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相似文献
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1.
目的 利用SrTiO3调控Na0.5Bi0.5TiO3−BaTiO3−SrTiO3(NBT−BT−ST)三元系陶瓷的相结构,在室温下获得性能优异的电致伸缩材料,该材料可用于包装机械物料供给微振动器的研发。方法 采用传统固相合成法制备(1−x)[0.94NBT−0.06BT]−xST陶瓷。在分析(1−x)[0.94NBT−0.06BT]−xST陶瓷相图的基础上,阐述不同相区应变的来源,并系统研究弛豫相区陶瓷铁电、应变和电致伸缩性能等。结果 随着ST含量的增加,(1−x)[0.94NBT−0.06BT]−xST陶瓷的相结构由三方相、四方相两相共存→四方铁电相→铁电相、弛豫相共存→弛豫相。三方、四方两相共存区陶瓷的应变主要来源于晶格变形和非180o畴转向。铁电、弛豫两相共存区陶瓷的应变主要来源于电场引发弛豫相和铁电相的相变。弛豫相区陶瓷的应变主要来源于样品晶格本征变形产生的电致伸缩效应。在弛豫相区,随着ST含量的增大,(1−x)[0.94NBT−0.06BT]−xST陶瓷的弛豫性增强,电滞回线逐渐变瘦,应变和滞后性均出现不同程度的降低,其中,x=0.40的样品在电场强度60 kV/cm下的应变滞后性降至7.8%,表现出典型的电致伸缩特征。在较强的弛豫性和形成纳米极性微区的作用下,在组分x=0.40时陶瓷在电场强度50 kV/cm下的电致伸缩系数高达0.021 3 m4/C2。结论 通过ST调控NBT基陶瓷的相结构,在弛豫相区能够有效地改善其电致伸缩性能。利用该技术制备的陶瓷电致伸缩材料可为包装机械物料供给微驱动器的研发和改进提供技术支持。  相似文献   

2.
Bi0.5Na0.5 TiO3基无铅压电陶瓷应用的研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
随着人们环保意识的增强,作为环境友好型的无铅压电陶瓷典型代表Bi0.5Na0.5TiO3基压电陶瓷已成为压电陶瓷领域研发的热点材料之一.结合目前有关报道,着重介绍了近年来国内外该陶瓷在相关电子器件中的应用,并展望了BNT基无铅压电陶瓷应用的发展趋势.  相似文献   

3.
(Na0.5Bi0.5)TiO3基无铅压电陶瓷研究进展   总被引:20,自引:2,他引:20  
综述了(Na0.5Bi0.5)Tio3(简写为NBT)基无铅压电陶瓷的发展现状,特性及影响因素,用分子轨道理论解释了NBT强铁电性的成因,对研究较多的三个体系:NBT-ATiO3(A=Ca,Sr,Ba),NBT-BNbO3(B=Na,K)和NBT-Ln掺杂体系给予了概括介绍,内容包括成分配比,性能和应用,并提出了NBT基无铅压电陶瓷的设计原则。  相似文献   

4.
5.
Na0.5 Bi0.5 TiO3-K0.5 Bi0.5 TiO3系铁电体的相变研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了(Na1-xKx)0.5Bi0.5TiO3体系x分别为0、0.08、0.16和0.20时陶瓷不同频率下的介电温谱,发现材料为弛豫型铁电体,材料的介电谱在室温到500℃的温度范围内存在一个介电常数-温度"台阶",一个介电常数-温度峰和一个介电损耗-温度峰,通过分析陶瓷不同温度下的电滞回线验证陶瓷在升温过程中产生了铁电-反铁电-顺电相变,采用铁电体成分起伏理论和内电场理论解释了这类弛豫型铁电体相变的原因.  相似文献   

6.
研究了扩散相变中心温度分别为40℃和65℃的两种La-掺杂PMN基陶瓷在其扩散相变温度范围的电致应变、电致应变随电场(S~E)的滞后特性和剩余应变效应.结果发现,对于扩散相变中心温度为40℃的材料在0~1kV/mm单向电场驱动下;从-10~60℃电致应变和滞后都随温度的升高而减小;对另一种材料无论由±1kV/mm交变电场或由0~1kV/mm单向电场驱动,温度从13~41℃变化均出现电致应变峰值,而滞后和剩余应变随温度的升高而减小.对以上实验结果本文作了详细讨论.  相似文献   

7.
锰掺杂对(Na0.5Bi0.5)0.92Ba0.08TiO3压电陶瓷性能的影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究了 Mn掺杂对 (Na0.5Bi0.5)0.92Ba0.08TiO3系陶瓷介电、压电与铁电性能的影响. X- ray衍 射结构分析表明掺杂适量的 Mn得到单一的钙钛矿结构,无第二相出现.当添加 0.3 wt % MnCO3 时,介电常数达到 1850;矫顽场强 Ec降低至 3.54kV/mm;压电常数 d33达到 160× 10- 12 C/N.该 材料的温度稳定性也得到改善.  相似文献   

8.
采用固相反应法制备了A位复合铁电陶瓷(1-x)Bi0.5(Na0.82K0.18)0.5TiO3-xBiCrO3(BNKT-BCx). 研究了该陶瓷在室温至500℃温度范围内的介电性能. 结果表明该陶瓷的介电温谱存在两个介电反常峰和一个介电损耗峰, 低温介电反常峰温度附近具有明显的介电常数频率依赖性, 但居里峰随频率增加基本不变, 与典型弛豫铁电体的特征不同. 将弛豫铁电体分为本征弛豫和非本征弛豫铁电体, 通过分析极化前和极化后陶瓷的介电温谱, 发现该体系低温介电反常峰温度附近的介电频率依赖性为空间电荷和缺陷偶极子极化引起的非本征弛豫.  相似文献   

9.
钛酸铋钠(Na0.5Bi0.5TiO3,简写为NBT)基无铅压电陶瓷由于具有良好的压电性、高居里温度和烧结过程中无毒、易控制性等优点而备受关注.综述了溶胶-凝胶法制备Na0.5Bi0.5TiO3粉体及制备出的陶瓷的结构和性能特点.总结了用溶胶-凝胶法制备压电和介电性能显著提高的钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的研究进展.研究表明,溶胶-凝胶法在制备压电陶瓷方面具有均匀性好、纯度高,烧结温度低等优点.展望了该工艺的发展方向.  相似文献   

10.
朱刚强  苗鸿雁  谈国强  仇越秀 《材料导报》2005,19(Z1):147-149,154
以Bi(NO3)3·5H2O、Ti(OC4H9)4、KOH为原料,研究和分析了水热条件下纳米K0.5Bi0.5TiO3(KBT)粉体和影响KBT晶体生长与形成的各个影响因素,并利用XRD、TEM、ED等分析方法对所得粉体的晶相、微观形貌、分散性等性质进行了表征.结果表明,反应温度为180℃,保温时间为24h,KOH浓度为4~12mol/L时能制备出纯净的、结晶完整、分散性良好、钙钛矿型的纳米K0.5Bi0.5TiO3晶体,其颗粒尺寸为15~75nm.  相似文献   

11.
(Bi0.5Na0.5)TiO3(BNT)基无铅压电陶瓷研究进展   总被引:6,自引:0,他引:6  
苏鑫明  张梅  王习东  李文超 《材料导报》2006,20(5):37-40,43
(Bi0.5Na0.5)TiO3(BNT)基无铅压电陶瓷体系是目前研究最广泛的功能陶瓷材料之一.综述了BNT基无铅压电陶瓷的研究现状,讨论了相关体系的设计方法、铁电性、压电性以及BNT体系的制备方法.分析比较了BNT系压电陶瓷与Pb(Zr,Ti)O3(PZT)压电陶瓷的性能差异以及存在的问题,对BNT基无铅压电陶瓷进行了展望.  相似文献   

12.
采用传统陶瓷工艺制备了Bi0.5(Na0.90-xKxLi0.10)0.5TiO3-KNbO3无铅压电陶瓷,利用XRD,SEM 等测试技术分析表征了陶瓷的结构、表面形貌、介电、压电与铁电性能.结果表明:该体系陶瓷具有单相钙钛矿结构,KNbO3的引入使体系的居里温度和铁电-反铁电相变温度降低;随着钾含量的增加,KNbO3对体系性能的影响越明显.在室温下,该体系表现出良好的压电与铁电性能:压电常数d33和机电耦合系数kp分别达到195pC/N和31.9%,陶瓷样品表现出明显的铁电体特征,剩余极化强度Pr达到34.8μC/cm2,矫顽场强Ec为3.2kV/mm.  相似文献   

13.
柠檬酸盐法制备(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3无铅压电陶瓷的研究   总被引:10,自引:0,他引:10  
用柠檬酸盐法制备了(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3陶瓷。陶瓷的体积密度比传统固相法所得陶瓷的体积密度有所增加,可达到98%理论密度。热重-差热(TG-DTA)分析显示,BNBT6陶瓷粉体的柠檬酸盐法合成温度比传统固相合成温度低300℃左右。d33测试表明,陶瓷的d33值可达110pC/N。  相似文献   

14.
张昌松  郭晨洁 《材料工程》2007,(8):45-48,52
采用传统的干压成型法制备了Na0.5Bi0.5TiO3-K0.5Bi0.5TiO3无铅压电陶瓷,研究了不同K0.5Bi0.5TiO3含量对Na0.5Bi0.5TiO3-K0.5Bi0.5TiO3陶瓷的微观结构与电性能的影响规律。结果表明,Na0.5Bi0.5TiO3-K0.5Bi0.5TiO3无铅压电陶瓷随K0.5Bi0.5TiO3含量增加,晶格常数增大,密度减小,晶粒尺寸减小,压电常数先增大后减小,介电常数增大,介电损耗增加,机械品质因数下降,而居里温度不断升高,在200℃附近存在由铁电相向反铁电相转变的一个相变点,组分为0.84 Na0.5Bi0.5TiO3-K0.5Bi0.5TiO3的陶瓷位于准同型相界附近,具有最佳的压电性能。  相似文献   

15.
以钛酸四丁酯、五水硝酸铋和无水乙酸钠为原料,用溶胶-凝胶法制备Bi0.5Na0.5TiO3(BNT)细粉,通过XRD和TEM表征粉体的结构和形貌。采用正交试验法,分析了反应温度、溶液pH值、加水量对最终BNT粉体粒径的影响。结果表明,各因素对粉体晶粒尺寸影响的显著性水平由大到小依次为加水量溶液pH值反应温度;反应温度为60℃、溶液pH值为4.5、加水量为7.2mL的条件下制得粉体的平均晶粒尺寸约为200~350nm。  相似文献   

16.
用传统的固相反应烧结法制备了(1-xmol%)BaTiO3-xmol%(Bi0.5Na0.5)TiO3(BBNTx)高温无铅正温度系数电阻( positive temperature coefficient of resistivity, PTCR)陶瓷。X射线衍射表明所有的BBNTx陶瓷形成了单一的四方钙钛矿结构。SEM分析结果显示随着BNT含量的增加, 陶瓷晶粒尺寸减小。空气中烧结的0.2mol% Nb掺杂的BBNT1陶瓷, 室温电阻率为~102 Ω·cm, 电阻突跳为~4.5个数量级, 居里温度为~150℃。氮气中烧结的0.3mol% Nb掺杂的BBNTx(10≤x≤60)陶瓷, 同样具有明显的PTCR效应, 居里温度在180~235℃之间。随着BNT含量的增加, 材料的室温电阻率增大, 同时陶瓷的电阻突跳比下降。  相似文献   

17.
铁电薄膜材料、集成铁电器件以及与之相关的物理问题,多年来一直是物理学(特别是电介质物理学)、材料科学与工程、微电子与光电子等领域的科学技术人员所关注的重要问题之一。重点介绍了钛酸铋钠系列铁电薄膜及其掺杂的研究,同时介绍了笔者对钛酸铋钠薄膜掺杂钙、锶、钡的一系列研究工作。  相似文献   

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