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微波半导体材料及器件技术创新发展战略 总被引:2,自引:0,他引:2
半导体材料是决定MMIC芯片性能和成本的首要因素。微波半导体器件则是MMIC芯片的核心要件。在战略角度研究分析了微波半导体材料及器件的发展趋势,指出为实现芯片及模块的性能和成本目标,当前应持的创新发展战略。 相似文献
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研究和实现了采用面阵CCD器件的半导体材料应力测试仪。介绍了测量原理,设计完成了相应的光学测量系统、硬件控制系统和控制测量所需的软件。最后介绍了对硅上SiO2、Si3N4膜应力实际测量的结果。 相似文献
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研究和实现了采用面阵CCD器件的半导体材料应力测试仪。介绍了测量原理,设计完成了相应的光学测量系统、硬件控制系统和控制测量所需的软件。最后介绍了对硅上SiO2、Si3N4膜应力实际测量的结果。 相似文献
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简述了传统大气环境紫外线探测技术和新型紫外半导体肖特基(Schottky)探测器件的光谱特性,着重论述了以此器件为基础的新型紫外线指数监测仪的系统设计。 相似文献
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李茂鸿 《机械工人(热加工)》1983,(5)
长期以来,晶体管采用金属管先管帽包封,近几年来采用了硅铜树脂(或改性环氧树脂)包封,具有明显的经济效果。金属封装,零件成本需0.20元左右;而用改性环氧树脂封装只需0.05元,用硅铜树脂封装成本更低,可以较大幅度降低半导体器件封装成本。近几年塑封工艺已往中小功率管、大 相似文献
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金刚石属于超宽带隙半导体材料,具有优异的物理和化学性质,目前正成为国际竞争的新热点。现介绍了金刚石半导体材料和相关电子器件在日本、欧洲、美国的发展现状,重点阐述了单晶材料生长、掺杂工艺、衬底和外延技术等进展,以及金刚石功率电子器件的最新成果,包括金刚石PIN二极管、金刚石场效应晶体管等。分析了金刚石半导体器件产品化需要突破的关键技术,对国际上金刚石半导体材料和器件的发展进行了展望。 相似文献
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《仪表技术与传感器》1971,(5)
自从1948年 Shockley 发明晶体管以来,半导体元件已愈来愈获得重要意义,它导致了主要是通讯技术和强电技术方面的革命性发展。对半导体材料性质的进一步研究(首先是锗,其后是硅),为这一发展提供了基础。半导体元件的特性是由所采用的半导体材料所决定的。因此,进一步研究半导体材料是发展具有更良好的或完全新的特性的半导体元件的关键。碳化硅(SiC)是一种适用于新技术用途的半导体材料,其显著特性优点是:耐高温;禁带宽;化学稳定性好和硬度高。为了充分利用材料的半导体性质,必须要将其制成单晶形式,同时纯度要特别高。碳化 相似文献
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研究了高分子乳液所形成的保护膜材料的耐久性、成腊温度、对果树保水、防冻害及毒副作用,防冻害功能尤为显著,结果表明,将所合成的高分子乳液稀释不同倍数,并配合使用无机添加剂,涂于果树枝条,具有良好的成膜性和耐久性;高分子涂膜对果树无毒副作用;各种浓度的涂膜均可提高果树枝条的保水功能。 相似文献
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