基于印刷量子点的多重组合信息可靠性编解码算法

目的 针对印刷量子点的点阵图像用于实现信息记录、信息隐藏和信息防伪时,存在因打印信息污损和图像识读信息误判引起的误码率高这一突出问题,设计一种信息可靠性编解码算法.方法 该算法采用二维奇偶校验码+BCH码+交织编码+帧同步组合方式.结果 经实验测试验证,该组合方式得到的印刷量子点图像与汉明码和RS编码相比,随机性更高,具有更加突出的纠错能力,信息解码识读速率更快、鲁棒性更好.结论 该算法可很好地解决印刷量子点信息的突发性错误和随机性错误,同时也解决了印刷量子点图像在信息防伪领域应用推广的瓶颈问题,扩展信息增值服务功能.     

圆偏振光诱导CdTe量子点再生长及其对光致发光的影响

实验研究了以3-巯基丙酸为配体合成的水溶性CdTe量子点经过非偏振光与圆偏振光照射处理后, 量子点的再生长变化规律。采用光致发光谱、紫外-可见吸收光谱、透射电子显微镜与X射线衍射等表征手段分析表明: 非偏振光会促进CdTe量子点的光氧化, 导致量子点尺寸缩小, 荧光发光峰位蓝移, 且发光效率降低; 而圆偏振光增强了配体的光氧化, 在量子点表面形成CdS层, 导致量子点尺寸进一步增大, 荧光发光峰红移, 且发光效率提升。进一步讨论了CdTe量子点与配体之间的键合作用, 相关光化学反应机制及其对量子点光致发光性质的影响。     

基于量子纠错理论的数字水印技术

针对数字水印算法通用性及应用性较差的问题,提出了一种基于量子纠错理论的数字水印技术,描述了量子数字水印算法的实现流程,并以文本介质为例进行了实验。该技术利用量子的相干性和力学叠加原理,将量子错误编码作为水印嵌入介质中,并通过编码纠错的途径来提取水印。本文感官测试表明,该数字水印技术的抗攻击能力突出,是基于文本格式水印的4倍;在攻击测试中,量子水印同其它水印技术相比,误码率平均降低了18.06%。实验表明此算法具有很好的通用性及鲁棒性能。     

量子点光学传感器的研究进展

分别从荧光转换传感器、荧光共振能量传感器、磷光转换传感器和定位传感器等方面综述了量子点光学传感器的发生机理及其在测定金属离子、阴离子、小分子、共振能量转移体系以及磷光材料、固态材料方面的应用.最后介绍了量子点光学传感器存在的问题和发展趋势.     

量子点激光器的研究

总结量子点激光器的基本原理与制备方法及量子点激光器的基本结构和性能,最后阐述量子点激光器的研究进展,并展望量子点激光器的应用前景及必须解决的问题。     

基于Ⅳ-Ⅵ族化合物的胶体量子点太阳电池研究进展

基于Ⅳ-Ⅵ族化合物的胶体量子点具有易于合成、带隙可调等优点,被认为是一种非常有前途的窄带隙光伏材料。近年来,利用Ⅳ-Ⅵ族化合物制作的胶体量子点太阳电池最高转换效率已经突破10%。介绍了胶体量子点的合成方法、基本结构及其光电特性;着重分析了国内外关于肖特基和异质结胶体量子点太阳电池的研究现状,指出了目前该领域研究中存在的问题和发展趋势,并分析了未来需要重点解决的关键问题。     

半导体量子点玻璃的研究进展

介绍了半导体量子点材料禁阻类型,详细阐述了共熔法、溶胶-凝胶法、离子注入法等半导体量子点玻璃材料的制备方法,探讨了半导体量子点玻璃的尺寸效应、禁阻效应、库仑阻塞效应和非线性光学效应等特性及其未来应用前景.     

基于相位调制的多通道半色调信息隐藏技术

目的研究多通道半色调信息隐藏技术,通过相位调制技术,使彩色隐藏信息隐藏于不同色调的母版当中。方法在基础层,基于最小阈值矩阵原理,使用基于相位调制阈值矩阵加网技术定位各通道隐藏信息位置,并在母版中对正常图像部分网点的生长趋势进行改变,实现在位置上的调制,从而保证各通道信息良好的隐蔽性。结果使用相位调制技术可以达到多通道信息的隐蔽,达到彩色信息隐藏的预期效果。结论该技术有利于提高半色调加网信息隐藏技术在印刷防伪中的应用范围,提高半色调加网信息隐藏技术的防伪性能。     

零维氧化锌纳米量子点的水热法合成及其量子效应表征

介绍了一种以乙醇为溶剂,在低温、常压下水热制备零维氧化锌量子点(ZnO QDs)的简单方法,并运用该方法制备了尺寸均一、形貌规则的ZnO QDs。利用荧光分光光度计和紫外-可见分光光度计分析了其受激辐射特征波长的蓝移和深能级发光变化,证实其光学量子效应明显,光致发光的绿光发射增强。讨论了可能导致其绿光发射增强的原因并提出了有待验证的问题。     

零维氧化锌纳米量子点的水热法合成及其量子效应表征

介绍了一种以乙醇为溶剂,在低温、常压下水热制备零维氧化锌量子点（ZnOQDs）的简单方法,并运用该方法制备了尺寸均一、形貌规则的ZnOQDs。利用荧光分光光度计和紫外一可见分光光度计分析了其受激辐射特征波长的蓝移和深能级发光变化,证实其光学量子效应明显,光致发光的绿光发射增强。讨论了可能导致其绿光发射增强的原因并提出了...     

基于模型预测的三电平PWM变流器直接功率控制

为了满足脉宽调制型变流器功率响应速度快以及绝缘栅双极型晶体管开关频率恒定等要求,提出了基于模型预测的直接功率控制策略用于三电平PWM变流器。该控制策略采用电压外环、功率内环的双闭环控制,外环省略了锁相环环节,简化了控制系统结构;内环无需PI调节器,参数设计简单,响应速度快。利用MATLAB/SIMULINK仿真平台搭建了三电平中性点箝位型PWM变流器模型,对比分析了提出的控制策略与传统PI控制的效果。仿真结果表明,新的控制策略有效降低了交流侧电流总谐波失真率,提高了交流侧功率因数,具有良好的动态和稳态性能。     

基于两通道PWM的LED调光调色方法

针对LED动态照明的实现问题,本文提出一种基于两通道PWM的调光调色方法。该方法通过分析PWM混光技术下的几何、光度、色度与电力约束条件,论证了两通道PWM实现调光调色的确定性和局限性,建立了混合光的期望光度量、色度量与两通道占空比之间的定量计算模型。利用该方法对高、低色温两种白光LED进行混光实验,模拟了自然光的照度和色温变化,实测值与理论值之间的平均误差分别是15lx和23K。实验结果表明,此方法可以较好地实现预期光度、色度要求的光谱。     

静止型有源无功功率补偿器

提出了用MOSFET实现的静止型有源无功功率补偿器(电压型),简述了补偿器的结构,控制方式及硬件电路的工作原理.给出了实验结果,表明其对谐波电流的补偿效果良好.     

基于信息生命周期的风险评估方法

本文通过将信息生命周期模型引入风险评估过程,为企业提供一套全新的风险评估方法。希望通过该方法的引入,能促使企业降低风险评估的成本,并减少资产遗漏等情况的发生。     

印刷复制过程图像信息熵传递分析

基于Shannon信息论中有关信息量及信息熵的基本概念,通过对实际单色加网印刷图像的测试、计算和分析,获得了印刷图像的零阶、一阶、二阶信息熵。这一分析方法及结果,对认识印刷过程图像信息传递特性具有重要意义。     

自动导引车模型设计

 自动导引车(AGV)的实现是智能移动机器人研究的重要内容之一． 阐述了自动导引车系统(AGVS)的构
成及工作原理，在此基础上对试验型AGV 模型的功能结构与硬件配置进行了详细的设计，并从软件上得以实现．
通过测试，表明该AGV模型达到了预期效果，为工业应用AGVS的开发提供了参考．     

阶段占空比对ZrH1.8表面微弧氧化陶瓷层性能的影响

为了提高氢化锆表面微弧氧化陶瓷层的致密性及阻氢性能, 采用恒压模式对氢化锆基体进行微弧氧化处理, 在磷酸盐电解液体系下, 研究阶段占空比分别为40%-50%-60%、50%-60%-40%和60%-50%-40%三种情况下陶瓷层的生长过程。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、膜层测厚仪分析陶瓷层的形貌、相结构及厚度; 通过真空脱氢实验评价不同阶段占空比模式下获得陶瓷层的阻氢性能。研究结果表明: 不同阶段占空比模式下在ZrH_1.8表面可制得厚度分别为162.6、175.9、158.7 μm的氧化锆陶瓷层, 且所制微弧氧化陶瓷层均由M-ZrO₂、T-ZrO₂以及Zr_0.95Ce_0.05O₂三种物相组成, 阶段占空比对陶瓷层物相组成无显著影响; 阶段占空比为40%-50%-60%条件下, 氢化锆表面所制陶瓷层厚度达到162.6 μm, 氢渗透降低因子(Permeation Reduction Factor, PRF)达到12.5, 阻氢性能较佳。     

反向占空比对铝合金微弧氧化膜组织结构和耐蚀性能的影响

反向占空比对微弧氧化膜组织结构和性能的影响很大。恒流条件下用不同反向占空比(10%～80%)对7075铝合金进行微弧氧化,研究了反向占空比对膜层厚度、粗糙度、致密层比例、耐蚀性、形貌的影响,并分析了膜层的相结构。结果表明:当反向占空比达到50%时膜层综合性能最佳,膜层最厚(83.4μm),粗糙度2.47μm,致密层比例最大,耐点滴时间最长,盐雾腐蚀1200 h仍未发生腐蚀;微弧氧化膜中有许多不均匀的"火山"喷发状孔洞,主要物相为γ-Al2O3。     

正脉冲占空比对ZK60镁合金微弧氧化陶瓷膜的影响

占空比是影响微弧氧化过程和微弧氧化膜结构与性能的重要因素之一。研究了恒定的电流密度、频率、微弧氧化时间下,正占空比对ZK60镁合金微弧氧化电压和氧化膜结构与耐腐蚀性能的影响。结果表明:正占空比对ZK60镁合金微弧氧化起弧电压和起弧时间的影响较小,微弧氧化终电压随正占空比的增大而增大;正占空比增加,促进了镁合金与溶液的反应,在相同微弧氧化时间内形成的陶瓷膜厚度逐渐增加,镁合金耐腐蚀性能提高,但在正占空比达到50%后,提高正占空比不能提高镁合金的耐腐蚀性能,甚至会使其降低。