场发射显示器支撑墙机械强度的计算与分析

计算了几种不同材料支撑墙在不同承压和允许倾斜角度范围内的应用和形变分布。计算结果表明，采用热压氮化硅或氧化氧化锆陶瓷制作的支撑墙具有足够高的机械强度，是支撑墙材料的较好选择。     

大面积场发射显示器支撑方案的计算机模拟

场发射显示器(FED)的支撑结构用来抵抗器件外部大气压对阴阳极板造成的形变影响.预先确定和优化支撑系统方案,对于降低大面积FED器件制造成本是十分重要的.本文通过有限元分析方法,对40英寸,长宽比43,采用墙式支撑条和2mm厚阴阳板的FED器件的支撑方案进行了模拟计算.通过给出170mm支撑墙在不同摆放位置情况下的极板应力以及形变分布,最后确定了二种可实际用于器件的支撑方案.     

大面积场发射显示器支撑方案的计算机模拟

场发射显示器（FED）的支撑结构用来抵抗器件外部大气压对阴阳极板造成的形变影响。预先确定和优化支撑系统方案，对于降低大面积FED器件制造成本是十分重要的。本文通过有限元分析方法，对40英寸，长宽比4：3，采用墙式支撑条和2mm厚阴阳板的FED器件的支撑方案进行了模拟计算。通过给出170mm支撑墙在不同摆放位置情况下的极板应力以及形变分布，最后确定了二种可实际用于器件的支撑方案。     

多支撑桩墙的简化计算

本文介绍了基坑支护结构的两种简便计算方法－山肩邦南近似法和ｍ法，并根据中山七路车站的土层和支撑情况做了较详细的计算，将计算结果与有限元法及设计院计算值做了比较，验证了简便计算方法的可行性。     

3D基底上碳纳米管场发射I-V特性建模与计算

利用有限元分析软件ANSYS分析了在平面上引入立体墙结构的阴极电场分布,给出了立体墙结构阴极表面的场强分布曲线,结合F-N方程计算了在立体结构上生长碳纳米管和平面型冷阴极上直接生长碳纳米管的电流密度,通过数值计算计算了总的场发射电流,结果表明,场发射电流随场强的变化非常大,立体墙结构型冷阴极场发射电流与平面型冷阴极发射电流相比,场发射能力得到极大的增强。     

纳米管场发射的电场计算

利用电磁场理论计算出单根纳米管场发射时其尖端附近的电势和电场分布。结果表明 ,纳米管尖端表面电场非常强 ,随着距离尖端表面的距离的增加 ,电场迅速下降 ;尖端附近的场强与纳米管场发射有低的阈值电压相符合。计算还给出在保持极板间距离和电压不变的情况下 ,纳米管长径比越大 ,尖端电场越强 ,因此 ,具有更低的阈值电压     

单壁碳纳米管场发射电流的理论计算

根据热传导、Nottingham效应和焦耳热效应,计算了单壁碳纳米管在2000K时的理论电流值,结果表明,单根单壁碳纳米管的发射电流可达微安量级,为试验中测试碳纳米管的场发射电流提供了一个理论参考。     

场发射显示器中消气剂使用的若干问题

在场发射显示器 (FED)中使用消气剂 ,是维持FED内部真空度的最主要的手段 ,对延长FED的工作寿命起着重要作用。本文首先从抽气平衡方程推导得到了检验FED漏率是否合格的判别公式 ,并从此判别公式出发 ,对真空环境和FED工作寿命之间的关系进行了计算。文中提出了一种新型的器件封装结构的方案 ,实现了蒸散型和非蒸散型消气剂 (NEG)的同时使用 ,对延长FED ,特别是大屏幕FED的工作寿命 ,起到了有益的作用     

基于碳纳米管场发射显示器的设计及实验研究

提出了一种基于碳纳米管场发射阵列的全彩色大面积平板显示器模型,该显示器的阴极和栅极位于同一个平面上,阴极和栅极之间的沟槽用激光束刻蚀形成,工艺简单,实验得到的电子传输比可以提高到29.3%。     

基于碳纳米管薄膜构建场发射平面显示器的阴极结构

碳纳米管场发射平面显示器具有工作电压低、功耗低和制造成本低等优势,近年来基于碳纳米管场发射平面显示器的研究与应用研发已成为显示技术领域研究的热点之一,并已取得丰富成果。简要回顾了碳纳米管用于场发射的机理以及用于场发射平面显示器的优势,主要介绍了碳纳米管用于场发射平面显示器研究的一些进展和一些亟待解决的问题,包括碳纳米管阴极薄膜的制备、碳纳米管阴极工作稳定性与寿命的改进以及阴极结构的设计等,并展望了碳纳米管用于场发射平面显示器的发展前景。     

场发射显示器件中真空获得和维持工艺的改进

真空的获得和维持是目前FED研究工作中存在的主要困难之一。本文研究了在现有的传统封接排气以及消气工艺的实验条件下 ,进行了多种工艺改进 :设计了一种新型的三层FED器件结构 ,在这种结构中 ,实现了蒸散型消气剂和非蒸散型消气剂的共同使用 ;并采用了气体保护 ,以及电子轰击去气等有效措施 ,实现了FED器件内部持久的高真空度 ,为FED阴极高稳定、长寿命工作提供了有力的保障     

新型场致发射显示器件的研究现状与展望

场致发射显示器(Field Emission Display)继承了传统CRT的优良显示性能,是一种具有广阔应用前景的平板显示器件.本文介绍了FED的发展近况,重点是碳纳米管阴极场致发射显示,并对normal-gate、under-gate三极结构以及double-gate四极结构等器件结构特点进行了讨论.     

场发射平板显示器件的进展

概述场致发射平板显示器件（FED）的理论基础、结构和工作原理、种类和制作工艺。对FED作出评价。介绍国际上在FED方面的竞争。展望了FED的前景。     

常开型后栅极场致发射显示板工作特性的研究

常开型后栅极场致发射显示板是一种新型的场致发射器件.它直接利用阳极使阴极产生场致电子发射,而通过埋在阴极之下的栅极上施加负电压来阻止阴极产生场致电子发射来调制显示所需的图像.为了研究该场致发射显示板的阴极发射特性,本文采用有限元法对场致发射区域内的电场分布进行了模拟计算,用Fowler-Nordheim(F-N)公式计算了阴极表面的发射情况.并研究了阳极电压、阴极电压、阴调距、阴极宽度和阴极厚度等参数的改变对阴极发射特性和栅极调制能力的影响.计算结果显示阴极发射特性和栅极调制能力与上述电参数和结构参数关系密切,从而为优化设计这种显示器件提供了方向.     

碳纳米管的制备及其场发射应用研究

由于碳纳米管（CNTs）具有独特的结构和性能，因而自被发现以来一直受到人们的关注。本文介绍了其制作方法；列举了其场发射性能的主要指标；阐述了影响其场发射性能的因素，比如结构、定向性、阵列密度和环境气氛；并介绍了其在平板显示方面的应用。     

新型前栅场发射器件的研究

采用刻蚀型介质制作前栅场发射器件。该器件中阴栅结构的形成是利用刻蚀工艺刻蚀介质层,一次性实现栅孔和阴极电极的连通,最后利用电泳沉积工艺转移碳纳米管制备成阴极发射点阵。该工艺避免了对准或套印,使前栅场发射器件制作工艺更简单,降低了成本,更容易实现大面积制作。场发射测试表明当阳压在1500和2000 V时,栅压都能够有效地控制阴极的电子发射。