（Y1-y,Gdy）3-xAl5O12：Cex^3＋荧光粉的合成与发光性能的研究

用高温固相法在还原气氛下制备掺Gd的YAG：Ce^3＋荧光粉,并用X射线衍射分析测定（Y1-y,Gdy）2.94A l5O12：Ce0.06^3＋荧光粉的晶体结构,用970CRT荧光分光光度计测定激发光谱和发射光谱.研究Ce^3＋的不同掺入量对YAG：Ce^3＋荧光粉的发光性能的影响.结果表明,合成样品的结构属于立方形的钇铝石榴石晶体结构.激发峰位于475 nm处,归属于Ce^3＋的4 f到5d跃迁,发射峰位于542 nm处,归属于Ce^3＋的5d到4 f跃迁.     

YAG:Ce3+超细荧光粉的合成与发光性质的研究

采用溶胶-凝胶法,以柠檬酸为络合剂,乙二醇为螯合剂合成了YAG:Ce3+超细荧光粉.利用X射线衍射、电镜和荧光光谱等测试手段时合成的YAG:Ce3+样品的结构、形貌和发光性质进行了研究.XRD图谱结果表明:所有样品均为立方相.根据Scherrer公式计算,900℃、1000℃和1100℃热处理后样品晶粒的平均粒径分别为69nm、72 nm和89 nm.粒子的粒径和衍射峰强度随热处理温度的提高而增大和增强.激发光谱由位于345 nm的弱激发带和位于470 nm强的激发带组成.发射光谱是位于530 nm左右的宽的发射带,归属于Ce3+离子的5d→4f跃迁.激发和发射强度随热处理温度的提高而增强.     

Eu~(2+),Eu~(3+)掺杂对Sr_2MgSi_2O_7荧光粉发光性能的影响

采用高温固相法分别制备Eu2+和Eu3+掺杂的Sr2MgSi2O7荧光粉.在356nm近紫外光激发下,Sr2MgSi2O7:Eu3+荧光粉呈多峰红光发射,主峰位于590nm、615nm、650nm和700nm,分别对应于Eu3+离子5D1→7FJ(J=1,2,3,4)能级的跃迁.在371nm近紫外光激发下,Sr2MgSi2O7:Eu2+荧光粉发射峰介于425~550nm之间,呈蓝光发射,主峰位于476nm,对应Eu2+的4f65d1→4f7跃迁.随着Eu2+浓度的增大,发射峰强度先增大后减弱.     

不同分散剂对制备YAG：Ce^3＋荧光粉结构和性能的影响

分别用乙二醇和聚乙二醇作为分散剂,采用络合凝胶法合成YAG：Ce^3＋荧光粉．利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、荧光分光光度计对合成的荧光粉进行分析．XRD图谱显示所有的荧光粉均为立方相．采用Scherrer公式分别计算以乙二醇和聚乙二醇为分散剂制备的荧光粉的平均粒径：27．1nm和25．0nm．发射光谱的发射峰为530nm处的一个宽带发射峰,对应的是Ce^3＋离子5d→4f跃迁;激发光谱有2个激发峰,分别位于345nm和470nm,对应的是Ce^3＋离子^2F5/2→5d和^2F7/2→5d的跃迁．光谱研究结果表明：采用乙二醇制备的样品的发光相对强度大于用聚乙二醇制备的样品的发光相对强度．     

Na_3YSi_3O_9:Ce~(3+),Tb~(3+)荧光粉的制备及发光性能研究

O482.31 A摘要:利用高温固相法制备一系列Na33YSi3O9:Ce+,Tb3+荧光粉,通过X-射线衍射仪和光致发光光谱分别对其物相和发光性能进行表征.结果表明:在Na3YSi3O9共掺Ce3+和Tb3+并未改变其晶格结构;激发光谱主要由Tb3+的f-f跃迁以及Ce3+和Tb3+的4f-5d跃迁组成;在320 nm激发下,发射光谱出现Tb3+的f-f和弱Ce3+的5d-4f跃迁发射,其主峰来自于Tb3+的5D4→7F5跃迁;色坐标为(0.2402,0.4429);由于Ce3+对Tb3+的敏化作用和浓度猝灭,Tb3+的发射强度随着Tb3+或Ce3+掺杂量的增加先提高后减弱.Ce3+和Tb3+的最佳掺杂量分别为0.04和0.25.     

荧光粉Ba3-x-yP4O13:xCe3+,yTb3+的光谱分析

采用高温固相法合成了Ba3P4O13:Ce3+,Tb3+荧光粉.研究了单掺Ce3+、单掺Tb3+以及Ce3+、Tb3+共掺杂时的光谱性质.发现Ce3+的激发光谱呈宽带峰,发射光谱有两个峰,且两者重叠严重,用高斯双峰拟合得到峰值为340 nm和363 nm的发射峰.Tb3+的激发光谱中以220 nm的激发峰最强,测得发射光谱为5D3、5D4能级的发射,表明在此体系中能级5D3和5D4间的无辐射跃迁过程不显著.通过Ce3+、Tb3+共掺,Tb3+的荧光发射明显增强.     

YAG：Ce^3＋超细荧光粉的合成与发光性质的研究

采用溶胶-凝胶法,以柠檬酸为络合剂,乙二醇为螯合剂合成了YAG：Ce^3＋超细荧光粉.利用X射线衍射、电镜和荧光光谱等测试手段对合成的YAG：Ce^3＋样品的结构、形貌和发光性质进行了研究.XRD图谱结果表明：所有样品均为立方相.根据Scherrer公式计算,900℃、1 000℃和1 100℃热处理后样品晶粒的平均粒径分别为69 nm7、2 nm和89 nm.粒子的粒径和衍射峰强度随热处理温度的提高而增大和增强.激发光谱由位于345 nm的弱激发带和位于470 nm强的激发带组成.发射光谱是位于530 nm左右的宽的发射带,归属于Ce^3＋离子的5d→4f跃迁.激发和发射强度随热处理温度的提高而增强.     

橙红色荧光粉Mg2-x SnO4:Eu3+x发光性能的研究

采用高温固相法合成Mg2-xSnO4∶Eu3+x系列橙红色发光粉.用X射线衍射分析测定Mg2-xSnO4∶Eu3+x荧光粉的晶体结构,用F-4600荧光分光光度计测定其激发光谱和发射光谱.结果表明:Mg2-xSnO4∶Eu3+x荧光粉属于正交晶系,在250～370 nm是一个很宽的激发峰,它属于O-Eu的电荷迁移带和Eu3+的f-f高能级跃迁吸收.发射光谱由588 nm、595 nm、598 nm、617 nm4个主要发射峰组成,它们分别属于Eu3+的5D0-7F1(588 nm,595 nm,598 nm)和5D0-7F2(617 nm)跃迁,以5D0-7F1跃迁为主.具体研究激活剂Eu3+的掺杂量对Mg2-xSnO4∶Eu3+x发光粉发光性能的影响.结果表明Eu3+的最佳掺杂浓度为7%.     

Tb3+激活的Ca3(BO3)2绿色荧光粉的光谱特性

采用高温固相法合成了Tb3+掺杂和Tb3+/Ce3+共掺Ca3(BO3)2荧光粉.研究比较了两者的光谱特性,发现Tb3+在273 nm、373 nm处有2个激发峰,发射光谱反映了Tb3+的特征发射,即能观察到来自5D3和5D4的发射.Tb3+/Ce3+共掺时的激发光谱在273nm、373nm处有2个激发带,但以273nm为主,发射光谱中除了明显的Tb3+外亦能观察到Ce3+的发射谱线.在相同条件下比较两者的发射光谱可以看出共掺时的能量明显增强,说明Tb3+/Ce3+之间存在能量转移.对两种荧光粉样品进行了寿命测试和比较,发现共掺时的寿命有所增强,表明Ce3+在能量转移的过程中对寿命也有一定的影响.     

共沉淀法合成YAl3（BO3）4:Ce,Tb绿色荧光粉及其性能研究

采用化学共沉淀法合成YAl3(BO3)4:Ce,Tb绿色硼铝酸盐发光材料,通过X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)光谱对其晶体结构和荧光光谱进行研究.测试结果表明:YAl3(BO3)4:Ce,Tb发光材料属于三方晶系、空间群R32,掺入Ce3+,Tb3+离子后晶格结构没有变化;发光材料的发射光谱主峰位于541 nm处的Tb3+的5D4→7F5跃迁峰,Ce3+离子对Tb3+有敏化作用;掺杂的稀土离子配比为Ce:Tb=0.3:0.1,B的掺杂量为25%,在1 100℃下、高温烧结2h的样品的荧光强度最好.     

从混合稀土LaCl3-CeCl3、CeCl3-PrCl3、CeCl3-NdCl3中分离CeO2的研究

以湿空气为氧化剂，研究稀土氯化物LaCl3-CeCl3、CeCl3-PrCl3、CeCl3-NdCl3的氧化反应特性，根据铈和非铈稀土元素氧化物的氧化产物不同实现CeO2的分离．最佳氧化反应温度和时间分别为900K和60min，实验产物经X射线衍射分析，只有CeO2的衍射峰，实现了单一稀土CeO2的分离．     

R^3上微分形式及其积分

通过借鉴流形上微积分的处理手法,在R^3中建立“微分形式的积分”的概念,使得Green公式、Stokes公式和Gauss公式内在联系的表述更加清晰。     

关于Hopf丛S^3的几个论题

证明了Hopf主纤维丛S^3的几个相关的命题,指出底流形S^2上的Laplace算子在主丛上的提升是主丛S^3上的Laplace算子,以及主丛的嵌入截面具有不动点性质等。     

氯化镧、氯化铈、氯化镨、氯化钕鞣性的研究

本文主要研究氯化轻型稀土中氯化钢、氯化铈、氯化镨、氯化钕的鞣性。在铬鞣剂用量相同的情况下，用扫描电镜观察到：加入氯化稀土的革中铬的固定量多于不加稀土的革；稀土在革中也不同程度地被固定。衰减全反射红外光谱图说明了铈离子、镨离子与铬离子间有协同作用；钢离子、铁离子与铬离子间有掩蔽作用。研究表明铈离子比其它三种离子鞣革性能好。     

3-3群图的构造

本文用局部分析的方法研究了下列问题:若群G由它的两个有限子群生成,G=,其中P_1∩P_2在P_1、P_2的指数都为3,且P_1∩P_2不包含G的非平凡正规子群,则总共有15个群对(P_1,P_2) 满足以上条件。用这种方法,不但简化了证明过程,突出了问题的本质,还可以得出有限单群的新结论。     

用HF-HNO_3-CH_3SiCl_3气相钝化芯片

本文介绍一种钝化方法:首先在半导体芯片上形成SiO_2,然后再淀积一层高聚合物有机硅树脂,以提高器件的稳定性和可靠性。     

La1-xZnxMnO3和LaL2/3 Sr(1-x)/3 Znx/3 MnO3的磁电输运特性

用固相反应方法制备La1-xZnxMnO3和La2/3Sr(1-x)/3Znx/3MnO3化合物.La1-xZn MnO3在不同掺杂浓度x的研究表明:Zn2 在一定浓度范围内掺杂,具有钙钛矿结构,但掺杂浓度在50%～70%时有ZnO衍射峰,其电阻率在100 K以上随温度而下降,当掺杂浓度为x=0.3时电阻率最低.当Zn2 和Sr2 共掺而保持La3 浓度不变,即载流子浓度不变,维持Mn3 /Mn4 =2∶1,随Zn2 掺杂浓度增大,铁磁-顺磁转变温度降低,磁阻效应增大.低场磁阻效应与Zn2 掺杂浓度无关,而与温度有关;高场磁阻效应随掺杂浓度增大而增大.     

Dielectric properties of Pb (Zn_(1/3) Nb_(2/3)) O_3-PbZrO_3-PbTiO_3 solid solution near morphotropic phase boundary

The dielectric properties of Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbZrO3-PbTiO3(PZN-PZ-PT) system near the rhombohedral/tetragonal morphotropic phase boundary (MPB) are carefully studied in this paper. It is found that, for all samples, the curves around the temperatures of dielectric permittivity peak show the characteristics of diffuse phase transition. The change in PbZrO3/PbTiO3 ratio has much influence on the dielectric properties of the samples. The extent of diffuse phase transition increases with the increasing Zr/Ti ratio. The samples in rhombohedral region have typical diffuse phase transition in the temperature range measured. However, for the samples with tetragonal symmetry, a spontaneous normal ferroelectric-relaxor phase transition exists at temperature lower than that of permittivity peak. This normal ferroelectric-relaxor phase transition is confirmed by the experiment of thermally driven current . The analysis of TEM reveals that the samples in tetragonal region show a 90° macrodomain structure , while th     

Dielectric Properties of B_2O_3 Doped MgTiO_3-CaTiO_3 System Ceramics

1　IntroductionMgTiO3 basedceramicsarewellknownasmicrowavedielectricwithhighQvalueandlowτfvalue .Since1990s ,FerreiraetalReportedthemicrowavedielectricpropertiesofMgTiO3 CaTiO3ceramicsdopedwithLa2 O3,Cr2 O3[1 3] .Mostoftheresearcheswereconcernedwithimpro…