盲孔快速镀铜添加剂对填孔效果的影响及其作用过程

介绍了一种快速填盲孔电镀铜工艺,镀液组成和工艺条件是:CuSO_4·5H_2O 210 g/L,H_2SO_4 85 g/L,Cl~-50 mg/L,润湿剂C(环氧乙烷与环氧丙烷缩聚物)5~30 mL/L,整平剂L(含酰胺的杂环化合物与丙烯酰胺和烷基化试剂的反应产物)3~16 mL/L,加速剂B(苯基聚二硫丙烷磺酸钠)0.5~3.0 mL/L,温度23℃,电流密度1.6 A/dm~2,阴极摇摆15回/min或空气搅拌。研究了湿润剂C、整平剂L和加速剂B对盲孔填孔效果的影响。结果表明,润湿剂C与加速剂B用量对填孔效果的影响较大,而整平剂L用量的影响较小。最优组合添加剂为:整平剂L 8 mL/L,湿润剂C 15 mL/L,加速剂B 1.5 mL/L。采用含该添加剂的镀液对孔径100~125μm、介质厚度75μm的盲孔进行填孔电镀时,填孔率大于95%,铜镀层的延展性和可靠性满足印制电路板技术要求。此外,对添加剂填孔过程的研究表明,爆发期在起镀后的20~30 min,爆发期孔内的沉积速率是表面沉积速率的11倍以上。     

盲孔填孔电镀铜添加剂的研究

介绍了一种盲孔电镀铜工艺,镀液组成和工艺条件为:CuSO4·5H2O 200 g/L,H2SO475 g/L,Cl 55 mg/L,抑制剂(乙二醇聚氧乙烯聚氧丙烯单丁醚)30 mL/L,整平剂(含氮杂环化合物)3 mL/L,加速剂(N,N二甲基二硫代羰基丙烷磺酸钠)2 mL/L,温度23°C,电流密度1.4 A/dm2,阴极摇摆16回/min,空气搅拌。研究了抑制剂、加速剂和整平剂对FR-4基材盲孔填孔效果的影响。结果表明,抑制剂和加速剂用量对盲孔填孔效果的影响较大,整平剂的影响较小。镀液中加入适宜含量的上述3种添加剂时,填孔效果良好,填孔率大于95%,所得铜镀层的延展性和可靠性满足印制电路板的应用要求。     

无氰碱性低锡铜-锡合金电镀工艺

研究出一种无氰碱性低锡铜-锡合金电镀工艺。该工艺具有镀液成分简单、工艺稳定、节能降耗等优点。通过实验确定了最佳的镀液配方和工艺条件为:CuSO_4·5H_2O 45~55g/L,K_2CO_340~60g/L,Na_2SnO_3·3H_2O 8~12g/L,铜螯合剂190~230mL/L,锡螯合剂30~40mL/L,辅助调节剂6~10mL/L,pH值10~11,电流密度1.4~2.0A/dm~2,温度45~55℃。     

工艺参数对电镀镍铜合金镀层成分及相结构的影响

采用由200 g/L NiSO4·6H2O、10 g/L CuSO4·5H2O、80 g/L Na3C6H5O7·2H2O、0.2 g/L C12H25SO4Na和0.5 g/L糖精钠组成的镀液,在10~60 mA/cm2、pH=2.5~5.0和25~50°C条件下电沉积制备了NiCu合金镀层。探讨了镀液pH、电流密度、温度等工艺参数对镍铜合金镀层相结构和组成的影响。结果表明,NiCu合金镀层的铜含量随电流密度或温度升高而增大。但随pH增大,镀层铜含量降低,pH小于4.0时,NiCu合金镀层中含有单质铜。     

无氰电镀高锡铜锡合金工艺

介绍了一种高锡含量的铜锡合金电镀工艺,镀液配方为:320~400g/L焦磷酸钾,5~12g/L焦磷酸铜,20~35g/L焦磷酸亚锡,5~10g/L柠檬酸钠,30~50g/L磷酸氢二钾,30~50g/L氨三乙酸,10~30mL/L配位剂,10~20mL/L光亮剂。讨论了镀液中各组分的含量及工艺条件(温度、电流密度、搅拌)对镀液和镀层性能的影响。给出了电镀常见故障的处理方法。     

多孔硅中金属钯的电沉积与表征

采用电沉积法对自制大深径比盲孔(直径7.7~7.8μm,深度78μm)多孔硅进行金属钯填充。镀液组成和工艺条件为:PdCl2 8.8 g/L,KCl 15.0 g/L,NH3·H2O 50 mL/L,乙醇和水各50%(体积分数),pH 8~9,电压15 V,电流1.5 mA,惰性气体搅拌,时间17 h。采用扫描电镜和能谱仪分析了钯在多孔硅中的填充情况。结果表明,金属钯在多孔硅盲孔中实现了满载填充,并在孔的外表面也有沉积。本工艺镀液组成简单,为制备三维硅基氚电池提供了技术基础。     

铝上浸锌层的无氰预镀铜工艺研究

研究了一种铜包铝线浸锌后的无氰预镀铜工艺。最佳镀液配方为:20~25g/L焦磷酸铜,320~350g/L焦磷酸钾,40~45g/L辅助配位剂A(氨羧化合物),15~20g/L辅助配位剂B(有机酸)。讨论了起始电流密度、温度、预镀时间及pH对镀层结合强度的影响,得出最佳工艺参数为:起始电流密度0.3~1.1A/dm2,温度25~40°C,预镀时间3min,pH8.0~8.8。     

中国专利信息

编者注:本期刊登的是 2011 年 6 月份国家知识产权局公布的有关表面处理系列类专利信息。如需专利全文,请与我部联系(联系人:吴海玲;电话:020-61302516)。一种铜锡铁三元合金镀液、电镀方法及电镀产品公开号 102080242公开日 2011.06.01申请人比亚迪股份有限公司地址广东省深圳市龙岗区坪山镇横坪公路 3001 号本发明提供了一种铜锡铁三元合金镀液,该镀液包括磺酸铜、磺酸亚锡、磺酸亚铁、烷基磺酸、辅助配位剂和还原剂。所述镀液中各成分的含量如下:铜 4.0 ~ 9.0 g/L,锡 2.5 ~ 4.0 g/L,铁 0.8 ~ 1.0 g/L,烷基磺酸 150 ~ 300 mL/L,还原剂 0.1 ~ 0.3 g/L,辅助配位剂 5 ~ 20 mL/L。本发明所述的镀液在提高锡含量的基础上引入了铁元素,缓解了铜锡合金在防护性能方面的不足,通过添加辅助配位剂,使锡铁合金形成共沉积。而锡和铁形成的共沉     

无氰铜-锌-锡合金电镀工艺的研究

介绍了一种新型的无氰铜-锌-锡合金电镀工艺。确定了该工艺的最佳配方为:Sn2+1.5~2.0g/L,Cu2+6.5~8.5g/L,Zn2+3.8~5.0g/L,DS6008A400~600g/L,DS6008B200~300g/(kA·h),25~35℃,pH值6~7,0.4~0.8A/dm2。同时对镀液性能和镀层性能进行了测试。     

ABS塑料化学镀铜工艺

介绍了ABS塑料表面化学镀铜的工艺流程,讨论了粗化温度和时间、敏化和活化时间、硫酸铜质量浓度、甲醛体积浓度、酒石酸钾钠质量浓度、镀液温度和镀液pH对镀层质量以及化学镀铜沉积速率的影响。确定了最佳工艺条件为15~20g/L硫酸铜、15mL/L甲醛、14g/L酒石酸钾钠,镀液温度为323K,镀液的pH为11~12。扫描电镜表明,所得镀层均匀、光亮,结合力好。     

十六烷基三甲基溴化铵对氢气泡模板法电沉积多孔铜薄膜的影响

以阴极析出的氢气泡为模板电沉积制得三维多孔铜薄膜,电解液的组成和工艺条件为:CuSO450g/L,H2SO4147g/L,Na2SO470.2g/L,HCHO30g/L,HCl0.25mL/L,聚乙二醇0.25mL/L,十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)0～9.75g/L,温度25°C,电流密度3A/cm2,时间10～20s。研究了电沉积时间及CTAB用量对薄膜结构的影响。结果表明,随沉积时间的延长,镀层的主孔径增大,孔壁变厚。镀液中CTAB的存在会影响铜离子的沉积和结晶取向,随着镀液中CTAB质量浓度的增大,多孔铜薄膜的孔径先减小后增大。     

钢铁件酸性镀铜前的预镀工艺研究

实验研究了钢铁件酸性镀铜前的预镀工艺，确定了硫脲浸铜工艺，讨论了工艺中各成分及含量对镀层结合力的影响，得到了硫脲浸铜工艺的成分及最佳含量，硫酸铜10—12g／L、硫酸75—100m/L、硫脲0.2—0.3g／L、添加剂8—10mL/L.由此工艺预浸后，再进行酸性镀铜，得到的镀层结合力良好。     

新型钢铁无氰镀铜工艺及其应用

在第一代钢铁无氰镀铜工艺的基础上,开发出第二代无氰碱性镀铜新工艺,成功地解决了镀液的稳定性问题。镀液的基础配方和工艺条件为:CuSO₄·5H₂O25.0g/L,C₆H₅O₇K₃·H2O0.2mol/L,辅助配位剂0.05mol/L,稳定剂0.2mol/L,活化剂0.02mol/L,H3BO330g/L,KOH20g/L,添加剂10mL/L,温度45°C,pH8.8⁹.2,电流密度1.0¹.5A/dm2,阳极为电解铜。在新工艺镀液中引入一价铜稳定剂和活化离子,保证了其稳定应用。通过赫尔槽和挂镀试验研究了镀液组分和工艺条件对镀层性能和电流效率的影响,以及镀液的抗杂质能力。结果表明,在本工艺条件下,所得镀层性能良好,电流效率高于90%,镀液的抗杂质性能优良。本工艺适用于钢铁、铜合金预镀铜。经数月的连续生产,镀液保持稳定,产品结合力合格。     

基于乙醛酸作还原剂的新型化学镀铜工艺研究

研究了乙醛酸化学镀铜体系中各因素对镀速和溶液稳定性的影响,根据实验确定了适宜的化学镀铜液的配方及工艺规范。优化工艺条件：硫酸铜16g／L,乙二胺四乙酸二钠30g/L,乙醛酸13g／L,2,2’-联吡啶10mg／L,pH12．5,温度40％。优化条件下,可获得结合力良好、表面均匀光亮的镀层,工艺中不使用甲醛,无污染,具有良好的环境效应及社会效应,应用前景广阔。     

2-巯基苯并噻唑对化学镀铜的影响

以甲醛为还原剂,研究了2-巯基苯并噻唑(2-MBT)对ABS塑料化学镀铜沉积速率、铜镀层表面形貌、纯度、平整度及晶型的影响.化学镀铜的工艺条件为:CuSO4·5H2O 10g/L,EDTA-2Na30g/L,HCHO3mL/L,PEG-10002mg/L,2-MBT0～2mg/L,温度70℃或40℃,pH 12.5,时...     

氮化铝陶瓷表面化学镀铜溶液组成的优化

采用正交试验方法研究了镀液组成对氮化铝(AIN)陶瓷表面化学镀铜镀速和表面粗糙度的影响.经过直观分析和方差分析,评价了各组分对化学镀影响的显著程度,优化了镀液组成.试验结果表明,CuSO_4·5H_2O和Na_2EDTA对镀速有显著影响;KNaC_4H_4O_6、CuSO_4·5H_2O和Na2EDTA对镀后表面粗糙度有显著影响;AIN陶瓷表面化学镀铜液的最优工艺参数为:CuSO_4·5H_2O 24 g/L,Na_2EDTA 30 g/L,KNaC_4H_4O_6 20 g/L和HCHO 15 mol/L.在最优工艺条件下,镀速为7.350 μm/h,镀后表面粗糙度为1.03 μm,所得镀层表面平整,铜晶粒大小均匀.     

配位剂和添加剂对钢铁基体化学置换镀铜的影响

研究了配位剂及添加剂对Q235钢上置换镀铜层的沉积速度、外观及耐腐蚀性能的影响.实验结果表明,三乙醇胺(TEA)和乙二胺四乙酸二钠(EDTA-2Na)双配位体系中铜的沉积速率适中,能够获得结晶细腻、结合力好的镀层,且镀层在质量分数为5%的盐酸溶液中的自腐蚀电位明显正移,腐蚀电流密度大大降低,耐蚀性显著提高.采用含吡啶、...     

Al_2O_3陶瓷制品化学镀铜与表面处理工艺

提供了一种Al2O3陶瓷制品化学镀铜的工艺,其溶液由组分A(含酒石酸钾35～45g/L、氢氧化钠7～9g/L和碳酸钠3～4g/L)和组分B(含硫酸铜7～14g/L、氯化镍1～2g/L和甲醛15～20g/L)按体积比3:1混合而成。给出了表面预处理(包括除油、粗化、敏化、活化、还原等工序)的配方及工艺条件。介绍了市场需求量较大的镀铜后五色系实用着色工艺配方及参数。Al2O3陶瓷制品应用该工艺配方处理后,所得镀层外观平整、光亮,在获得优雅外观的同时,大大延长了使用寿命。这些技术均已在生产实践中获得成功应用,具有广阔的发展前景。     

化学镀铜溶液中稳定剂与铜沉积速率的关系

研究了化学镀铜溶液中稳定剂对铜沉积速率的影响,着重考虑主配位剂、副反应的抑制剂、甲醛捕获剂对化学镀铜的影响。结果表明,在基本配方8 g/L CuSO4.5H2O,3 g/L HCHO2,8 g/L EDTA7,.5 g/L NaOH,工艺参数pH=12.5,温度50℃,时间40 min的基础上,各种稳定剂的适宜用量为6 mL/L CH3OH、8 mg/L K4Fe(CN)6、6 mg/L 22,’-bipy。在最佳工艺下得到的镀层外观红亮,表面平整,晶粒细致,化学镀铜液稳定。     

电镀工艺对LED引脚光泽度的影响研究

发光二极管(LED)引脚的光泽度会影响焊接质量和发光效率,文章研究了LED引脚电镀工艺中酸活化、镀铜和镀银对其表面光泽度的影响,优选了电镀工艺参数,实验结果表明:采用铜微蚀剂60g/L+1%H2SO4酸活化,氰化铜法(1μm)+硫酸铜法(1μm)镀铜;Ag0-56(1μm)+氰化银法(3μm)镀银,可以使LED引脚的光泽度达到1.5以上,能满足高端电子产品对LED的要求。