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叙述了一个考虑包括速度过冲等短沟道效应的MOSFET渡越时间解析模型,计算结果与二维数值模拟符合较好。基于该模型,探讨了在线性工作区和饱和工作区渡越时间对栅偏压依赖关系的不同,并作了物理解释。模型还表明由速度过冲带来渡越时间的缩短对沟道长度大于0.25μm的MOSFET不超过10% 相似文献
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提出了一个考虑速度过冲效应的亚1/4微米MOSFET器件解析模型。亚1/4微米MOSFET靠近源端沟道内电子速度过冲归因于该区域内的强电场。采用源附近电场的弱强阶梯场近似,根据有关弱强阶梯场中速度过冲模拟结果,提出了一个半经验速度过冲因子模型。用此模型和准二维分析方法,得到了解析的漏电流、跨导模型。计算得到的漏电流、跨导与有关实验报导符合较好。速度过冲分析得到的器件速度过冲模型与沟道掺杂浓度的关系得到了有关实验验证。 相似文献
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深亚微米MOSFET模型研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
文中对在深亚微米MOSFET的器件模型研究基础上,提出了研究MOSFET模型值得注意的问题,并对如何建立深亚微米MOSFET模型作出了有益的探讨。 相似文献
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刘崇新 《微电子学与计算机》1994,11(3):53-56
在高频域,MOSFET的分布参数对全集成MOSFET-C滤波器的特性有很大影响,本文应用SPICE(Ⅱ)通用模拟电路程序,采用非理想运算放大器单极点电路模型,考虑到MOSFET的寄生电容,对一个六阶切比雪夫低通滤波器全MOSFET-C平衡结构应用传输线模型进行了仿真分析。 相似文献
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SOIMOSFET中存在着严重的自加热效应,对其直流特性有较大的影响。给出准确的自加热效应模型是精确模拟SOIMOSFET直流特性的基础。文中通过对自加热效应的分析,建立了SOIMOSFET的自加热效应模型,在此基础上给出了一个包含自加热效应的短沟道SOIMOSFET直流模型,并对该模型进行了验证。 相似文献
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在SOI/CMOS电路制作中引入了自对准钴硅化物(SALICIDE)技术,研究了SALICIDE工艺对SOI/MOSFET单管特性和SOI/CMOS电路速度性能的影响。实验表明,SALICIDE技术能有效地减小MOSFET栅、源、漏电极的寄生接触电阻和薄层电阻,改善单管的输出特性,降低SOI/CMOS环振电路门延迟时间,提高SOI/CMOS电路的速度特性。 相似文献
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凹槽栅MOSFET凹槽拐角的作用与影响研究 总被引:5,自引:0,他引:5
短沟道效应是小尺寸MOSFET中很重要的物理效应之一,凹槽栅MOSFET对短沟道效应有很强的抑制能力,通过对凹槽栅MOSFET结构,特性的研究,发现凹槽拐角对凹槽栅MOSFET的阈值电压及特性有着显著的影响,凹槽拐角处的阈值电压决定着整个凹槽栅MOSFET的阈值电压,凹槽拐角的曲率半径凹槽MOSFET一个重要的结构参数,通过对凹槽拐角的曲率半径,源漏结深及沟道掺杂浓度进行优化设计,可使凹槽栅MOS 相似文献
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SOI-MOSFET主要模型参数得一致的提取,因而该模型嵌入SPICE后能保证CMOS/SOI电路的正确模拟工作,从CMOS/SOI器件和环振电路的模拟结果和实验结果看,两者符合得较好,说明我们所采用的SOI MOSFET器件模型及其参数提取都是成功的。 相似文献
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EEPROM单元结构的变革及发展方向 总被引:3,自引:2,他引:3
扼要阐述了电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)发展史上的各种结构如FAMOS、MNOS、SIMOS、DIFMOS、FETMOS(FLOTOX)等,比较了它们的优缺点,着重论述了EEPROM结构今后的变革方向。 相似文献
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本文介绍一种高可靠的具有自动过流保护的智能高压大功率VDMOSFET,已研制出了漏源击穿电压大于200V,正常工作电源大于2A;自动保护保护过电流小于4A的器件。工艺完全与浣VDMOSFET一致;这种新颖VDMOSFET结构的应用能提高整机可靠性。 相似文献
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双栅MOSFET的研究与发展 总被引:1,自引:0,他引:1
具有特殊结构的双栅MOSFET是一种高速度、低功耗MOSFET器件,符合未来集成电路发展的方向。文章介绍了多种双栅MOSFET的结构、优点,以及近年来国内外对双栅MOSFET的研究成果。 相似文献