P型锗中价带间跃迁的饱和现象

本文介绍P型锗红外非线性饱和吸收的实验研究。考虑了锗中轻、重空穴价带的能带结构并利用轻、重空穴价带的复合态密度,由电极化率的虚部推得类似于非均匀展宽两能级系统模型的饱和吸收具有的形式。分别求出α_0和I_■与半导体参量和入射光频率之间的定量关系,计算结果与实验符合较好。     

P型锗中光子牵引效应

用选支连续波CO_2激光,在20-300K温度范围,测量了8 ×10~(14)-2 ×10~(15)cm~(-3)载流子浓度,<100>、<110>和<111>晶向的P-Ge中光子牵引的极性反转和各向异性效应.结果表明:80—300K,P-Ge中横向光子牵引电压与温度关系不大,而纵向光子牵引电压随温度变化显著,并发生电压极性的反转,反转温度T_o与杂质浓度、晶向有关,相同杂质浓度下,T_(o[100]M)     

表面活性剂在P型锗片磨削工艺中的应用

由于锗材料具有优良的抗辐射性能,在航天领域获得了新的应用。在锗单晶片的磨削过程中,砂轮磨损产生的颗粒以及磨削下来的锗屑容易将砂轮阻塞,从而对锗单晶片表面的磨削纹路产生影响。通过试验,在去离子水管路上增加一条表面活性剂管路,可有效减少砂轮阻塞现象,降低砂轮修整的频率,提高了锗磨削片的表面质量。     

茶溶液中饱和吸收产生热致非线性效应的研究

本利用单光束扫描法研究了在４８８ｎｍ波长下，一种花茶酒精溶液因饱和吸收所产生的热致非线性效应，测得其热光系数ｄｎ／ｄＴ为＝１．２×１０＾－５℃，饱和光强为５．４ＫＷ／ｃｍ＾２。     

VHF-PECVD法制备P型微晶硅锗的研究

以SiH4和GeF4为反应气体,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）方法制备了P型微晶硅锗（P-μc-Sil-xGex）薄膜。研究GeF4浓度对P型微晶硅锗材料组分、结构及电学特性的影响。随GeF4浓度的增加,薄膜中的锗含量增加,暗电导和晶化率先增加,后减小;在薄膜厚度为72nm,GeF4浓度为4％时,得到了电导率达1．68s／cm,激活能为0．047eV,晶化率为60％,在长波区域的平均透过率超过0．9的P型微晶硅锗。     

VHF-PECVD法制备P型微晶硅锗的研究

以SiH4和GeF4为反应气体,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)方法制备了P型微晶硅锗(P-μc-Si1-xGex)薄膜.研究GeF4浓度对P型微晶硅锗材料组分、结构及电学特性的影响.随GeF4浓度的增加,薄膜中的锗含量增加,暗电导和晶化率先增加,后减小;在薄膜厚度为72 nm,GeF4浓度为4%时,得到了电导率达1.68 S/cm,激活能为0.047 eV,晶化率为60%,在长波区域的平均透过率超过0.9的P型微晶硅锗.     

双曲正割光束在强非局域对数饱和型非线性介质中的传输特性

从非局域非线性薛定谔方程出发,依据对数饱和型非线性介质中非线性折射率的变化规律,求出了1+1维双曲正割光束在强非局域对数饱和型非线性介质所对应的拉格朗日密度函数的近似表达式。在此基础上,利用变分法得到了光束各参量的演化方程。从光束各参量的演化方程出发,进一步得到了光束各参量的演化规律,并由此得到了一个临界束宽。当光束初始束宽等于临界束宽时,并且从束腰处入射时可以得到稳定的1+1维双曲正割型空间光孤子;在一般情形下,光束初始束宽不等于临界束宽时,得到了束宽振荡的1+1维双曲正割型空间呼吸子。     

饱和非线性LSSM光纤中的各阶孤子及相互作用

克尔非线性是光纤折射率非线性响应的理想描述,它仅适用于光束强度不太大的情况.但现实中,在非常高的功率水平下,非线性响应开始饱和.具有阶段多项式的饱和非线性Linear-Step-Smooth Mode (简称LSSM) ,其饱和因子使得其相应光纤中非线性项受到很大程度的削弱,各阶孤子存在的幅值范围与标准非线性薛定谔(NLS)孤子明显不同,需要对孤子重新定义.对饱和非线性LSSM薛定谔方程的高阶孤子及相互作用作解析分析是不可能的,因此只能借助数值方法.本文利用快速傅立叶方法,研究了饱和非线性LSSM光纤中的孤子特性,得出如下有意义的结论:(1)一阶孤子幅值范围为1.5≤N≤3.5,二阶孤子为3.5相似文献   

多结太阳电池用P型锗单晶片去蜡技术研究

在多结太阳电池结构中,P型锗单晶片不仅作为衬底,也是整体电池结构中的一个结。在外延生长过程中,需要进行多次异质外延生长,因此,对P型锗单晶片的表面质量提出了更高的要求。通过对P型锗片去蜡技术的研究,提高了锗片表面质量,降低了外延生长过程中雾缺陷的比例。     

饱和线性吸收情况下克尔介质中的激光相移研究

研究强场激光入射时饱和吸收效应对非线性激光相移的影响,由量子光学出发,进行推导,对线性吸收系数进行修正,应用克尔介质的动力学方程,根据薄介质近似,得到非线性相移在介质出射面处的横向分布。     

CdS半导体非线性吸收中的电场作用

在CdS的室温光学非线性吸收过程中,再外加直流电场,观察到光学非线性吸收随外场增大而增大,非线性出现的光强阈值随外场增大而减小.通过实验判断这一现象来源于电子激子散射.     

非线性吸收染料对光的鉴别吸收特性

本文对非线性吸收染料对光强的鉴别吸收特性作了分析研究,并将其与染料的脉宽压缩特性作了具体比较。     

厚光学非线性介质非线性吸收的理论分析

通过将非线性光学厚介质进行切片,对厚介质的非线性吸收进行了理论分析,所得解析结果同样适用于强的非线性区域．对近场情况进行了系统和全面的分析,获得了对于光限制器设计以及Z-Scan理论分析和实验有价值的结果．     

掺锗微结构光纤的非线性特性研究

由于二氧化锗材料的非线性折射率高于石英,因此可以通过在纤芯中掺杂二氧化锗来进一步提高纯硅微结构光纤的非线性系数.采用全矢量有限单元方法,本文理论计算和分析了纤芯掺杂微结构光纤的非线性系数、模场分布、色散等特性.结果表明,在几乎不影响模场分布和色散的情况下,光纤非线性系数得到了大幅提高.此外,还讨论了掺杂浓度和掺杂半径对光纤非线性系数的影响.     

半导体激光器饱和吸收稳频概论

叙述了半导体激光器的饱和吸收稳频意义和原理，介绍了各种改进性方法及其优点。     

CO_2饱和吸收的荧光探测

伴随 CO_2分子的饱和吸收而引起的 4.3微米荧光锐拉姆凹陷具有很窄的频率宽度,以它作基准来控制 CO_2激光器的谐振腔,可以做成高精度的稳频激光器.我们采用外吸收池的方法从荧光输出中得到了饱和吸收拉姆凹陷的波形,实验装置如图1所示.     

HgCdTe的红外非线性吸收

本文系统地研究了窄禁带半导体Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0.204)带间跃迁的动态Burstein-Moss效应。利用可调谐连续波CO_2激光的波长与100K时HgCdTe的能隙相匹配可在相当弱的光强下获得极大的非线性效应,观察到吸收系数随单色光光子能量的变化和随光强增加的吸收饱和现象,实验结果与我们的公式符合较好。