X射线光刻用的新的固定靶射线源

<正> 目前大部分x射线源使用旋转水冷靶,但旋转靶会引起振动,使引出束晃动,降低了分辨率,振动也会使片子移动,产生对准误差。固定靶避免了这些问题,但用固定靶得到足够高的功率是很难的。 Kevex公司最近设计并生产了用于半导体片子曝光系统的新的固定靶x射线源。在工作中,电子流聚焦在一个3mm直径的固定靶上,在高压下用超纯水打到阳极靶上进行水冷,用高压防止形成一个蒸气屏障,使热迅速除去。壳体为阴极,具有地电位,因此壳体不需要电     

X射线光刻综述

Ｘ射线光刻综述＝Ｘ－ｒａｙｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ－ａｎｏｖｅｒｖｉｅｗ［刊，英］／Ｐｅｃｋｅｒａｒ．Ｍ．Ｃ．…Ｐｒｏｃ．ＩＥＥＥ．－１９９３．８１（９）．－１２４９～１２７４论述了Ｘ射线光刻的基本原理，讨论了分辨率、硅片产量及工艺范围等问题。把Ｘ射线...     

X射线光刻技术

在LSI日益加快向高集成化、高速化发展的同时,推动LSI发展的16M比特动态随机存取存储器(DRAM)已达到批量生产的水平.目前高集成化速度每三年提高四倍,预计今后仍将按这个速度持续下去.在光刻技术中作为重要指标的最小图形尺寸每代缩小30%.据预测,256M比特DRAM的最小尺寸为0.25～0.2μm、1G bit为0.18～0.15μm、4G bit为0.12～0.1μm.     

X射线光刻技术

X射线光刻技术是利用比可见光波长短1～2个数量级的软X射线为光源进行曝光的技术.目前已开发出两种方式.一种是将掩模和晶片置于数十微米以内的近帖间距内,以波长1nm左右的软X射线为光源对掩模和晶片进行1:1曝光的等倍近贴曝光方式.另一种是以波长10nm左右的软X射线为光源,通过多层膜反射镜的光学系统进行曝光的缩小投影曝光方式.图1为这两种X射线光刻方式的分辨极限示意图.     

一种新的高分辨率超大屏幕显示

一、引言在1985年筑波国际博览会上展出了一种称为Jumbotron的40(水平)×25(垂直)米的超大屏幕显示。这种Jumbotron设计得能在室外的大屏幕上显示接近普通质量的电视图象。为了达到这种图象质量要求,我们为筑波的Jumbotron设计了一种含有蓝、红、绿三     

X射线光刻现状

本文介绍x射线光刻的x射线源、光刻机、掩模和抗蚀剂的现状。     

X射线光刻可行吗

本文探讨在将来的亚微米器件生产中X射线光刻的可行性。文中,预测了将来的芯片光刻要求,对光学光刻的潜在分辨率或景深极限作了评价。讨论了电子束系统的生产率局限,并对光学、电子束和X射线三种光刻方式的成本作了计算。     

同步辐射X射线光刻技术研究

对可能应用于０．２ｕｍ及０．２ｕｍ以下的同步辐射Ｘ射线光刻技术进行了论述，并对其在未来的大规模集成电路生产中的应用前景进行了分析。     

同步辐射X射线光刻实验研究

采用侧墙工艺技术研制深亚微米Ｘ射线掩模，并在北京同步辐射装置光刻束线上进行了同步辐射Ｘ射线曝光实验，初步获得了深亚微米光刻图形。     

激光与X射线光刻竞争

半导体结构愈来愈小的趋势已集中至以X射线光刻作为实现此目标的最有希望的技术上。虽然X射线光刻离实际生产使用还有好多年，但对此技术已进行了大量研究。在建立实用系统的竞争中，用激光产生X射线已成为领先的技术之一。     

X射线光刻技术的现状

X射线光刻技术(XRL)是刻制130nm,100nm和70nm最小尺寸图形的可行方案之一.其它候选技术还有193nmArF准分子激光光刻、电子束投影、电子束直接写入、极紫外(EUV)及离子束投影光刻等.然而,在各种技术之中,由于XRL具有良好的临界尺寸控制及可扩展到刻制70nm以下最小尺寸图形等优点而处于领先地位.虽然XRL所需要的设备和材料业已商品化,其它     

电子束与X射线光刻近况

电子束和X射线技术已经在半导体工艺中被用以制版、片子光刻以及探测等目的。目前的问题是:电子束和X射线技术将在多大程度上补充或取代光学的光刻方法。     

同步辐射X射线光刻实验研究

同步辐射X射线光刻是一种很好的深亚微米图形复制技术。本文报道了北京同步辐射装置3BlA光刻束线上的曝光结果，并对X射线掩模的制作工艺作了简要介绍。     

激光等离子体有助于改进X射线光刻

为了迅速突破集成电路的X射线光刻工艺，华盛顿州贝尔里尤的Spectra Technology研究小组发展了一种高亮度激光等离子体源。用这种X射线光刻可望大大提高电路板的生产效率。     

X射线光刻技术研究的现状

目前看来, Ｘ 射线光刻技术能否真正应用到 ０１３μｍ 及 ０１３μｍ 以下的集成电路工业中去是光刻技术工作者很关心的一个问题。分别从光源、曝光系统、掩模、光刻胶、光刻机、光刻工艺、成本等七个方面对 Ｘ 射线光刻技术的现状进行了介绍,并对它的应用前景进行了简要分析。     

用于X射线光刻的同步辐射光源

本文简要介绍同步辐射光的原理、特征,同步辐射光装置的构成及其开发现状,重点阐述同步辐射光在ULSI工业生产中的应用及其存在的课题。     

一种新的X射线图像增强算法

基于X射线影像增强器的视觉系统所成图像的缺点是动态范围小,对比度不够高。为此,提出一种新的X射线图像增强算法。首先在高低两个不同射线管电压下分别获取两幅图像,利用离散小波变换对其进行多分辨率图像融合,以扩展X射线图像动态范围,之后再利用双平台直方图均衡算法对融合图像进行增强。实验结果显示,射线图像得到有效增强。     

日趋成熟的X射线光刻技术

本文从X射线源、掩模和X射线光刻装置等几个方面,阐述了X射线光刻技术近年来的新进展。并预示了这种新型的亚微米加工技术在八十年代末期可望进入工业化生产0.5微米线宽图形的发展前景。     

电镀法制备软X射线光刻掩模

本文报导了用电镀X射线吸收层的方法制备软X射线光刻掩模的工艺过程及其基本结构与性能,成功地制备出可光刻面积达30mm×40mm、图形最细线宽约l.5μm的实用掩模。并简述了该掩模用于X射线光刻的实验情况及结果。