EDA技术在电子技术系列实践课程中的融合运用

为适应创新教育发展需要,将电子设计自动化(EDA)技术在电子技术相关实践环节中融合运用,从而提高课程间的衔接,使学生融会贯通所学知识和技能.对电子工艺实习、数电实验、电子技术课程设计、EDA实验与课程设计、创新创业实践、毕业设计等进行了EDA技术融入与支撑的方案设计.该方案配合高水平专业建设和培养方案改革,运行效果良好,可供电子技术类实践教学改革参考.     

基于EDA技术辅助数字电子技术基础教学

针对在数字电子技术基础教学实践过程中存在的问题,结合计算机辅助教学的经验,在教学实践过程中引入EDA技术辅助课程教学,改进理论课教学、实验教学、课程设计等教学工作。优化了数字电子技术基础教学,实现了教学手段的创新。     

Multisim仿真软件在电子技术课程设计中的应用

Multisim11.0软件是专门用于电子电路仿真和设计的EDA工具,将EDA引入电子技术课程设计这一实践教学环节,是提高电子电路设计水平和设计能力的有效方法。本文通过数控直流稳压电源的设计、仿真,进一步阐明了Multisim仿真软件在电子技术课程设计中的重要性,能有效提高学生的自主学习和创新能力。     

基于EDA的电子技术课程设计探究

本文综述电子技术课程设计的目的和要求,探讨了在“电子技术”课程设计中引入EDA技术的意义和方法,对电子技术课程设计的教学内容、教学要求、教学手段和考核机制等方面进行了改革。在现有的教学实验条件下,我院依靠此技术所进行的课设改革,已经取得了显著的教学效果。     

EDA技术在数字电子技术实验中的运用

随着电子技术的快速发展,早期的数字电子技术实验教学不再适应时代的发展,EDA技术逐渐在数字电子实验中被引用.本文通过对EDA技术含义、框架的阐述,分析其在数字电子技术实验中运用的意义,并为EDA技术在数字电子技术实验中的具体运用提供策略指导.     

EDA技术数字电子技术的应用

随着电子技术的不断发展,数字电子试验的发展趋势使得EDA技术引入成为必要,也是数字电子技术实验的重要环节,传统的数字电子技术实验不再满足时代发展的需要。本文通过对EDA技术和数字电子技术的概述,分析了在数字电子实验中EDA技术应用的必要性,并对EDA技术的设计流程进行了详细的介绍。旨在为EDA技术数字电子技术的试验提供参考依据。     

电子技术课程设计数字部分的一次实践

本文介绍了电子学教学组对电子技术课程设计的数字部分进行教学改革,以FPGA芯片作为应用对象,结合EDA软件的使用,开展研究型和设计性实验。重点在实验题目的选择、前期准备、验收手段、总结交流及评价方式等方面进行了有益的尝试,并且取得了良好的效果。实践证明,这些改革措施不仅培养了学生的创新精神和实践能力,而且切实提高了分析问题和解决问题的能力。     

EDA技术在模拟电子技术教学中的应用

针对“模拟电子技术”课程在教学过程中出现的原理抽象、电路种类复杂繁多导致学生难以理解等问题,本文将EDA技术与课堂教学和实践教学相结合,提出一种基于EDA仿真平台的“模拟电子技术”教学新模式,实现教学方式方法的改革和创新。     

EDA技术在数字电子技术实验中的应用

随着我国经济与科技的进步,传统数字电子技术试验教学已无法满足现代信息十大发展需求,EDA技术的引用和进一步深入应用研究成为数字电子技术试验的主要形式。下面本文将以EDA技术简介为切入点,对EDA电子技术设计流程及构架展开详细分析,以促进EDA技术在数字电子技术实验中发挥重要作用。     

本硕EDA/SOPC系列课程建设

电子设计自动化EDA是电子技术先进的设计方法,是现代电子设计工程师所必须掌握的技术.为使我校EDA/SOPC课程建设跟上科技的发展,本课题从EDA创新实验基地的构建、课程体系设置、课程内容改革等方面着手,全方位地开展了EDA/SOPC系列课程建设.提出了本硕一体化建设模式:包括教学内容互相渗透、教师队伍一体化、实验平台共享等,已收到很好的建设效果.     

密码学技术与数字水印技术比较

传统的加密系统在数据传输过程中可以起到保护作用,但数据被接收并解密,其保护作用也随之消失.数字水印作为传统加密方法的有效补充手段,它是一种可以在开放的网络环境下保护版权和认证来源的新技术,并已成为了多媒体信号处理领域的一个研究热点.文中对密码学技术与数字水印技术的优缺点进行了分析与比较,并指出了数字水印的发展方向.     

基于无线网络通讯技术下的视频融合技术

随着无线多媒体网络技术和计算机技术的发展,视频图像处理技术取得长足进步。现阶段我国对视频图像的处理要求越来越高,其相应的通讯技术要求也随之提高。文中论述了视频图像处理中的无线网络与通讯技术,以及与视频图像处理相关工作的完善和提高。     

替代电解电容的膜电容技术

1引言 从1980年开始，使用金属化膜以及膜上金属分割技术的DC滤波电容得到了长足的发展。在过去多年的发展中，电容的体积和重量减小了3到4倍。现在薄膜生产商开发出了更薄的膜，同时改进了金属化的分割技术，极大的帮助了这种电容的发展。用干式设计，使膜电容能够比电解电容更加经济地覆盖600VDC到1200VDC之间的电压范围。根据应用，在电压超过1200VDC时，填注菜籽油的电容被推荐使用。     

EDA技术对电子技术教学的改进

讨论了EDA在高校电子技术教学中改进的必要性。以AElectronic Workbench软件为平台，举例说明了EDA在电子技术课程教学中的应用。并指出利用EDA是电子技术教学今后的发展方向。     

32nm CMOS工艺技术挑战

根据国际半导体技术发展蓝图（international technology roadmap for semiconductor, ITRS) , CMOS技术将于2009年进入32nm技术节点. 然而,在CMOS逻辑器件从45nm向32nm节点按比例缩小的过程中却遇到了很多难题. 为了跨越尺寸缩小所带来的这些障碍,要求把最先进的工艺技术整合到产品制造过程中. 文中总结并讨论了可能被引入到32nm节点的新的技术应用,涉及如下几个方面：浸入式光刻的延伸技术、迁移率增强衬底技术、金属栅/高介电常数栅介质（metal/high-k, MHK）栅结构、超浅结（ultra-shallow junction, USJ）以及其他应变增强工程的方法,包括应力邻近效应（stress proximity effect, SPT) 、双重应力衬里技术（dual stress liner, DSL) 、应变记忆技术（stress memorization technique, SMT) 、STI和PMD的高深宽比工艺（high aspect ratio process, HARP) 、采用选择外延生长（selective epitaxial growth, SEG）的嵌入SiGe (pFET）和SiC (nFET）源漏技术、中端（middle of line, MOL）和后端工艺（back-end of line, BEOL）中的金属化以及超低k介质（ultra low-k, ULK）集成等问题.     

32nm CMOS工艺技术挑战

根据国际半导体技术发展蓝图(international technology roadmap for semiconductor,ITRS),CMOS技术将于2009年进入32nm技术节点.然而,在CMOS逻辑器件从45nm向32nm节点按比例缩小的过程中却遇到了很多难题.为了跨越尺寸缩小所带来的这些障碍,要求把最先进的工艺技术整合到产品制造过程中.文中总结并讨论了可能被引入到32nm节点的新的技术应用,涉及如下几个方面:浸入式光刻的延伸技术、迁移率增强衬底技术、金属栅/高介电常数栅介质(metal/high-k,MHK)栅结构、超浅结(ultra-shallow junction,USJ)以及其他应变增强工程的方法,包括应力邻近效应(stress proximity effect,SPT)、双重应力衬里技术(dualstress liner,DSL)、应变记忆技术(stress memorization technique,SMT)、STI和PMD的高深宽比工艺(high aspect ratio process,HARP)、采用选择外延生长(selective epitaxial growth,SEG)的嵌入SiGe(pFET)和SiC(nFET)源漏技术、中端(middle of line,MOL)和后端工艺(back-end of line,BEOL)中的金属化以及超低k介质(ultra low-k,ULK)集成等问题.