形变铜中位错组态的电镜分析

本文用ＴＥＭ衍射成像技术观察在室温下形变铜中位错胞结构的产生与发展，测定了胞壁厚及位错环尺寸等应变的变化规律，并探讨了胞尺寸与位错密度，流变应力之间定量关系的存在。     

小角度晶界铜晶体的循环形变及饱和位错组态ECC观察

通过对具有小角度晶界的铜晶体进行循环变形，发现其循环饱和切应力在塑性切应变范围０．６—４．７×１０－３内基本不变（约为３０ＭＰａ）。采用电子通道衬度（ＥＣＣ）技术观察了其循环饱和时晶内、晶界及形变带附近的位错组态，发现在低应变幅下（γｐ１＝０．６×１０－３）晶内为驻留滑移带及脉络两相结构。随应变幅升高（γｐ１＞１．７×１０－３）驻留滑移带逐渐增多，最后形成规则的位错墙结构，并且位错墙连续穿过小角度晶界，在局部区域还发现小角度晶界两侧出现无位错区（ＤＦＺ）；结合宏观形变带观察表明位错墙与形变带方向一致     

蠕变TiAl基合金形变孪晶的形成

ＴｉＡｌ基合金密度低 ,比强度高 ,具有良好的高温强度和抗蠕变 ,抗氧化能力。在航空 ,汽车 ,能源工业等方面有很大的应用前景[1] 。最近Ｈｓｉｎｇ等人[2 ,3 ] 研究了片层界面位错和形变孪晶对二相全片层ＴｉＡｌ合金蠕变变形的影响。在低应力 (138ＭＰａ)和小应变 (0 5 % )时主要是可动界面位错及片层(111)界面上晶格位错的滑动。在低应力 (138ＭＰａ)和大应变 (1 5 % )时 ,界面有更多的位错塞积 ,塞积导致局部应力升高 ,引起形变孪晶 ,形变孪晶的数量很少。在高应力 (5 18ＭＰａ)和小应变 (0 6 7% )时 ,蠕变过程中有连续的形变孪晶生成…     

Si/SiGe-OI应变异质结构的高分辨电子显微分析

为了研究失配应变的弛豫机理,利用高分辨电子显微镜(HREM)对超高真空化学气相沉积(UHVCVD) Si/SiGe-OI材料横截面的完整形貌和不同层及各层之间界面区的高分辨晶格像进行观察.发现此多层结构中存在60°位错和堆垛层错.结合Matthews和Blakeslee提出的临界厚度的模型和相关的研究结果对60°位错组态的形成和存在原因进行了分析.在具有帽层结构的Si1-xGex应变层靠近基体一侧的界面中仅存在单一位错,验证了Gosling等人的理论预测结果.     

透射电镜原位拉伸研究金属材料形变机制

透射电镜原位拉伸方法是研究材料形变机制的一种直观而有效的手段。将拉伸实验与高分辨透射电镜相结合,通过在原子尺度上直接观察,实时地记录应力应变作用下晶体材料微观结构的演变及位错的产生和运动等,直观地揭示材料在弹性及塑性阶段的形变机理。本文将重点回顾近年来作者用透射电镜原位拉伸方法在研究金属材料形变机制方面的工作进展。主要包括纳米金属材料的晶界发射和吸收不全位错、晶粒旋转长大等变形机制,及金属材料在变形过程中的几种可逆形变机制。     

Al67Mn8Ti25合金室温变形位错分解

在各种有希望的金属间化合物中,Al_3Ti以其比重最小(3.4g/cm~3)、抗氧化极好而引人注目,但其有序四方的DO_(22)结构室温极脆,经过Fe、Ni、Mn、Cr等元素合金化后,DO_(22)结构被转化为有序立方的LI_2结构,LI_2结构的Al_3Ti基合金呈现出一定的塑性,但与典型的LI_2结构合金Ni_3Al相比,塑性相距甚远,因此决定其变形行为的位错组态研究引起了人们的广泛兴趣。早期的TEM位错观察认为:室温下,在这类合金中a〈110〉型超位错是不分解的。后来用弱束技术研究发现:a〈110〉型超位错是分解的,其宽度很窄,仅为几十(A|°),但其分解方式各作者分析的结果却不一样,主要有如下两种方式:     

Si/SiGe-OI应变异质结构的高分辨电子显微分析

为了研究失配应变的弛豫机理,利用高分辨电子显微镜(HREM)对超高真空化学气相沉积(U HVCVD) Si/Si Ge- OI材料横截面的完整形貌和不同层及各层之间界面区的高分辨晶格像进行观察.发现此多层结构中存在6 0°位错和堆垛层错.结合Matthews和Blakeslee提出的临界厚度的模型和相关的研究结果对6 0°位错组态的形成和存在原因进行了分析.在具有帽层结构的Si1 - x Gex 应变层靠近基体一侧的界面中仅存在单一位错,验证了Gosling等人的理论预测结果     

纯镍多晶体循环形变过程中位错结构的TEM研究

对纯镍多晶体循环形变过程中的位错微结构,特别是住留滑移带(PSB)的形成及其特性进行了TEM观察,并通过选区电子衍射确定了晶粒膜面及其它晶体学取向。结果表明,在循环饱和的开始点(N=1800)附近已观察到以梯状花样为特征的PSB(图1)。说明循环硬化阶段的末端基本上与PSB的成核相对应。PSB结构是一种体效应。疲劳镍多晶体晶粒边界是PSB传播的有效障碍(图2)。而孪晶的存在有利于PSB的形成(图3)。PSB在内部晶粒中形成、传播,除在晶界处受阻终止外,也可在同一晶粒内变细(图3),甚至变细为一点。在某些有利于多滑移的晶粒中,除原滑移系统上相互平行的PSB     

大别山碧溪岭石榴橄榄岩中位错结构的透射电镜研究

矿物及其所处环境的发展演化历史往往是以形成结构缺陷的方式记录在矿物内部。作为非平衡缺陷，矿物中的位错组态与矿物的受力受热历史有最直接的对应关系。橄榄石形成于上地幔，天然橄榄石中的位错组态在很大程度上反映了橄榄石的地质成因直到上地幔性质及演化等重要问题。     

循环形变〔245〕铜晶体的位错结构

单滑移铜晶体的循环应力-应变响应可以由形变过程中逐步形成特征性的位错组态:由基位错组成的驻留滑移带的楼梯结构(或位错墙结构)和基体的脉纹结构,以及位错在这二种组态中的运动来解释。实验表明,拉伸轴方向为[245]的铜晶体的循环应力——应变响应与文献中报导的[123]方向的单滑移晶体比较,具有较低的初始硬化速率,较高的驻留滑移带成核应力和饱和应力。 TEM观察揭示范性应变幅为3×10~(-3)下循环饱和的[245]晶体的位错结构与[123]晶体不同;驻留滑移带是由位错胞组成的,基体的位错脉纹则短而多叉。在(111)切面上,胞间的位向差使各位错晶胞显示出不同的衍