MEMS兼容PZT压电厚膜的性能测试

丝网印刷法制备PZT厚膜工艺与MEMS技术兼容.通过调整PZT印刷浆料粘度,并采取多次套印、多次退火及合理的烧结工艺,在硅膜片上获得了较致密的PZT厚膜.采用悬臂梁方法对制备的Ag/PZT/SiO2/n+Si结构复合压电厚膜进行了直接测试,结果表明PZT压电厚膜的压电常数d31可达70×10-12m/V,以此方法制备的压电厚膜适合作为MEMS执行器的微驱动元件.     

PZT厚膜压电悬臂梁结构的有限元分析

设计了一种硅微悬臂梁结构,在低频环境中以压电厚膜进行信号转换、谐振.使用有限元分析软件ANSYS对结构建模,并进行模态和谐响应分析.模拟分析的结果表明通过制备添加金属质量块及选择合理的尺寸范围,结构固有频率可在100～1500Hz之间;该结构在共振条件下将运动信号转换为电压信号输出时,电压可达0.4V以上,足以开启双锗二极管进行电路整流.     

化学气相沉积(CVD)碳化硅厚膜的实验研究

本研究通过CH₃SiCl₃/H₂体系,温度在1100℃—1500℃范围内,常压下,在石墨基底上CVD—SiC厚膜实验,观察了总流量、温度及CH₃SiCl₃浓度对沉积速率的影响。用扫描电镜及X射线衍射分析了沉积层的表面形貌及组织结构。结果发现当温度为1300℃、总流量为81/min、CH₃SiCl₃浓度为12mmol/min时沉积层为择优取向[111]的致密柱状β-SiC,且沉积速率最高,20分钟,沉积量可达10mg/cm²左右。     

NiTi基体上沉积铁电陶瓷PZT复合材料的振动响应特性

用溶胶-凝胶法在NiTi形状记忆合金冷轧薄片基体上沉积铁电陶瓷PZT薄膜,再通过650℃烧结处理而得到NiTi/PZT复合材料,采用动态热机械分析方法测试了该复合材料及相同温度时效处理的NiTi形状记忆合金的内耗随温度及振动频率的变化曲线,比较了两种材料内耗曲线特征的差异;通过分析内耗曲线随温度、振动频率变化规律研究了材料的振动响应特性.结果表明:对于NiTi/PZT复合材料,响应振动载荷的能力相对于单纯NiTi形状记忆合金有明显改善,响应范围从10 Hz以内提高到33 Hz以内;tanδ-t曲线特征凸起峰高度值(材料的响应程度)从3%增加到5%,提高60%以上.     

乙炔-氧气火焰沉积高质量、致密金刚石厚膜

通过分析了沉积温度、乙炔－氧气流量配比对金刚石厚膜质量的影响及高质量金刚石厚的生长过程。     

电阻式厚膜敏感元件的研究与发展

一、前言厚膜混合集成电路中的电阻、电容、电感及导带是应用厚膜技术制作的在电路基片上的膜式元件。它们与传统的分列元件相比精度及可靠性高,体积小,重量轻,在设计上变通性强、周期短、成本低,便于批量生产。     

厚膜电阻制造技术研究

针对传统厚膜混合集成电路在厚膜电阻制造过程中存在厚膜电阻阻值离散性大、印刷效率低及产生大量试阻片浪费等问题,特对厚膜制造技术进行了研究。通过对厚膜电阻设计和制造原理进行分析,发现厚膜电阻印刷膜厚对其阻值至关重要,因此,决定采用厚膜电阻印刷膜厚监测以达到控制厚膜电阻阻值的方式,先对厚膜电阻印刷时膜厚控制范围进行确定,同时根据所使用的厚膜电阻浆料方阻的不同,对厚膜电阻印刷膜厚控制范围进行调整,然后依据调整后的膜厚控制范围直接进行厚膜电阻印刷。经过实际验证,采用这种加工方式使厚膜电阻加工效率和成品率得到了大大提高,同时厚膜电阻阻值一致性也得到了很大改善。     

厚膜微压力传感器的研究

针对目前我国工业过程自动控制、机电一体化及其他应用领域微压测量用工业变送器、液位计技术的需要,采用较大半径／厚度比（ｒ／ｈ）的新型超薄微压陶瓷弹性体设计和高性能钌酸盐厚膜应变电阻,并运用厚膜印刷、烧结工艺技术,研制出工作温度高、耐腐蚀、性能价格比高的新型厚膜微压力传感器。量程１ｋＰａ、５ｋＰａ、１０ｋＰａ,精度０２％～０５％。并已在石化、冶金、电力等部门推广应用。主要阐述其设计、工艺及主要性能,并对研制中的若干问题进行探讨。     

金刚石厚膜刀具切削性能的研究

制备了机夹式金刚石厚膜刀具 ,通过切削试验研究了金刚石厚膜刀具精密车削LY12铝合金时切削用量 (进给速度vf、切削速度v和切削深度ap)对切削表面粗糙度的影响     

CVD金刚石厚膜的制备及厚膜刀具制造技术

分析了沉积参数对合成金刚石厚膜质量的影响,提出了采用燃焰法沉积高质量金刚石厚膜的合理参数,介绍了金刚石厚膜的激光切割、焊接及刃磨加工特性。     

厚膜静液挤压方法与工艺研究

本文研究了一种厚膜静液挤压方法．该方法通过最大限度地减少压力介质的使用量，解决了静液挤压中出现的蠕动问题，为此，专门研究了厚膜挤压用压力介质、组合模具等。通过改装的挤压机进行了Zr基非晶材料挤压。试验结果表明，挤压变形速率可控制0．5mm／s，挤压过程压力平稳，非晶材料变形均匀，没有出现断裂、晶化现象，证明厚膜静液挤压工艺的可行性。     

数控电沉积的沉积厚度分布模型研究

研究和探讨数控电化学沉积的沉积厚度分布。根据法拉第定律和实验研究获得了移动电极在平板上沉积的厚度分布模型,研究结果说明移动电极的电化学沉积厚度分布是不均匀的,呈现凸峰分布,同时沉积厚度除了与沉积系统的特性有关,还受到沉积初始间隙、沉积头移动速度的影响,这种影响关系是一种非线性关系。     

浮法玻璃气电测厚部件的研究与设计

文中针对浮法玻璃在线检测系统核心部分－－气电测厚部件进行研究。运用控制论方法,建立了气电测厚部件的动态数学模型。以系统性能达到最优为目标,分析提出并联校正方案,设计改进后的气电测厚部件,并总结出并联校正元件的设计准则。     

金刚石厚膜端铣刀的试验研究

对金刚石厚膜和PCD复合片的显微组织进行了对比分析 ,用优化设计的金刚石厚膜和PCD端铣刀进行了切削试验 ,证明金刚石厚膜端铣刀可实现“以铣代磨”超精镜面加工     

陶瓷厚膜压力变送器的应用研究

本文介绍一种性能／价格比高的陶瓷厚膜压力变送器，阐述了其技术优势和特点。实践表明，这种变送器具有良好的应用前景     

电容式压力传感器的厚膜集成化研究

采用厚膜传感技术研制电容式感压元件,并通过厚膜混合集成技术将信号处理电路集成在感压元件上成为一体,进行电容式压力传感器的厚膜集成化研究。结果表明：研制成的新型厚膜电容式集成压力传感器,线性达到0．5％,迟滞小于0．5％,具有重复性好,受分布电容,寄生电容影响小,精度高,抗过载,耐腐蚀等特点,对厚膜感压元件,信号处理电路的设计与平面化加工以及集成化等进行了介绍,并对集成化中相关工艺,兼容性及性能进行了讨论。     

光纤频谱仪测试膜厚的新技术研究

在“Y”型光纤一个端面上垂直放置涂有透明薄膜的玻璃片，入射光在薄膜层的上下表面处两次反射，由于光程差的存在，反射光会发生干涉。不需要测量干涉条纹，根据Fresnel反射定律，仅通过对反射光谱的分析计算，可以测出薄膜的厚度以及折射率。该方法测量精度高、速度快、对薄膜无破坏作用。膜厚测量范围为0．5至几十微米，测量误差小于7nm。     

沉积温度及膜厚对离子镀银膜结构及摩擦学性能的影响

采用离子镀在不锈钢和45钢基体表面低温沉积银薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和真空摩擦试验机对低温沉积银膜的晶体结构、表面形貌和摩擦学性能进行了研究.结果表明:银膜的择优取向度随着沉积时间的延长和基体温度的降低具有明显变化;在-147℃沉积6 min条件下制备的银膜为表层具有(200)择优取向及底层为(111)择优取向的双层结构;银膜在载荷较高时也有较好的摩擦学性能.     

分子沉积膜的制备与应用

随着微型机械、高密度磁记录技术的发展，其器件的润滑及磨损成为制约其发展的一个关键问题。纳米复合薄膜有望解决这一问题。对化学法制备纳米复合薄膜的方法进行了综述，重点对分子沉积膜的发展及应用进行了概述，提出了分子沉积膜今后的发展趋势。