溶液pH对电沉积氧化亚铜薄膜的影响

采用醋酸铜-醋酸钠酸性溶液和硫酸铜-乳酸碱性溶液,分析了不同pH下电沉积Cu2O薄膜的形貌及结构,讨论了镀液体系及溶液pH对Cu2O薄膜生长的影响,测定了不同形貌的Cu2O薄膜的光学透射性能.结果表明,溶液的氢氧根、羧基、羟基中的氧原子会影响Cu2O薄膜的结构及形貌.酸性溶液中,Cu2O薄膜易形成混晶结构;而碱性溶液中,随着pH的变化,Cu2O薄膜有不同的择优取向.酸性溶液中Cu2O薄膜形成网状结构,碱性溶液中易形成锥形结构.     

电沉积工艺对氧化亚铜薄膜成相的影响

利用电沉积的方法制备氧化亚铜薄膜,研究了络合剂的种类、浓度、后处理工艺及沉积时间对薄膜成相的影响。研究表明,络合剂柠檬酸钠有利于形成氧化亚铜薄膜;随着柠檬酸钠的浓度增加,薄膜中氧化亚铜含量降低,铜单质含量升高;沉积薄膜后,后处理对薄膜成相影响很大,烘干前不清洗薄膜中含有溶液中物质;随着沉积时间变长,薄膜变厚,然后出现掉膜现象。实验结果表明,选用柠檬酸钠为络合剂,柠檬酸钠的浓度为0.015 mol/L,沉积t为30 min,沉积薄膜后用蒸馏水清洗,制备出结晶良好,表面呈均匀纯相的氧化亚铜薄膜。     

ITO和ZnO基底对电化学沉积氧化亚铜薄膜的形貌、结构的影响及作用机制

采用电化学恒电位沉积方法在ITO导电玻璃上和在ZnO薄膜上沉积氧化亚铜（Cu2O），并通过X射线衍射（XRD）和扫描电镜（SEM）对晶体的微观结构和表面形貌进行了分析．在ZnO基底上沉积得到了纳米级的Cu2O粒子并且具有明显择优取向，而在ITO导电玻璃上仅得到粒径为2—5胛的Cu2O粒子，没有明显的择优取向，对薄膜的生长机理进行了讨论．     

氧化亚铜/氧化锌复合薄膜的制备及可见光催化研究

以导电玻璃(FTO)为基底,采用连续阴极电沉积方法在多孔结构的ZnO薄膜上合成具有单一(111)择优取向的Cu2O,制备了Cu2O/ZnO复合薄膜。采用X射线衍射和扫描电镜分别对薄膜的结构及形貌进行了表征。光吸收谱显示复合薄膜在可见光范围内具有较好的光吸收性能。可见光催化降解罗丹明B的实验表明,由于在两半导体接触界面上发生了电荷的转移,Cu2O/ZnO复合薄膜比单一的Cu2O薄膜具有更高的光催化活性,在2.5h内对罗丹明B的降解率可达到70%,而在相同条件下Cu2O薄膜的降解率仅为60%。     

氧化亚铜的制备及其光催化性能的研究

以五水硫酸铜和氢氧化钠为原料,葡萄糖为还原剂,乙二醇为溶剂,采用水热合成法制备了氧化亚铜,并且利用XRD对制备的产品进行表征。对制备的产品,分别研究了催化剂用量、pH值以及H_2O_2用量对其光催化活性的影响。结果表明,以高压汞灯为光源,甲基橙浓度为40 mg/L,当催化剂用量为0.8g/L,pH=6,H_2O_2含量为1.0%时,70 min的降解率达到98.3%。     

氧化亚铜微纳米结构的制备及光催化性能研究

以氨基酸为还原剂及配位剂,在碱性溶液中通过水热还原二价铜离子,制备了不同形貌的氧化亚铜微晶。考察了氨基酸对氧化亚铜微晶结构、尺寸、形貌的影响,提出了氧化亚铜微晶在水热条件下的可能形成机理,结果表明氨基酸是良好的形貌调节剂。以亚甲基蓝为探针分子,对所制备的氧化亚铜微晶的光催化性能进行了研究,发现其催化性能与形貌间存在着密切联系。     

氧化亚铜的制备及其光催化性能的研究

以五水硫酸铜和氢氧化钠为原料,葡萄糖为还原剂,乙二醇为溶剂,采用水热合成法制备了氧化亚铜,并且利用XRD对制备的产品进行表征。对制备的产品,分别研究了催化剂用量、pH值以及H_2O_2用量对其光催化活性的影响。结果表明,以高压汞灯为光源,甲基橙浓度为40 mg/L,当催化剂用量为0.8g/L,pH=6,H_2O_2含量为1.0%时,70 min的降解率达到98.3%。     

金负载对立方体纳米氧化亚铜光催化性能的影响

以1-苯基-5-巯基四氮唑(简称四氮唑)为晶体生长控制剂,用葡萄糖还原氢氧化铜的方法制备了尺寸均匀的立方体纳米氧化亚铜;用硫氰酸金加热分解的方法在氧化亚铜上负载了金,并对其光催化性能进行了研究。结果表明,金的负载能有效提高纳米氧化亚铜的可见光催化效率。     

阴极电沉积制备铝掺杂ZnO薄膜及其光催化性能

以不锈钢为基体,采用阴极电沉积法,从Zn(NO3)2和Zn(NO3)2+Al(NO3)3水溶液中制备了纯ZnO薄膜和铝掺杂ZnO薄膜.用X射线衍射、 扫描电镜和紫外-可见光漫反射光谱研究了铝掺杂对ZnO薄膜相变和光催化活性的影响.结果表明:在铝掺杂ZnO薄膜中,部分Al3+进入ZnO的晶 格,形成固溶体:铝掺杂使ZnO的吸收阈值蓝移大约50nm.和纯ZnO薄膜相比,铝掺杂ZnO薄膜在紫外光和可见光区均呈现出更高的催化活性, 反应60min后.甲基橙的降解率分别提高了45%和30%.探讨了铝掺杂ZnO薄膜光催化活性提高的原因.     

超细氧化亚铜的制备及在污水处理中的光催化应用

在碱性条件下,葡萄糖和水合肼还原硫酸铜制备了超细氧化亚铜。采用扫描电镜（SEM）和X衍射仪（XRD）进行表征,并在太阳光照条件下用氧化亚铜处理台盼蓝溶液,考察其对污水处理的光催化降解性能。考察了温度、台盼蓝初始浓度、光照时间、催化剂用量对台盼蓝溶液脱色率的影响,结果表明,超细氧化亚铜粒子粒径约为1μm,分散性较好;0.2g氧化亚铜在30℃太阳光照射1.5h条件下,处理50mL（15mg.L-1）的台盼蓝溶液脱色率为98.8%,氧化亚铜在重复使用4次后脱色率为87.8%。     

电化学法制取氧化亚铜

采用电化学法制取氧化亚铜,研究了电解液组成及其浓度,温度,电流密度以及添加剂等因素对氧化亚铜产品质量的影响,得到了电化学法轩氧化亚铜的优化工艺条件：ρ（NaCl)=260-290g/L,ρ(NaOH)=0.5g/L(pH12.1);电解温度：75－80℃;电流密度：750－1000A／m^2;ρ(Na2Cr2O7)=0.1g/L。在此条件下,可以得到Cu2O纯度＞95％的一级产品。     

Cu2O光催化剂综述

介绍Cu_2O光催化降解机理,禁带宽度,光生载流子利用率和溶液pH影响Cu_2O光催化降解活性,通过掺杂,负载贵金属,碳材料修饰和半导体复合可提高Cu_2O光催化性能。     

稀土元素铈钕共掺氧化锌对降解罗丹明B光催化性能的影响

采用水热合成法制备纳米级半导体光催化材料,镧系元素是理想的金属掺杂剂,因为其独特的光学性质和未被完全占据的4f轨道,所以掺杂镧系元素可以提高催化剂的活性。最近的研究表明,通过共掺杂两种稀土元素可以更有效地改良光催化剂,不仅可以通过协同效应有效提高催化剂的光吸收能力,同时也对光生载流子的复合产生了抑制。实验采用铈、钕两种镧系元素共掺杂制备改性半导体氧化锌光催化材料。通过XRD、SEM、XPS、EDS、BET、UV-vis和PL对制备的光催化材料进行分析与表征,得到了带隙更窄、比表面积更大、晶粒尺寸更小的高性能改性光催化材料。将其应用在降解废水中罗丹明B实验中,结果表明,2%Ce5.5%Nd掺杂配比的氧化锌在40 min时降解率达到92.2%,60 min时降解率达到98.3%,整体催化性能较单掺杂铈与单掺杂钕相比有了很大的提高。总结分析稀土金属铈、钕共掺杂提高氧化锌光催化性能的原因包括：氧化锌晶格的畸变、杂质能级的产生及稀土离子价态的影响、形貌及比表面积的影响、禁带宽度及稀土离子氧化还原对的产生等。     

ZnO薄膜的制备及光催化性能研究

采用溶胶 凝胶法在石英玻璃基底上制备出性能优良的ZnO薄膜。并通过XRD、AFM和UV VIS吸收光谱对薄膜的结构及形貌进行表征,研究了降解温度、苯酚溶液的初始浓度和空气流量对ZnO薄膜光催化性能的影响,ZnO薄膜光催化降解苯酚的最佳条件：降解温度25～45 ℃,空气流量40 mL·min^－1。起始浓度越低,降解效果越显著,同时实现了ZnO薄膜催化剂的固载,催化效果显著。同时研究了ZnO薄膜催化剂的固载。固载后的ZnO薄膜催化剂催化效果显著,且便于回收利用。     

氧化亚铜微米晶的水热合成与生长机理

氧化亚铜是一种重要的P型半导体材料，目前因其独特的可见光催化性能在科研领域引起了广泛的重视。以CuSO4·5H2O为铜源，以α—D-葡萄糖为还原剂，并利用水热还原反应合成出了不同形貌的Cu2O微米晶。利用X射线粉末衍射分析（XRD）、透射电子显微镜（TEM）对合成的样品进行了形貌与结构的表征与分析。结果表明所合成的晶粒尺寸均匀且分散性好。讨论了不同条件下的晶粒生长机理，运用扩散机制与聚集机制解释了不同形貌的成因。     

氧化钨空心球制备及其光催化性能

在较低温度下制备出氧化钨空心球,一方面可以提高催化剂对光源的利用率,另一方面能够降低催化剂成本。以氯化钨为钨源,将其在70 ℃下醇解和水解,于磺化聚苯乙烯微球表面形成氧化钨前驱体纳米颗粒,通过煅烧制备了氧化钨空心球。利用场发射扫描电镜（FE-SEM）、X射线衍射（XRD）、傅里叶变换红外光谱（FT-IR）和综合热分析（TG-DTG）对所制备的产物进行表征。通过光催化降解罗丹明B溶液来测试氧化钨空心球的催化性能,结果表明光照60 min后催化剂对罗丹明B溶液的光催化降解率可达86.61%。     

氧化亚铜光催化剂性能提升及增强机制的研究进展

Cu₂O是目前最有潜力的可见光光催化剂之一,在太阳能电池、一氧化碳氧化、光催化剂、传感器、化学模板等方面有着广泛的应用。然而,Cu₂O光生电子-空穴对具有容易复合、易发生光腐蚀、稳定性不好等特性,使其在实际应用上面临很大的挑战,因此如何有效地提高Cu₂O的光催化性能成为国内外研究者关注的焦点。首先,本文围绕Cu₂O半导体的形貌控制、杂原子掺杂以及构建半导体异质结这三方面对Cu₂O光催化性能的提升进行系统阐述,其中构建半导体异质结是提升Cu₂O光催化性能最有效的方法,Cu₂O与贵金属、金属氧化物以及碳材料构成的复合半导体异质结均有效地提高了Cu₂O的光催化活性;其次,从复合半导体异质结、肖特基结以及Z-scheme机制三方面分析并讨论了Cu₂O光催化增强机制;最后对Cu₂O基纳米复合材料在电子结构、界面性质以及表面负载的成分和厚度等方面的研究进行了展望。     

复合电沉积制备TiO_2/泡沫镍光催化材料及其催化活性

采用复合电沉积方法制备了TiO2/泡沫镍光催化材料,通过扫描电子显微镜（SEM）和能量色散谱（EDS）分别对纳米复合镀层进行了形貌和成分表征,同时研究了在镀液中添加不同表面活性剂对光催化材料镀层的影响。讨论了TiO2/泡沫镍光催化材料对大肠杆菌和小球藻的光催化活性。结果表明：在本实验的电沉积工艺条件下,泡沫镍基底上获得了微粒分布均匀、Ti的质量分数为5.97%的纳米TiO2-Ni复合沉积层。添加了阴离子表面活性剂的光催化材料表面TiO2颗粒具有良好的分散性。TiO2/泡沫镍光催化材料处理含大肠杆菌水样,反应30 min灭活率达到60.1%,反应2 h灭活率达到99.9%;处理水中的小球藻溶液,初始3 h内,小球藻溶液中所含叶绿素a从初始的98.2 mg/m3降至38.2 mg/m3。     

Bi_2O_3-MgO复合材料的制备及其光催化性能研究

通过凝胶-溶胶法制备了Bi2O3-MgO复合材料,用可见光降解罗丹明B,考察了n(Bi)∶n(Mg)、反应温度、活化时间以及煅烧温度等因素对Bi2O3-Mg O光催化性能的影响,并得出最佳制备条件:n(Bi)∶n(Mg)=2,反应温度90℃、活化时间15 h,煅烧温度500℃。