InP与In_（1－x）Ga_xAs_yP_（1－y）／InP的电解液电调制反射

研究了ＩｎＰ样品和Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ液相外延片在３００～８００ｎｍ范围内的电调制反射光谱。利用Ａｐｓｎｅｓ三点法计算了临界点能量、增宽因子和自旋轨道分裂值。通过实验曲线与理论公式的拟合，确定了临界点能维数及相位因子。并且间接提供了被测Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ四元合金的组份值及其它临界点能量值Ｅ０和Ｅ２。     

In1—xGaxAsyP1—y／InP多量子阱的光调制反射光谱

报道了组分y=0.76和0.84的晶格匹配In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP多量子阱的子能带结构低温光调制反射光谱研究结果,在0.9～1.5eV光子能量范围观察到限制的电子与空穴子带间的激子跃迁,还观察到限制的电子子带与空穴连续态间的跃迁,由此比较直接地确定了价带的不连续量,得到不连续因子Q_v=0.65±0.02。     

非平面InP液相外延生长的理论与实验

本文对用液相外延技术制作半导体激光器时所遇到的非平面ＩｎＰ固－液相界及在不同平面上满足不同的界面反应速度情况做了严格的理论分析，它可以对实际非平面ＩｎＰ生长所遇到的各种情况给出准确的解释．此外，对理论结果进行了数值模拟计算，对界面反应速度作适当拟合之后，得到了与实验一致的结果，从而验证了理论的正确性，可以其作为实际非平面ＩｎＰ液相外延生长时工艺设计与参数选择的依据．     

光调制反射谱用于研究MBEGaAs1—xSbx／GaAs外延膜

本文讨论了量子阱的光调制反射谱(PR)线形,并采用光调制反射谱研究了MBE GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs异质结、应变层量子阱。可见,用PR谱研究MBE外延膜具有一定的优越性。     

张应变,长波长In1—xGaxAsyP2—y／InP量子阱材料的光荧光谱实验室

给出了具有二三个量是的Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ／ＩｎＰ张应变量子阱材料的光荧光谱及ｘ射线双晶衍射摇摆曲线，指出了荧光峰为量子阱中导带子带和阶带子带间本征复合机构所致。理论上分析了光荧光谱中双峰强度比随温度变化的关系，理论计算和实测结果基本一致。     

新的电调制反射谱技术及其应用

提出一种微接触电调制反射谱（LCER）测试方法,该方示与无接触电调制反射（CER）谱相比较,可极大降低调制电压。给出了自制的详细样品架结构,测量了InGaAs／GaAs量子阱样品,并与光调制反射谱（PR）相比较,结果证实了此方法的可行性和高光谱灵敏度,表明样品与电极的轻微接触既对测量结果没有明显的影响,又可简化测试条件,降低对测量环境的要求,是研究半导体材料和微结构一种方便而又有效的方法。     

InGaAs／InP超晶格材料的GSMBE生长研究

在国产第一台ＣＢＥ（Ｃｈｅｍｉｃａｌｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ）设备上，用ＧＳＭＢＥ（Ｇａｓｓｏｕｒｃｅｍｏｌｅｃｕｌａｒｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ）技术在国内首次研究了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ匹配和应变多量子阱超晶格材料的生长，用不对称切换方法成功地生长了高质量的匹配和正负应变超晶格材料，并用双晶Ｘ－射线衍射技术对样品进行了测试和分析．结果表明，我们在国产第一台ＣＢＥ设备上用ＧＳＭＢＥ技术采用非对称切换方法生长的超晶格材料质量很好．     

一种新的空间调制光谱技术及其对几种半导体材料的应用

本文提出了另一种新的对样品实行空间调制的微分反射光谱技术．文中给出了实验方法，讨论了调制机理，指出即使纯的体材料表面未经不均匀性处理，该方法也可直接给出其能隙大小，对GaAs的实验结果说明了这一观点．本文还分析了微分反射方法研究量子阱超晶格等薄膜半导体材料时的物理机理，给出并解释了InGaAs／GaAs单量子阱，AlGaAs／GaAsHBT等材料的微分反射谱．为了比较起见，文中还对照给出了每一样品的光调制反射谱．     

Si1—x—yGexCy材料的外延生长方法

本文分析了Si1 -x- yGexCy 半导体材料外延生长的困难所在 ,总结了用于生长Si1 -x- yGexCy材料的各种生长方法 ,并分析比较了各自的特点。     

优质高阻异型厚层硅外延IGBT材料n^—／n^＋／p^＋

我们的实验研究结果表明，已经在ｎ＾－／ｎ＾＋／ｐ＾＋的纵向电气与几何参数的最佳理论设计、关键的工艺生长技术和缺陷控制诸主要方面取得了进展，并因此制备了２＇＇－３＇＇１００μｍ厚度的高阻异型镜面硅外延片，且将其成功应用于１３００Ｖ／２０Ａ高性能ＩＧＢＴ的研制。     

空间热梯度辅助的热调制反射光谱

给出一种新的通过空间热梯度辅助的热调制反射光谱方法,其关键是在空间光谱方法基础上加一热场梯度,无需对材料进行通常空间调制方法的特殊处理．将该方法应用于典型半导体材料ＧａＡｓ,清晰地观察到ＧａＡｓ材料的带间跃迁Ｅ０和其它诸如Ｅ０＋Δ０、Ｅ１、Ｅ１＋Δ１的高能带跃迁．     

InP系列多薄层异质结构材料的光致发光谱温度特性的实验研究

本报告了ＩｎＰ系列多薄层异质结构材料变温光致发光谱的正常及异常温度特性；观测到ＩｎＧａＡｓＰ单层单量子阱室温下光致发光峰以却比１０Ｋ下光致发光峰能高的实验事实。提出了外延层分为岛状，短程有序起始生长区，过渡区，多元均匀混晶区模型来解释ＰＬ谱低温下局部温度特性异常问题；认为ＰＬ谱反常温度特性与晶格驰豫有关。     

In_(1-x)Al_xSb外延层的E_1和E_1+Δ_1的光调制反射光谱研究

首次用光调制反射光谱的实验测量方法,在～10K下对In_(1-x)Al_xSb(0≤x≤0.55)外延层的光跃迁E_1和E_1+△_1及其谱线展宽ω,进行实验测定。由测定结果,得到对E_1和E_1+△_1的弯曲参数分别为0.752eV和0.723eV。     

GaAlAs膜反射谱的注入载流子感生变化实验研究

实验研究了GaAlAs膜反射谱的注入载流子感生变化,给出不同浓度载流子注入后膜反射谱变化曲线及其与注入载流子浓度的关系曲线。