇＯ－Ａｌ２Ｏ３陶瓷是一种复合烧结体，其主晶相为ＺｎＯ与ＺｎＡｌ２Ｏ４，且均以晶粒存在．ＭｇＯ能调节电阻温度系数，使之由负变为正．Ａｌ２Ｏ３能调节电阻率．慢的降温速度能提高线性及耐浪涌能量，降低电阻温度系数．     

高能ZnO基复合陶瓷线性电阻的制备

在 ＺｎＯ中添加 Ａｌ２Ｏ３和 ＭｇＯ,制备了高能 ＺｎＯ基复合陶瓷线性电阻,其电阻率为 ５～１３００Ω ·ｃｍ、能量密度大于 ４５０Ｊ／ｃｍ３、电阻温度系数小且近于线性．烧结温度、 ＭｇＯ添加量和降温速率分别对材料的电阻率、电阻温度特性以及线性度和能量密度有较大影响．     

Y—PSZ对Al2O3纳米粉烧结特性及性能的影响

在Ａｌ２Ｏ３纳米粉中加入１００－４００ｍｇ．ｇ＾－１的０．０２５ｍｏｌＹ２Ｏ２（Ｙ－ＰＳＺ），探讨了加入量对Ａｌ２Ｏ３纳米粉的烧结特性和烧成陶瓷力学性能的影响，结果表明，Ｙ－ＰＳＺ可促进烧结致密化，降低烧结温度，并且有效地抑制烧结时Ａｌ２Ｏ３晶粒的长大，提高烧成陶瓷的性能。     

碳化硅和氧化铝陶瓷的热等静压氮化

通过对无压烧结、热压烧结和热等静压烧结ＳＩＣ陶瓷以及热压烧结的ＳｉＣ粒子补强Ａｌ２Ｏ３基复相陶瓷（ＳｉＣｐ－Ａｌ２Ｏ３）和ＳｉＣ粒子与ＳｉＣ晶须共同增强的Ａｌ２Ｏ３基复合材料（ＳｉＣｐ－ＳｉＣｗ－Ａｌ２Ｏ３）在氮气氛中进行高温氮化处理，成功地实现了这些材料的开口气孔表面裂纹的愈合。研究表明：热等静压氯化工艺可以显著提高ＳｉＣ和Ａｌ２Ｏ３陶瓷的抗弯强度，对断裂韧性也有较大的改善作用。对于热等静压烧结ＳｉＣ陶瓷，在１８５０℃和２００ＭＰａ氮气压力下氯化处理１小时后，其抗弯强度和断裂韧性分别由５８２ＭＰａ和５．７ＭＰａ·ｍ１／２提高到９０７ＭＰａ和８．４ＭＰａ·ｍ１／２；对于热压烧结的ＳｉＣｐ－Ａｌ２Ｏ３复相陶瓷和ＳｉＣｐ－ＳｉＣｗ－Ａｌ２Ｏ３复合材料，在１７００℃和１５０ＭＰａ氮气压力下氮化处理１小时后，其室温抗弯强度分别由４６０和７０５ＭＰａ提高到８９５和１０３３ＭＰａ。     

扩散焊条件下Al2O3P/6061Al复合材料中氧化膜的行为

研究了Ａｌ２Ｏ３ｐ／６０６１Ａｌ铝基复合材料扩散焊接头区域氧化膜随焊接温度变化的规律,分析了氧化膜的变化机理,探讨了氧化膜对接头强度的影响。结果表明,在扩散焊时,随焊接规范的变化Ａｌ２Ｏ３ｐ／６０６１Ａｌ铝基复合材料接头区域的氧化膜含量及形态有明显的改变,这与Ｍｇ＋４／３Ａｌ２Ｏ３→Ａｌ２ＭｇＯ４＋２／３Ａｌ反应有关,氧化膜的变化直接影响着焊缝的接头强度。     

Al／Al2O3陶瓷基复合材料的断口分析

应用ＳＥＭ及断口金相技术对Ａｌ／Ａｌ２Ｏ３陶瓷基复合的材料的断口形貌进行研究。结果表明：１０００℃时，助烧剂的粘－塑性流动机制及粘结作用是实现Ａｌ／Ａｌ２Ｏ３瓷基合材料烧结及性能提高的主要原因。Ａｌ／Ａｌ２Ｏ３陶瓷基复合材料呈现韧脆断口形貌特征。     

低温烧结氧化铝基陶瓷材料的研究

介绍了一种经１５００℃烧结研制的Ａｌ２Ｏ３基陶瓷材料。采用ＥＤＳ、ＸＲＤ、ＳＥＭ等手段分析了助烧剂的成分及Ａｌ２Ｏ３基陶瓷的相结构，讨论了Ａｌ２Ｏ３基陶瓷结机理和部分性能。     

Naβ/β″-Al2O3膜的制备与电学性能研究

通过ＭｇＡｌ２Ｏ４－α－Ａｌ２Ｏ３复合相陶瓷基体与Ｌｉ２Ｏ，Ｎａ２Ｏ气氛的反应制备了Ｌｉ２Ｏ和ＭｇＯ共同稳定的Ｎａβ／β″－Ａｌ２Ｏ３膜，相分析的结果表明，反应温度是决定膜中β／β″Ａｌ２Ｏ３相形成速率的主要因素，当温度低于１１００℃时，α－Ａｌ２Ｏ３基体不能转化为β／β″－Ａｌ２Ｏ３基体中的ＭｇＡｌ２Ｏ４可以促进膜的形成，并降低膜的形成温度，交流复阻抗谱和四极法测量的结果表明，复合基体表面形成的     

Al_2O_3－MgAl_2O_4陶瓷的试验研究

在Ａｌ＿２Ｏ＿３中添加５－１５ｗｔ％ＭｇＡｌ＿２Ｏ＿４，采用热压注法制备Ａｌ＿２Ｏ＿３－ＭｇＡｌ＿２Ｏ４陶瓷。研究表明，Ａｌ＿２Ｏ＿３－ＭｇＡｌ＿２Ｏ＿４陶瓷具有良好的高温电阻率和抗熔渣－种子的腐蚀能力，经过进一步改进可望作为燃煤ＭＨＤ发电通道（半热壁型）阳极区电极间绝缘片材料。     

新型ZnO陶瓷线性电阻材料

本文研究了少量ＭｇＯ，Ｌａ２Ｏ３，ＺｒＯ２等对ＺｎＯ陶瓷线性电阻材料晶粒生长速度和最终晶粒尺寸的影响规律，以及极微量掺杂Ｌｉ２Ｏ对晶粒和晶界电阻率的影响规律，实验表明，ＭｇＯ，Ｌａ２Ｏ３和ＺｒＯ２都能使ＺｎＯ陶瓷伏安特性线性化，在一定添加量范围内，ＭｇＯ的添加量不影响陶瓷线性电阻的电阻率，Ｌａ２Ｏ３和ＺｒＯ２的添加量都能有效地控制陶瓷线性电阻的电阻率，ＭｇＯ的添加量不影响ＺｎＯ陶瓷的晶粒生长速度，     

TiO2和MgO微量添加剂对Al2O3陶瓷烧结致密化的影响

通过在氧化名中添加微量氧化钛和氧化镁,利用无压烧结工艺,制备了具有明显各向异性晶粒的氧化铝块材,研究了氧化钛、氧化镁的添加量和烧结温度对材料显微结构和致密度的影响,与单纯添加氧化钛的氧化铝材料相比,氧化镁的加入细化了氧化铝的晶粒,因此,可以通过调整氧化镁的加入量,在保持氧化铝晶粒各向异性形貌的同时,调整晶粒的尺寸,最终得到比较均匀的显微结构。     

Mg_xZn_(1-x)O:Al靶材制备工艺和Mg掺杂对微观结构的影响研究

以纳米级的ZnO、MgO和Al2O3粉体为原料,经过湿式球磨得到了混合粉体,采用常压固相烧结的方法制备了高致密度MgXZn1-XO:Al陶瓷靶材,研究了预烧粉体、Mg掺杂量和烧结温度对靶材微观结构和性能的影响.研究表明,预烧粉体可以减少第二相的生成;随着Mg掺杂量的增加,MgO立方相逐渐增多,在x=0.3时产生了相分离;在1100～1300℃内,随着烧结温度的升高,靶材的晶粒大小和密度逐渐增大,增大趋势在1300℃后变缓,1300℃烧结4h可以制得结构均匀、高致密度的MgxZn1-xO:Al靶材.     

Al2O3添加剂对合成MgTiO3陶瓷相组成及介电性能的影响

研究了添加剂Al2O3对MgO和TiO2合成MgTiO3陶瓷烧结性，物相组成和微波介电性能的影响。XRD分析结果表明，没有添加Al2O3是，合成的MgTiO3陶瓷中只含有MgTiO3和MgTi5相,加入Al2O3，MgTiO3陶瓷中除了MgTiO3和MgTi2O5相外，还出现了MgAl2O4相，这是上由于Al2O3和MgO发生固相反应，MgAl2O4的出现虽然阻碍材料的致密化并导致密度下降，但是可能降低反应烧结合成MgTiO3陶瓷的相对介电常数和介电损耗。     

低温烧结氧化铝基体材料性能的研究

以目前最常用的LTCC材料为基础,选择Al2O3为片式熔断器基体材料.系统研究在不同烧结温度下的Al2O3-Bi2O3陶瓷基体,通过X射线衍射和扫描电镜分析了不同温度下样品的相组成及密度变化,指出形成这种相结构的可能影响因素;测试了不同频率下样品的介电性能.结果表明,Bi2O3的掺杂可以提高Al2O3陶瓷的烧结活性,进而大大降低了陶瓷的烧结温度,密度在900℃达到最大值3.7g/cm3,陶瓷样品的主晶相为α-Al2O3,没有杂相存在,且断口形貌分布均匀没有明显的气孔存在,同时总结出了介电常数和介质损耗的变化规律.     

BaFe12O19／Al2O3—SiO2—K2O微晶玻璃陶瓷的柠檬酸Sol—Gel合成及其微波性能的研究

采用柠檬酸sol-gel工艺合成了BaFe12O19/Al2O3-SiO2-K2O微晶玻璃陶瓷，并对其介电常数及其磁导率在1MHz～6GHz下的变化规律进行了研究。结果表明，BaFe12O19/Al2O3-SiO2-K2O微晶玻璃陶瓷的合成与体系中Fe/Ba、烧结温度密切相关；其介电常数、磁导率基本都随测试频率的增加而下降；介电损耗值最大可达到0.30，磁损耗值较小。     

氧化锌压敏陶瓷烧结致密化过程的研究

本文研究了氧化锌压敏陶瓷的致密化过程，结果发现只有当烧结温度升高到一定值时，试样中的ＺｎＯ粉粒产生聚集，致密化过程才开始．致密化是瓷体获得稳定电性能的基础．低熔点添加剂Ｂ２Ｏ３可以降低致密化的起始温度，而致密化过程中的等温烧结对ＺｎＯ压敏陶瓷的最大密度几乎没有影响．     

添加剂对Y2Ti2O7陶瓷的微波介电性能的影响（英文）

研究了CrO3、Nb2O5、SiO2及Al2O3对Y2Ti2O7陶瓷的烧结性能、相组成和微波介电性能的影响.其中Nb2O5掺杂能够降低Y2Ti2O7陶瓷材料的烧结温度,提高基体陶瓷的介电常数和品质因子,引起谐振频率温度系数的明显变化.且随着Nb2O5含量的增多,所有样品的主晶相仍为立方烧绿石型Y2Ti2O7,Nb5+可能进入烧绿石结构中,部分取代Ti4+所在位置.实验结果表明:1mol%Nb2O5掺杂的陶瓷材料在1420℃下烧结致密,具有最佳的微波介电性能:εr=61.8,Q×f=9096GHz(f=5.494GHz),τf=54×10-6/℃.