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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
简析CATV解调─调制型机上变换器采用上/下变频方式的必要性华龄电子(深圳)有限公司工程部毛皖敏美国联邦通信委员会(FCC)曾规定:所有类型之机上变换器均需采用上/下变频方式,我国国标(报批稿)中也明确第Ⅱ类机上变换器是指上/下变频式解调─调制型,何...  相似文献   

2.
选购CATV机上变换器举要黄兴世(湖南省广播电视厅科研所410004)有线电视台开始使用增补频道后,目前在用户中拥有CATV兼容的电视机还不多,绝大多数用户要收看好增补频道的电视节目,必须购置机上变换器。由于它还是一项新产品,许多用户对它的性能、技术...  相似文献   

3.
数字接收机和数字后通道调制解调器采用高速模/数变换器(ADC),可从载波信号提取基带信息。为了增加接收机和调制解调器的动态输入范围,往往在ADC的上游加自动增益控制(AGC)电路。通常,AGC电路包括一个可变增益放大器(VGA),该放大器带有能产生所需增益和衰减控制信号的一个模拟反馈电路。然而,现在很多这种应用至少采用一个数字信号处理器(DSP)来多路传输、滤波和辨别基带信息。利用DSP通过ADC上游的VGA来控制AGC过程是人们通常采用的方法。为了提供大多数高性能VGA当前需要的模拟增益控制信…  相似文献   

4.
N—CODEⅡ/M9638型机上变换器(机外型电视遥控器)(三)□林必强(加拿大EASTONK国际集团公司中国代表处350007)图13页写方式图15读当前地址图16随机读2.3.9页编程方式为编程24C01A/02A/04A,主器件传送地址和数据到...  相似文献   

5.
ALC放大器实现AGC,ASC功能原理及故障检修   总被引:1,自引:0,他引:1  
ALC放大器实现AGC、ASC功能原理及故障检修□朱如军(辽宁省凤城市有线电视台118100)ALC放大器是CATV系统干线优质运行必不可少的重要器材。由于设置了AGC、ASC补偿电路,使其电路结构与工作原理比较复杂,一旦出现故障,给维护工作带来不便...  相似文献   

6.
550MHz有线电视红外遥控机上变换器专用控制IC(MSX002)设计南京理工大学电子工程系牟善祥,李元浩,沈卫1引言本芯片采用美国INTEL公司的高性能、大容量、多功能的新型8位单片MCU芯片8051作为控制IC,并与MC44802(或T8A551...  相似文献   

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N—CODEⅡ/M9638型机上变换器(机外型电视遥控器)的工作原理(一)(艺通专栏)□林必强(福州艺通电器有限公司350007)图2N—CODEⅡ/M9638应用电原理图1N—CODEⅡ/M9638型机上变换器系统构成及主要特点1.1系统构成框图图...  相似文献   

8.
严国荣 《电视技术》1996,(11):21-23
视频压缩技术的出现促进了数字电视的发展。从数字电视广播的首次实现入手,介绍了机上变换器在卫星直播和CATV中的应用。由于数字电视的极大优势及迅速发展,国外多家著名制造厂商已涉足机上变换器的开发、生产与销售。  相似文献   

9.
研究了数字式快速自动增益控制(FAGC)新方法,讨论了新颖的瞬时自动增益控制(IAGC)技术。  相似文献   

10.
郭崇贤 《现代雷达》1997,19(1):66-74
分析了现代雷达接收机运用计算机辅助测试(CAT)技术的必要性,重点介绍了模数变换器(ADC)、数字正交器(DQP)以及接收通信输出性能的有关指标、CAT系统的测试范围及测试精度。  相似文献   

11.
AGC放大器应用实践张帆(河南灵宝有线台)近几年,随着城镇有线电视热的兴起,AGC放大器得到了广泛应用,但有关AGC放大器在工程实践中具体应用方面的资料却比较贫乏。为此,笔者利用手中现有的资料,结合我们调试AGC放大器的实践经验,通过本文对AGC放大...  相似文献   

12.
本文介绍了在不使用机上变换器的条件下,如何提高CATV系统节目0容量,做好节目频道规划的系统设计施工方法。  相似文献   

13.
周其焕 《导航》1997,(2):16-24
介绍防止飞机空中相撞的两重保障--间隔保障和避撞告警。为了提高飞机自治能力而增强机上信息显示,包括对空中交通信息的了解,机上自治间隔有赖于GNSS转发器和ADS-B的数据链广播技术,今后将继续发展S模式的ACAS,同时研究发展新的基于GNSS/ADS-B和CDTI技术的ASAS,最终地形成一种双信息源,双功能的ACAS/ASAS集成系统进入应用。  相似文献   

14.
利用同步辐射光电发射研究了Cr/GaAs(100)界面形成和结构.室温下,当Cr覆盖度低于0.2nm时,Cr与GaAs衬底的作用很弱,没有反应产物生成.覆盖度高于0.2nm时,开始发生界面扩散和反应,As原子与Cr生成稳定的CrAs化合物,而Ga原子则与Cr形成组分变化的CrGa合金相,并居于界面处.提高界面形成温度可显著地加剧界面混合和反应,引起表面偏析As的出现.芯能级谱的结合能与强度分析表明,反应产物可作为有效的势垒(化学陷阱),阻止衬底的Ga的外扩散.此外还比较了Cr与GaAs(100)及GaAs  相似文献   

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本文介绍了在不使用机上变换器的条件下,如何提高CATV系统节目容量,做好节目频道规划的系统设计施工方法。  相似文献   

16.
CdTe/GaAs是HgCdTe分子束外延的重要替代衬底材料。用X双晶衍射和光致发光测试研究了分子束外延生长的CdTe(211)B/GaAs(211)B的晶体结构质量,表明外延膜晶体结构完整,具有很高的质量。用高分辨率的透射电镜研究其界面特性,观察到CdTe(211)B相对于GaAs(211)B向着[111]方向倾斜一个小角度(约3°),界面的四面体键网发生扭曲,由于晶格失配,在界面存在很高的失配位错密度。用二次离子质谱分析仪分析了GaAs衬底中的Ga和As向CdTe外扩散的情况。结果表明:如果要在GaAs衬底上生长HgCdTe外延膜,必须先生长一层具有一定厚度的CdTe来阻止Ga和As向HgCdTe的外扩散和失配位错的延伸。  相似文献   

17.
GaAs(100)表面钝化和Mg/S/GaAs界面的SRPES研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
应用同步辐射光电子谱(SRPES)表征了一种新的CH3CSNH2/NH4OH溶液体系处理的GaAs(100)表面的成键特性和电子态.结果表明,经过处理的GaAs(100)表面,S既与As成键也与Ga成键,形成了S与GaAs的新界面,这说明CH3CSNH2/NH4OH溶液处理的GaAs(100)表面具有明显的钝化作用.钝化表面退火处理后,发现AS的硫化物不稳定,分解或反应生成Ga-S成分和元素态As;室温下,Mg淀积硫钝化的GaAs表面的实验结果表明,Mg置换GaS的Ga成为金属Ga偏析到表面,而硫以MgS  相似文献   

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分析了AlxGa1-xAs/GaAsHBT外基区表面复合电流及外基区复面复合速度对直接增益的影响,用光致发光(PL)谱和Al/SiNx-S/GaAsMIS结构CV特性,研究了GaAs表面(NH4)2S/SiNx钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明,ECR-CVD淀积SiNx覆盖并在N2气氛中退火有助于改善GaAs表面硫钝化效果的稳定性,在此基础上形成了一套包括(NH4)2S处理,SiNxECR-CV  相似文献   

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双输出DC—DC变换器集成电路──MAX742方佩敏由MAX742组成的DC—DC变换器电路输人电压为十SV,输出电压为土12V或土15V(可选),允差为士4%,负载电流可达ZA,功率可达3W~60W,效率高于m%。它的外围元件少、工作频率高(100...  相似文献   

20.
气态源分子束外延(AlGa)InP和GaInP/AlInP多量子阱材料   总被引:1,自引:1,他引:0  
我们用国产第一台化学束外延(CBE)系统,采用气态源分子束外延(GSMBE)技术研制了与GaAs匹配的,性能良好的(AlGa)InP材料和GalnP/AlInP多量子阱材料.对这些材料进行了霍耳,光致发光(PL),阴极荧光(CL)以及X射线双晶衍射(XRD)等测量分析.  相似文献   

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