碳化硼陶瓷的液相烧结试验研究

在烧结液相质量分数为0%~25%的Al2O3-Y2O3系中,烧结温度为1950℃,烧结时间为5h的条件下,研究了碳化硼陶瓷液相烧结的致密化过程和力学性能.结果表明,Al2O3和Y2O3的添加可明显地改进烧结性能,同时质量密度和力学性能也有明显提高.     

原料粉末对碳化硼烧结性能的影响

研究了原料粉末对碳化硼陶瓷常压烧结性能的影响,试验表明增加原料粉末的比表面积和纯度能显著地促进烧结过程,且提高其烧结的质量密度,当比表面积大于16m^2/g时,可使烧结体的相对密度达到98.7%以上,抗弯强度达到456MPa,硬度HV达到为2790。制品的性能接近热压制品的水平。     

烧结助剂对氧化铝陶瓷低温烧结的影响

氧化铝(Al_2O_3)陶瓷烧结温度较高,通过添加烧结助剂可以实现Al_2O_3陶瓷的低温烧结。对比分析了不同含量的CuO-TiO_2和MnO_2-TiO_2-MgO复合烧结助剂在不同的烧结温度下对Al_2O_3烧结性能的影响,得到了烧结助剂含量和烧结温度对Al_2O_3陶瓷体积收缩率、体积密度以及内部显微结构的影响规律。实验分析表明,在1 350℃的烧结温度下,添加4%(质量分数) CuO-TiO_2和MnO_2-TiO_2-MgO的烧结助剂,Al_2O_3陶瓷分别能获得高达3. 67 g/mm~3和3. 76 g/mm~3的体积密度,并且在扫描电子显微镜下观察到良好的显微结构。     

PZT压电陶瓷液相低温烧结技术的研究进展

阐述了PZF压电陶瓷烧结过程中的液相传质机理及实现液相烧结的主要途径.综述了PZY压电陶瓷材料的液相低温烧结研究方向与进展.     

低温烧结SiC基陶瓷制造技术

众所周知SiC共价键极强及扩散率很低,其烧结致密很难,必须借助添加剂才能在较低温度（约为1800℃）烧制高密度SiC陶瓷．西安工业大学采用Sol—Gel法包裹亚微米级SiC颗粒的形式加入各种添加剂,     

注射成形SiC陶瓷的烧结温度及其力学性能分析

以SiC微粉为原料,Y2O3、Al2O3为复合烧结助剂,以多组元蜡原料为粘结剂,采用注射成形法及液相烧结法制备了SiC陶瓷,通过扫描电镜、透射电镜等测试分析了粉体及烧结试样的物相组成及显微结构.力学性能分析显示,在合适的注射成型及液相烧结工艺参数下,烧结样品可获得良好的综合物理性能,1 900℃烧结后材料结构致密,其密度可达3.24 g/cm3,相对密度为98.2%,维氏硬度达2 486.3 HV,断裂韧性达6.68 MPa·m1/2.     

低温烧结SiC基陶瓷制造技术

众所周知SiC共价键极强及扩散率很低,其烧结致密很难,必须借助添加剂才能在较低温度（约为1800℃）烧制高密度SiC陶瓷．西安工业大学采用Sol—Gel法包裹亚微米级SiC颗粒的形式加入各种添加剂,如Y2O3,Al2O3,TiO2,B,N等的方法,在小于1750℃时生成高粘度液相来促进其烧结．     

低温烧结SiC基陶瓷制造技术

众所周知SiC共价键极强及扩散率很低,其烧结致密很难,必须借助添加剂才能在较低温度（≈1800℃）烧制高密度SiC陶瓷．西安工业大学采用Sol—Gel法包裹亚微米级SiC颗粒的形式加入各种添加剂,如Y2O3,Al2O3,TiO2,B,N等的方法,在小于1750℃时生成高粘度液相来促进其烧结．     

掺杂Fe^2＋,Bi^3＋,Cu^2＋的PZT陶瓷低温烧结

在利用水热法合成的粉体低温烧结ＰＺＴ「ｐｂ（Ｚｒ０．５３ＴｉＯ０．４７）Ｏ３」陶瓷中,掺杂了ＦｅＡ＾２＋、Ｂｉ＾２＋,Ｃｕ＾２＋等无机化合物,使ＰＺＴ陶瓷在８５０℃温度下即可烧成,密度可达理论值９８％,压电性能测定表明,其Ｋｐ值变化不大,而Ｑｍ值有较大提高。     

CaMnO3热电材料的低温烧结研究

采用固相反应法制备CaMnO3粉末,加入Bi2O3混合、压块后,在900％烧结12h得到样品,并对样品的物相、组织和热电性能进行了测试分析。结果表明：制备出的热电材料是单相的CaMnO3,加入Bi2O3后没有形成可观测的第二相;随着Bi2O3加入量的增加,样品的平均电导率增大,温差电势减小;平均电导率随温度的增加而增加,呈半导体特性,温差电势随温度的增加而增大;加入Bi2O3促进了烧结,降低了烧结温度,改善了材料的热电性能。     

影响碳化硼陶瓷致密化的因素

从纯碳化硼的无压烧结、添加烧结助剂、烧结时加压等方面介绍了碳化硼陶瓷活化烧结致密化的方法，综述了国内外在不同的烧结工艺下制备的碳化硼陶瓷材料的性能，进而分析了各种方法提高碳化硼陶瓷致密度的机制，比较了各种烧结方法的优缺点。结果表明：通过综合各种措施可以提高碳化硼陶瓷的致密度。     

碳化硼陶瓷相对密度与性能的关系

研究了碳化硼陶瓷无压烧结致密化过程中相对密度与力学性能的关系,试验表明,添加碳能显著地促进烧结过程,并提高其烧结制品的相对密度,当含碳质量分数为4.5%,烧结温度为2200℃时,制品的性能达到较高的水平,过高的烧结温度和过多的碳均不利于性能的提高。     

低温烧成稀土锆莫来石砖的研究

通过添加稀土等元素，使莫来石质制品在低温下产生良好的烧结。并利用ＸＲＤ，ＳＥＭ等仪器对材料的相组成，显微结构和影响因素进行了讨论。该低温烧成工艺具有工业推广价值。     

烧结温度对Al_2O_3-SiC复合陶瓷力学性能的影响

以Al2O3和SiC为原料,利用热压烧结法制备了Al2O3-SiC复合陶瓷.采用三点弯曲法、单边切口梁法等手段和SEM方法分别测定和分析了该复合陶瓷的抗弯强度、断裂韧性、致密度和断口形貌.结果表明,Al2O3-SiC10wt%复合陶瓷的致密度随热压烧结温度的提高而逐渐提高,最高可达98.42%;抗弯强度随烧结温度的升高而呈上升趋势,在1 800℃时抗弯强度最大为623MPa;断裂韧性明显是随温度的升高加强,特别是在1 850℃烧结时达到最高值7.9MPa·m1/2.材料的断裂方式主要为沿晶断裂,随着烧结温度升高,穿晶断裂所占的比例增大.     

W-Ni-Fe-Cu体系钨合金的液相烧结与低温致密化

采用三元烧结剂Ni-Fe-Cu在低温下（1 573 K）进行了钨合金的液相烧结研究。通过加入2wt%Cu,在1 573 K-30 MPa-90 min的热压条件下成功制备出几乎完全致密并具有较高抗弯强度的93W-3.5Ni-1.5Fe-2.0Cu合金,详细探讨了W-Ni-Fe-Cu体系钨合金的低温致密化机理。     

低温烧成粉煤灰陶瓷墙地砖坯体微观结构及烧成机理的研究

本文采用粉煤灰为主要原料,在较低的烧成温度下研制了性能优良的粉煤灰陶瓷墙地砖。着重研究了粉煤灰陶瓷的显微结构,分析了瓷体在烧成过程中的物理化学变化,探讨了粉煤灰陶瓷的低温烧成机制。进行x射线衍射和扫描电子显微镜研究,结果表明:粉煤灰陶瓷的显微结构是以粉煤灰原料中的非晶态玻珠和少量的结晶矿物石英及莫来石为骨架,烧成时产生的大量液相致密地填充骨架而构成的。粉煤灰陶瓷的烧结属于液相烧结,这种烧成机制决定粉煤灰陶瓷可以在低温下烧成。     

低温烧结NiCuZn铁氧体材料的研究现状及进展

阐述了叠层片式电感线圈的现状及其低温共烧技术,详细介绍了铁氧体粉料制备的工艺方法.并从配方要求,添加剂的作用等方面综合介绍了国内外的研究情况及最新进展,指出了今后软磁铁氧体研究的主要方向及所要达到的性能要求,展望了低温烧结铁氧体的发展趋势.